国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015145746) 相変化薄膜気相成長方法及び相変化薄膜気相成長装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/145746 国際出願番号: PCT/JP2014/059219
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 28.03.2014
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C23C 16/452 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34
窒化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
448
反応性ガス流を発生させるために用いる方法に特徴があるもの,例.先行する材料の蒸発または昇華によるもの
452
反応室に導入する前に反応ガス流を活性化させることによるもの,例.反応種のイオン化または添加によるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45
電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
発明者:
藤崎 芳久 FUJISAKI Yoshihisa; JP
笹子 佳孝 SASAGO Yoshitaka; JP
小林 孝 KOBAYASHI Takashi; JP
代理人:
青稜特許業務法人 SEIRYO I.P.C.; 東京都中央区八丁堀二丁目7番1号 7-1, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR VAPOR-PHASE GROWTH OF PHASE-CHANGE THIN FILM, AND DEVICE FOR VAPOR-PHASE GROWTH OF PHASE-CHANGE THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR DE FILM MINCE À CHANGEMENT DE PHASE ET DISPOSITIF DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR DE FILM MINCE À CHANGEMENT DE PHASE
(JA) 相変化薄膜気相成長方法及び相変化薄膜気相成長装置
要約:
(EN)  Provided are a method for vapor-phase growth of a phase-change thin film, and a device for vapor-phase growth of a phase-change thin film, with which a phase-change thin film is formed at low temperature while retained in an amorphous state, in order to form a phase-change thin film that is flat at the nanometer level and has excellent coverage, which is necessary to obtain a three-dimensional, ULSI phase-change memory. In order to form films at low temperature in the present invention, a structure is provided in which an ammonia cracker into which nitrogen radicals obtained by decomposing ammonia are introduced is connected to the reactor of a vapor-phase growth device, and organometals on the front surface of a substrate are decomposed at low temperature. With this device it is possible to obtain a completely amorphous film in which the front surface is flat at the nanometer order, using an amine complex as a Ge raw material at the low temperature of 135°C. It is also possible to form a film at low temperature and with good coverage for a three-dimensional structure.
(FR)  L'invention porte sur un procédé de croissance en phase vapeur d'un film mince à changement de phase, et sur un dispositif de croissance en phase vapeur d'une film mince à changement de phase, avec lesquels un film mince à changement de phase est formé à basse température tout en étant retenu dans un état amorphe, afin de former un film mince à changement de phase qui est plat au niveau du nanomètre et possède une excellente couverture, qui est nécessaire pour obtenir une mémoire à changement de phase ULSI à trois dimensions. Afin de former des films à basse température dans la présente invention, une structure est fournie dans laquelle un craqueur d'ammoniac dans lequel des radicaux d'azote obtenus par décomposition d'ammoniac sont introduits est relié au réacteur d'un dispositif de croissance en phase vapeur, et des composés organométalliques sur la surface avant d'un substrat sont décomposés à basse température. Avec ce dispositif, il est possible d'obtenir un film totalement amorphe dans lequel la surface avant est plate au niveau de l'ordre du nanomètre, à l'aide d'un complexe d'amine en tant que matériau brut de Ge à la basse température de 135 °C. Il est également possible de former un film à basse température et avec une bonne couverture pour une structure à trois dimensions.
(JA)  3次元立体の超高集積相変化メモリ実現のため必須となるナノメーターレベルで平坦でカバレッジの良い相変化薄膜を形成するために、相変化薄膜を低温で完全アモルファス状態のまま形成する相変化薄膜気相成長装置及び相変化薄膜気相成長方法を提供する。低温成膜を実現するために、アンモニアを分解して得られる窒素ラジカルをアンモニアクラッカーを気相成長装置のリアクターに接続させた構造を有し、基板表面での有機金属の低温分解を実現した。この装置を用い、Ge原料にアミン系錯体を用い135℃の低温で表面がナノメーターオーダーで平坦な完全アモルファス膜を実現する事が可能である。また3次元立体構造へカバレッジ良く低温で成膜することも可能である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015145746US20170125675