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1. (WO2015145412) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/145412 国際出願番号: PCT/IB2015/053548
国際公開日: 01.10.2015 国際出願日: 14.05.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
06
半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
70
バイポーラ装置
72
トランジスタ型装置,すなわち,供給される制御信号に連続的に応答できるもの
739
電界効果により制御されるもの
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
塩見 弘 SHIOMI, Hiromu; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2014-06830228.03.2014JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
要約:
(EN) In the present invention, a step for forming a silicon carbide substrate (10) includes: a step in which a first impurity region (12) having a first conductivity type is formed by epitaxial growth; a step in which periodically provided embedded regions (17) are formed by performing ion implantation on the first impurity region, said embedded regions (17) having a second conductivity type different to the first conductivity type; and a step in which a second impurity region (13) is formed by epitaxial growth, said second impurity region (13) having the second conductivity type, having a lower concentration of impurities than the embedded regions (17), and being in contact with the first impurity region (12) and the embedded regions (17). Trenches (TR) are formed at the same periodicity as the embedded regions (17), and each trench (TR) has: sides (SW) that penetrate the second impurity region (13) and a third impurity region (14), and reach the first impurity region (12); and a bottom (BT) that is connected to the sides. Thus provided are a silicon carbide semiconductor device in which the on-resistance can reduced and the breakdown voltage can be increased, and a method for manufacturing said silicon carbide semiconductor device.
(FR) Dans la présente invention, une étape de formation d'un substrat en carbure de silicium (10) comprend : une étape à laquelle une première zone d'impuretés (12) ayant un premier type de conductivité est formée par croissance épitaxiale; une étape à laquelle des zones enterrées (17) disposées périodiquement sont formées par réalisation d'une implantation ionique sur la première zone d'impuretés, lesdites zones enterrées (17) ayant un second type de conductivité différent du premier type de conductivité; et une étape à laquelle une deuxième zone d'impuretés (13) est formée par croissance épitaxiale, ladite deuxième zone d'impuretés (13) ayant le second type de conductivité, ayant une plus faible concentration d'impuretés que les zones enterrées (17), et étant en contact avec la première zone d'impuretés (12) et les zones enterrées (17). Des tranchées (TR) sont formées à la même périodicité que les zones enterrées (17), et chaque tranchée (TR) présente : des côtés (SW) qui pénètrent dans la deuxième zone d'impuretés (13) et une troisième zone d'impuretés (14) et atteignent la première zone d'impuretés (12); et un fond (BT) qui est relié aux côtés. L'invention concerne donc un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium dans lequel la résistance à l'état passant peut être réduite et la tension de claquage peut être augmentée, et un procédé de fabrication dudit dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium.
(JA) 炭化珪素基板(10)を形成する工程は、エピタキシャル成長により第1導電型を 有する第1不純物領域(12)を形成する工程と、第1不純物領域(12)に対して イオン注入を行うことより、第1導電型とは異なる第2導電型を有し、かつ周期的に 配置された埋込領域(17)を形成する工程と、第1不純物領域(12)と埋込領域 (17)とに接し、第2導電型を有し、かつ埋込領域(17)よりも低い不純物濃度 を有する第2不純物領域(13)をエピタキシャル成長により形成する工程とを含む 。第2不純物領域(13)と第3不純物領域(14)とを貫通して第1不純物領域( 12)に至る側部(SW)と、側部(SW)と連接する底部(BT)とを有し、かつ 埋込領域(17)と同じ周期で配置されたトレンチ(TR)が形成される。オン抵抗 を低減し、かつ耐圧を向上可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する 。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20170133504