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1. (WO2015146131) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/146131 国際出願番号: PCT/JP2015/001623
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 23.03.2015
IPC:
H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
発明者:
小野田 憲司 ONODA, Kenji; JP
野村 英司 NOMURA, Eiji; JP
大谷 透 OOTANI, Tooru; JP
小田 章徳 ODA, Akinori; JP
代理人:
金 順姫 KIN, Junhi; JP
優先権情報:
2014-06419426.03.2014JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約:
(EN) A pressing unit (66) having a pressing pin (66a) is attached to a molding die (64), semiconductor chips (12a, 12b), first and second heat sinks (22a, 22b, 30a, 30b), and solder pieces (40, 46) are disposed in a cavity (64c) of the molding die, then, the molding die is brought into a clamped state, and reflow is performed in a state wherein the first and second heat sinks are pressed to first and second wall surfaces (64d1, 64d2) by means of the pressing pin, thereby forming a laminated body (62). After the laminated body is formed, the pressing pin is pulled out from the cavity, a resin is injected, and a resin molded body (16) is formed.
(FR) Selon la présente invention, une unité de pression (66) comportant une tige de pression (66a) est attachée à une matrice de moulage (64), des puces de semi-conducteur (12a, 12b), des premier et second dissipateurs de chaleur (22a, 22b, 30a, 30b) et des pièces de brasure (40, 46) sont disposés dans une cavité (64c) de la matrice de moulage, puis la matrice de moulage est mise dans un état serré et une refusion est effectuée dans un état dans lequel les premier et second dissipateurs de chaleur sont poussés vers des première et seconde surfaces de paroi (64d1, 64d2) au moyen de la tige de pression, ce qui permet de former un corps stratifié (62). Après que le corps stratifié a été formé, la tige de pression est retirée de la cavité, une résine est injectée, et un corps moulé en résine (16) est formé.
(JA)  押し付けピン(66a)を有する押し付けユニット(66)を型(64)に取り付け、前記型のキャビティ内(64c)に、半導体チップ(12a,12b)、第1、第2ヒートシンク(22a,22b,30a,30b)、及びはんだ(40,46)を配置して型締め状態とし、前記押し付けピンにより、前記第1、第2ヒートシンクを第1、第2壁面(64d1,64d2)に押し付けた状態でリフローを実施して積層体(62)を形成する。前記積層体の形成後に、前記押し付けピンを前記キャビティから引き抜き、樹脂を注入して樹脂成形体(16)を形成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20170110341