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1. (WO2015145948) 半導体ウエハ搬送装置およびそれを利用した太陽電池の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/145948 国際出願番号: PCT/JP2015/000706
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 17.02.2015
IPC:
H01L 21/677 (2006.01) ,B25J 15/08 (2006.01) ,B65G 49/07 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,B25J 15/06 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
677
移送のためのもの,例.異なるワ―クステーション間での移送
B 処理操作;運輸
25
手工具;可搬型動力工具;手工具用の柄;作業場設備;マニプレータ
J
マニプレータ;マニプレータ装置を持つ小室
15
把持部
08
指部材を有するもの
B 処理操作;運輸
65
運搬;包装;貯蔵;薄板状または線条材料の取扱い
G
運搬または貯蔵装置,例.荷積みまたは荷あげ用コンベヤ;工場コンベヤシステムまたは空気管コンベヤ
49
他の分類に属せず,特殊な目的に適用されることを特徴とする移送装置
05
もろい,または損傷性材料または物品用のもの
07
半導体ウェハーのためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
B 処理操作;運輸
25
手工具;可搬型動力工具;手工具用の柄;作業場設備;マニプレータ
J
マニプレータ;マニプレータ装置を持つ小室
15
把持部
06
真空または磁力把持装置をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18
これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
湯川 博喜 YUKAWA, Hiroki; JP
代理人:
森下 賢樹 MORISHITA, Sakaki; JP
優先権情報:
2014-06986528.03.2014JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR WAFER TRANSFER APPARATUS AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD USING SAME
(FR) APPAREIL DE TRANSFERT DE PLAQUETTES SEMI-CONDUCTRICES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE L’UTILISANT
(JA) 半導体ウエハ搬送装置およびそれを利用した太陽電池の製造方法
要約:
(EN) A flat first suction surface (14a) and a flat second suction surface (14b) for sucking a semiconductor wafer are disposed on the upper surface side of a first arm (10a) and a second arm (10b), respectively. A connecting member (12) connects together one side end of the first arm (10a) and one side end of the second arm (10b). The first suction surface (14a) and the second suction surface (14b) of respective first arm (10a) and second arm (10b) are sloped such that the inner sides facing each other are lower than the outer sides that are on the sides opposite to the inner sides.
(FR) Selon l’invention, une première surface d’aspiration (14a) plate et une seconde surface d’aspiration (14b) plate permettant d’aspirer une plaquette semi-conductrice sont disposées du côté de la surface supérieure d’un premier bras (10a) et d’un second bras (10b), respectivement. Un organe de raccordement (12) raccorde entre elles une extrémité latérale du premier bras (10a) et une extrémité latérale du second bras (10b). La première surface d’aspiration (14a) et la seconde surface d’aspiration (14b) du premier bras (10a) et du second bras (10b) respectifs sont inclinées de sorte que les côtés intérieurs se faisant face sont plus bas que les côtés extérieurs qui sont sur les côtés opposés aux côtés intérieurs.
(JA)  第1アーム(10a)、第2アーム(10b)では、半導体ウエハを吸着させるための平らな第1吸着面(14a)、第2吸着面(14b)が上面側にそれぞれ配置されている。連結部材(12)は、第1アーム(10a)と第2アーム(10b)とのそれぞれの片側端を連結する。第1アーム(10a)と第2アーム(10b)のそれぞれの第1吸着面(14a)と第2吸着面(14b)において、互いに対向した内側が、内側とは反対の外側よりも下がるように傾斜する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)