国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015145486) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/145486 国際出願番号: PCT/JP2014/001821
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 28.03.2014
IPC:
H05H 1/46 (2006.01) ,C23C 16/515 (2006.01) ,H01L 21/283 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
515
パルス放電を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
出願人:
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
発明者:
後藤 哲也 GOTO, Tetsuya; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
要約:
(EN)  To enable the formation of a high-quality thin film while greatly mitigating damage to a substrate due to the collision therewith of ions generated in plasma as well as contamination of a substrate by sputtering on the inner wall of a processing chamber. Plasma is generated by electron cyclotron resonance using a mirror magnetic field (MF) and a microwave (MW), the plasma (PL) is closed off in a prescribed closed region (PCR) by the mirror magnetic field (MF), and a wafer (W) is arranged opposite the closed region (PCR) in a direction (D1, D2) crossing lines of magnetic force passing through the closed region (PCR) such that activated neutral radicals selectively reach the wafer (W) to be processed from the closed region (PCR).
(FR)  L'invention consiste à permettre la formation d'un film mince de haute qualité tout en réduisant considérablement les dégâts à un substrat en raison de la collision avec celui-ci d'ions générés dans le plasma ainsi que la contamination d'un substrat par pulvérisation cathodique sur la paroi interne d'une chambre de traitement. Un plasma est généré par résonance cyclotronique des électrons à l'aide d'un champ magnétique (MF pour Magnetic Field) de miroir et d'un four à micro-ondes (MW pour MicroWave), le plasma (PL) est isolé dans une région fermée prescrite (PCR pour Prescribed Closed Region) par le champ magnétique (MF) de miroir et une plaquette (W) est agencée à l'opposé de la région fermée (PCR) dans une direction (D1, D2) coupant les lignes de la force magnétique passant à travers la région fermée (PCR) de telle sorte que des radicaux neutres activés atteignent la de manière sélective la plaquette (W) qui doit être traitée à partir de la région fermée (PCR).
(JA)  プラズマで発生したイオンの、衝突による基板のダメージや処理チャンバ内壁のスパッタによる基板の汚染を大幅に抑制しつつ、高品質な薄膜の形成を可能にする。ミラー磁場(MF)とマイクロ波(MW)とによる電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成するとともに、ミラー磁場(MF)により所定の閉じ込め領域(PCR)に当該プラズマ(PL)を閉じ込め、閉じ込め領域(PCR)から活性化した中性のラジカルが処理すべきウエハ(W)に選択的に到達するように、閉じ込め領域(PCR)を通過する磁力線を横切る方向(D1,D2)においてウエハ(W)を閉じ込め領域(PCR)に対向させて配置する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)