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1. (WO2015145750) 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/145750 国際出願番号: PCT/JP2014/059245
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 28.03.2014
IPC:
H01L 21/285 (2006.01) ,C23C 16/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06
金属質材料の析出に特徴のあるもの
08
金属ハロゲン化物からのもの
出願人:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田4丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP
発明者:
小川 有人 OGAWA, Arito; JP
清野 篤郎 SEINO, Atsuro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置
要約:
(EN) In order to prevent film peeling this method has the following steps: a substrate loading step, in which a first metal component containing film, which contains a first metal component, is formed on a substrate processing surface, and the first metal component containing film is not formed on the other surfaces; a first film formation step, in which a metal compound containing a second metal component that differs from the first metal component and a first reactive gas that reacts with the metal compound are alternately supplied multiple times to a processing chamber, and a second metal film is formed on the substrate placed in the processing chamber; a second film formation step, in which the metal compound and a second reactive gas that reacts with the metal compound are supplied to the processing chamber so as to mix with one another, and a third metal film in an amorphous state is formed upon the second metal film; a third film formation step, in which the metal compound and the first reactive gas are alternately supplied at least once and a fourth metal film is formed upon the third metal film; a step in which the second film formation step and the third film formation step are alternately performed multiple times; and a fourth film formation step, in which the metal compound and the second reactive gas are supplied to the processing chamber so as to mix with one another, and a fifth metal film in an amorphous state is formed upon the fourth metal film.
(FR) Le procédé selon l'invention permet d'éviter l'écaillage d'un film. À cette fin, ledit procédé comprend les étapes suivantes : une étape de chargement de substrat, à laquelle un film contenant un premier composant métallique, qui contient un premier composant métallique, est formé sur une surface de traitement de substrat, et le film contenant un premier composant métallique n'est pas formé sur les autres surfaces ; une première étape de formation de film, à laquelle un composé métallique contenant un second composant métallique différent du premier composant métallique et un premier gaz réactif qui réagit avec le composé métallique sont acheminés en alternance à plusieurs reprises vers une chambre de traitement, et un deuxième film métallique est formé sur le substrat disposé dans la chambre de traitement ; une deuxième étape de formation de film, à laquelle le composé métallique et un second gaz réactif qui réagit avec le composé métallique sont acheminés vers la chambre de traitement de façon se mélanger l'un à l'autre et un troisième film métallique dans un état amorphe est formé sur le deuxième film métallique ; une troisième étape de formation de film, à laquelle le composé métallique et le premier gaz réactif sont acheminés en alternance au moins une fois et un quatrième film métallique est formé sur le troisième film métallique ; une étape à laquelle la deuxième étape de formation de film et la troisième étape de formation de film sont exécutées alternativement plusieurs fois ; et une quatrième étape de formation de film, à laquelle le composé métallique et le second gaz réactif sont acheminés vers la chambre de traitement de façon à de mélanger l'un à l'autre, et un cinquième film métallique dans un état amorphe est formé sur le quatrième film métallique.
(JA) 膜剥がれを抑制するよう、基板処理面に第1の金属成分が含有される第1の金属成分含有膜が形成され、それ以外の面に前記金属成分含有膜が形成されていない基板の搬入工程と、前記第1の金属成分と異なる第2の金属成分を含有する金属化合物と、前記金属化合物に対して反応性を有する第1の反応ガスを交互に複数回処理室に供給して、前記処理室内に載置された基板に第2の金属膜を形成する第1の成膜工程と、前記金属化合物と、前記金属化合物に対して反応性を有する第2の反応ガスを互いに混合するよう前記処理室に供給して、前記第2の金属膜上に非晶質膜状態の第3の金属膜を形成する第2の成膜工程と、前記金属化合物と、前記第1の反応ガスを交互に少なくとも1回供給して、前記第3の金属膜上に第4の金属膜を形成する第3の成膜工程と、前記2の成膜工程と第3の成膜工程を交互に複数回行う工程と前記金属化合物と、前記第2の反応ガスを互いに混合するよう前記処理室に供給して、前記第4の金属膜上に、非晶質膜状態の第5の金属膜を形成する第4の成膜工程とを有する方法
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)