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1. (WO2015145886) 電極パターンの形成方法及び太陽電池の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/145886 国際出願番号: PCT/JP2014/082399
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 08.12.2014
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0224
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
益子 慶一郎 MASUKO, Keiichiro; null
代理人:
新居 広守 NII Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号 タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg., 3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
優先権情報:
2014-06211025.03.2014JP
発明の名称: (EN) ELECTRODE PATTERN FORMING METHOD AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF D’ÉLECTRODE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 電極パターンの形成方法及び太陽電池の製造方法
要約:
(EN) Provided are: an electrode pattern forming method whereby an electrode pattern can be formed by means of simple steps; and a solar cell manufacturing method using the electrode pattern forming method. The present invention is provided with: a step for forming a seed layer (3) on a base material (2), said seed layer having a pattern corresponding to an electrode pattern; a step for forming an organic material layer (4) on the seed layer (3); a step for manufacturing an electrode layer transfer sheet (1) by forming an electrode layer (5) on the organic material layer (4) by means of electrolytic plating using the seed layer (3) as a seed; a step for disposing, on a substrate (6) on which the electrode pattern is to be formed, the electrode layer transfer sheet (1) such that the electrode layer (5) is in contact with the electrode layer transfer sheet, and pressure bonding the electrode layer (5) on the substrate (6); and a step for peeling the base material (2) in a state wherein the electrode layer (5) is pressure bonded on the substrate (6), said base material being provided with the organic material layer (4) and the seed layer (3), and transferring the electrode layer (5) onto the substrate (6).
(FR) La présente invention concerne : un procédé de formation de motif d’électrode permettant de former un motif d’électrode au moyen d’étapes simples ; et un procédé de fabrication de cellule solaire utilisant le procédé de formation de motif d’électrode. La présente invention comprend : une étape pour former une couche de germe (3) sur un matériau de base (2), ladite couche de germe ayant un motif correspondant à un motif d’électrode ; une étape de formation d'une couche de matériau organique (4) sur la couche de germe (3) ; une étape de fabrication d'une feuille de transfert de couche d'électrode (1) par formation d'une couche d'électrode (5) sur la couche de matériau organique (4) au moyen d’un placage électrolytique en utilisant la couche de germe (3) en tant que germe ; une étape de disposition, sur un substrat (6) sur lequel le motif d'électrode doit être formé, de la feuille de transfert de couche d'électrode (1) de sorte que la couche d'électrode (5) soit en contact avec la feuille de transfert de couche d'électrode, et de collage par pression de la couche d'électrode (5) sur le substrat (6) ; et une étape de décollement du matériau de base (2) dans un état dans lequel la couche d'électrode (5) est collée par pression sur le substrat (6), ledit matériau de base étant pourvu de la couche de matériau organique (4) et de la couche de germe (3), et de transfert de la couche d'électrode (5) sur le substrat (6).
(JA)  簡易な工程で電極パターンを形成することができる電極パターンの形成方法及びこれを用いた太陽電池の製造方法を提供する。 基材2の上に、電極パターンに対応するパターンを有するシード層3を形成する工程と、シード層3の上に有機物層4を形成する工程と、電解めっきにより、シード層3をシードとして、有機物層4の上に電極層5を形成し、電極層転写シート1を作製する工程と、電極パターンを形成すべき基板6の上に、電極層5が接触するように電極層転写シート1を配置し、電極層5を基板6の上に圧着する工程と、電極層5を基板6の上に圧着した状態で、有機物層4及びシード層3が設けられた基材2を剥離し、電極層5を基板6上に転写する工程とを備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015145886