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1. (WO2015145944) 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/145944 国際出願番号: PCT/JP2015/000601
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 10.02.2015
IPC:
H01L 31/0747 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
國井 稔枝 KUNII, Toshie; null
木下 敏宏 KINOSHITA, Toshihiro; null
大鐘 章義 OGANE, Akiyoshi; null
代理人:
特許業務法人YKI国際特許事務所 YKI PATENT ATTORNEYS; 東京都武蔵野市吉祥寺本町一丁目34番12号 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004, JP
優先権情報:
2014-06192725.03.2014JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法
要約:
(EN) A method for manufacturing a photoelectric conversion element (10) prepares the following: main openings (22) for defining a main film formation area; substrate pressing parts (23) that cover edge areas of one surface of a substrate (11); and a mask (20) having small openings (26) formed in the substrate pressing parts (23). The mask (20) is disposed on the one surface of the substrate (11), and a film formation layer is formed on the one surface of the substrate (11) via the openings of the mask (20).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de conversion photoélectrique (10) qui prépare les éléments suivants : des ouvertures principales (22) servant à délimiter une zone de formation de film principale ; des parties de pression de substrat (23) qui couvrent des zones de bord d'une surface d'un substrat (11) ; et un masque (20) comportant de petites ouvertures (26) formées dans les parties de pression de substrat (23). Le masque (20) est disposé sur ladite surface du substrat (11), et une couche de formation de film est formée sur ladite surface du substrat (11) à travers les ouvertures du masque (20).
(JA)  光電変換素子10の製造方法は、主成膜領域を規定する主開口部22、基板11の一方の面の端縁領域を覆う基板押え部23、及び基板押え部23に形成された小開口部26を有するマスク20を準備し、基板11の一方の面上にマスク20を配置し、マスク20の各開口部を通して基板11の一方の面上に成膜層を形成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)