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1. (WO2015146140) EUVマスクの位相欠陥評価方法、EUVマスクの製造方法、EUVマスクブランク及びEUVマスク
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146140 国際出願番号: PCT/JP2015/001641
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 23.03.2015
IPC:
G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 1/24 (2012.01) ,G03F 1/84 (2012.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
22
100nm以下の波長の放射によって画像化するためのマスク又はマスクブランク,例.X線マスク,極端紫外マスク;その準備
24
反射マスク;その準備
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
68
グループG03F1/20からG03F1/50に包含されない準備プロセス
82
補助的なプロセス,例.クリーニング
84
検査
出願人:
凸版印刷株式会社 TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都台東区台東1丁目5番1号 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo 1100016, JP
発明者:
波木井 秀充 HAKII, Hidemitsu; null
高橋 聡 TAKAHASHI, Satoshi; null
代理人:
特許業務法人 小笠原特許事務所 OGASAWARA PATENT OFFICE; 大阪府吹田市江坂町1丁目23番101号 大同生命江坂ビル13階 Daido-Seimei Esaka Bldg., 13th Floor, 1-23-101, Esakacho, Suita-shi, Osaka 5640063, JP
優先権情報:
2014-06052124.03.2014JP
2014-20121530.09.2014JP
発明の名称: (EN) PHASE DEFECT EVALUATION METHOD FOR EUV MASK, METHOD FOR MANUFACTURING EUV MASK, EUV MASK BLANK, AND EUV MASK
(FR) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE DÉFAUT DE PHASE POUR MASQUE EUV, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MASQUE EUV, ÉBAUCHE DE MASQUE EUV, ET MASQUE EUV
(JA) EUVマスクの位相欠陥評価方法、EUVマスクの製造方法、EUVマスクブランク及びEUVマスク
要約:
(EN) Provided is an extreme ultraviolet (EUV) mask wherein the optimal correction amount for an absorption layer pattern surrounding a phase defect can be estimated with high precision, with the propagation state of the phase defect in a multi-layer reflective film being taken into account. The method for evaluating phase defects in an EUV mask in which a multi-layer reflective film has been formed on a substrate comprises: a step in which a reference mark for defect inspection is formed on a substrate; a step in which defect inspection is performed on the substrate and at least the position coordinates of a substrate defect that is a defect on the substrate are measured; a step in which a multi-layer reflective film is formed on the substrate; a step in which defect inspection is performed on the multi-layer reflective film and at least the position coordinates of a reflective film defect that is a defect on the multi-layer reflective film are measured; a step in which a defect model library that has been prepared is consulted regarding a defect model for the interior of the multi-layer reflective film; and a step in which a propagation state estimation model for phase defects in the interior of the multi-layer reflective film is prepared on the basis of the position coordinates of the substrate defect, the position coordinates of the reflective film defect, and the defect model for the interior of the multi-layer reflective film.
(FR) La présente invention se rapporte à un masque dans l'ultraviolet extrême (EUV), la quantité de correction optimale pour un motif de couche d'absorption situé autour d'un défaut de phase pouvant être évaluée avec une grande précision, et l'état de propagation du défaut de phase dans un film réfléchissant multicouche étant pris en compte. Le procédé d'évaluation des défauts de phase dans un masque EUV comportant un film réfléchissant multicouche qui a été formé sur un substrat, comprend : une étape au cours de laquelle un trait de repère pour l'inspection des défauts est créé sur un substrat ; une étape au cours de laquelle une inspection des défauts est réalisée sur le substrat, et au cours de laquelle au moins les coordonnées de position d'un défaut de substrat qui est un défaut sur le substrat sont mesurées ; une étape au cours de laquelle un film réfléchissant multicouche est formé sur le substrat ; une étape au cours de laquelle une inspection des défauts est réalisée sur le film réfléchissant multicouche, et au cours de laquelle au moins les coordonnées de position d'un défaut de film réfléchissant qui est un défaut sur le film réfléchissant multicouche sont mesurées ; une étape au cours de laquelle une bibliothèque de modèles de défauts préparée est consultée en ce qui concerne un modèle de défaut pour l'intérieur dudit film réfléchissant multicouche ; et une étape au cours de laquelle un modèle d'évaluation d'état de propagation pour les défauts de phase à l'intérieur de ce film réfléchissant multicouche est préparé sur la base des coordonnées de position du défaut de substrat, des coordonnées de position du défaut de film réfléchissant, et du modèle de défaut pour l'intérieur dudit film réfléchissant multicouche.
(JA)  EUVマスクにおいて、位相欠陥の多層反射膜中の伝播状態を考慮した、位相欠陥周囲の吸収層パターンの最適な修正量を精度高く見積もる技術を提供する。 基板上に多層反射膜が形成されたEUVマスクの位相欠陥評価方法は、基板上に欠陥検査用の基準マークを形成する工程と、基板上の欠陥検査を行い、基板上の欠陥である基板上欠陥の少なくとも位置座標を計測する工程と、基板上に多層反射膜を形成する工程と、多層反射膜上の欠陥検査を行い、多層反射膜上の欠陥である反射膜上欠陥の少なくとも位置座標を計測する工程と、多層反射膜内部の欠陥モデルを用意した欠陥モデルライブラリから参照する工程と、基板上欠陥の位置座標、反射膜上欠陥の位置座標及び多層反射膜内部の欠陥モデルに基づいて、多層反射膜内部における位相欠陥の伝播状態推定モデルを作成する工程とを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)