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1. (WO2015145663) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/145663 国際出願番号: PCT/JP2014/058865
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 27.03.2014
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田4丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP
発明者:
野内 英博 YANAI, Hidehiro; JP
檜山 真 HIYAMA, Shin; JP
嶋田 敏也 SHIMADA, Toshiya; JP
油谷 幸則 ABURATANI, Yukinori; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
要約:
(EN) [Problem] To improve plasma processing uniformity within a surface to be processed of a subject to be processed, and to improve plasma processing uniformity among subjects to be processed. [Solution] This substrate processing apparatus has: a processing container for processing a subject to be processed; a gas supply system for supplying a processing gas to the inside of the processing container; a gas release system for releasing a gas from the inside of the processing container; a plasma generating unit, which is provided outside of the processing container, and which generates plasma of the processing gas supplied to the inside of the processing container; a flow channel, which is provided between at least the processing container and the plasma generating unit, and which makes a temperature adjustment gas flow along an outer wall of the processing container; an introduction port, which is provided in the circumferential direction of the processing container, and through which the temperature adjustment gas is introduced into the flow channel; and a discharge port, through which the temperature adjustment gas flowed in the flow channel is discharged.
(FR) [Problème] Améliorer l'uniformité du traitement au plasma à l'intérieur d'une surface à traiter d'un sujet à traiter, et améliorer l'uniformité du traitement au plasma parmi les sujets à traiter. [Solution] La présente invention concerne un appareil de traitement de substrat qui comprend : un conteneur de traitement pour le traitement d'un sujet à traiter; un système d'alimentation en gaz pour alimenter un gaz de traitement à l'intérieur du conteneur de traitement; un système de libération de gaz pour libérer un gaz depuis l'intérieur du conteneur de traitement; une unité de génération de plasma, qui est disposée à l'extérieur du conteneur de traitement, et qui génère un plasma du gaz de traitement alimenté à l'intérieur du conteneur de traitement; un canal d'écoulement, qui est disposé entre au moins le conteneur de traitement et l'unité de génération de plasma, et qui amène un gaz d'ajustement de température à s'écouler le long d'une paroi externe du conteneur de traitement; un orifice d'introduction, qui est disposé dans la direction circonférentielle du conteneur de traitement, et à travers lequel le gaz d'ajustement de température est introduit dans le canal d'écoulement; et un orifice de décharge, à travers lequel le gaz d'ajustement de température qui a circulé dans le canal d'écoulement est déchargé.
(JA)  課題 処理対象物の被処理面内におけるプラズマ処理の均一性を向上させたり、処理対象物間におけるプラズマ処理の均一性を向上させたりする。 解決手段 処理対象物を処理する処理容器と、処理容器内に処理ガスを供給するガス供給系と、処理容器内を排気する排気系と、処理容器の外側に設けられ、処理容器内に供給された処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、少なくとも処理容器とプラズマ生成部との間に設けられ、処理容器の外壁に沿って温度調整ガスを流す流路と、処理容器の周方向に開設され、流路に温度調整ガスを導入する導入孔と、流路を流れた温度調整ガスを排出する排出孔と、を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)