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1. (WO2015145751) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/145751 国際出願番号: PCT/JP2014/059246
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 28.03.2014
IPC:
H01L 21/285 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
出願人:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田4丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP
発明者:
原田 和広 HARADA, Kazuhiro; JP
中谷 公彦 NAKATANI, Kimihiko; JP
芦原 洋司 ASHIHARA, Hiroshi; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND RECORDING MEDIUM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
要約:
(EN) A laminated metal nitride film is formed on a substrate by performing a film formation step that includes the following steps: a step in which a first metal nitride film is formed on a substrate inside a processing chamber by supplying the substrate with a first metal material and a nitrogen-containing material, said first metal material containing a first halogen element and a predetermined metallic element; and a step in which a second metal nitride film is formed on the substrate inside the processing chamber by supplying the substrate with a second metal material and the nitrogen-containing material, said second metal material containing the predetermined metal and a second halogen element that differs from the first halogen element.
(FR) Un film de nitrure de métal stratifié est formé sur un substrat par exécution d'une étape de formation de film qui comprend les étapes suivantes : une étape au cours de laquelle un premier film de nitrure de métal est formé sur un substrat à l'intérieur d'une chambre de traitement en fournissant au substrat un premier matériau métallique et un matériau contenant de l'azote, ledit premier matériau métallique contenant un premier élément halogène et un élément métallique prédéterminé ; et une étape au cours de laquelle un second film de nitrure de métal est formé sur le substrat à l'intérieur de la chambre de traitement en fournissant au substrat un second matériau métallique et le matériau contenant de l'azote, ledit second matériau métallique contenant le métal prédéterminé et un second élément halogène qui diffère du premier élément halogène.
(JA) 処理室内の基板に対して第1のハロゲン元素と所定の金属元素とを含有する第1の金属原料と窒素含有原料とを供給して基板上に第1の金属窒化膜を形成する工程と、処理室内の基板に対して上記第1のハロゲン元素とは異なる第2のハロゲン元素と上記所定の金属元素とを含有する第2の金属原料と窒素含有元素とを供給して基板上に第2の金属窒化膜を形成する工程と、を含む成膜工程を行って基板上に積層金属窒化膜を形成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015145751