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1. (WO2015141792) 基板処理装置、天井部及び半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141792 国際出願番号: PCT/JP2015/058303
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 19.03.2015
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,H01L 21/22 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22
半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
出願人:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田4丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP
発明者:
竹脇 基哉 TAKEWAKI, Motoya; JP
小杉 哲也 KOSUGI, Tetsuya; JP
上野 正昭 UENO, Masaaki; JP
優先権情報:
2014-05832320.03.2014JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, CEILING PART, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PARTIE DE PLAFOND ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 基板処理装置、天井部及び半導体装置の製造方法
要約:
(EN) [Problem] To speedily reduce the internal furnace temperature while increasing temperature uniformity in a substrate surface. [Solution] This invention has: a reaction tube for treating the substrate; a heating unit disposed on the outer periphery of the reaction tube, the heating unit heating the interior of the reaction tube; a heat insulation part disposed on the outer periphery of the heating unit; a plurality of channels provided to the heat insulation part, the channels channeling outside air or a cooling medium; and a ceiling part covering the upper surface of the heat insulation part. The ceiling part has: a first member having formed therein a feed port that communicates with the channels and feeds the outside air or the cooling medium to the channels; and a second member disposed on the first member, a space for channeling the outside air or the cooling medium being formed between the second member and the first member, the second member having formed thereon a partition part for dividing the space into at least two spaces.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de réduire rapidement la température de four interne tout en augmentant l'uniformité de température dans une surface de substrat. La solution selon a présente invention possède : un tube de réaction pour le traitement du substrat ; une unité de chauffage disposée sur la périphérie externe du tube de réaction, l'unité de chauffage chauffant l'intérieur du tube de réaction ; une partie d'isolation thermique disposée sur la périphérie externe de l'unité de chauffage ; une pluralité de canaux disposés sur la partie d'isolation thermique, les canaux canalisant de l'air extérieur ou un milieu de refroidissement ; et une partie de plafond recouvrant la surface supérieure de la partie d'isolation thermique. La partie de plafond possède : un premier élément ayant, formé à l'intérieur de ce dernier, un port d'alimentation qui communique avec les canaux et alimente l'air extérieur ou le milieu de refroidissement aux canaux ; et un second élément disposé sur le premier élément, un espace pour canaliser l'air extérieur ou le milieu de refroidissement étant formé entre le second élément et le premier élément, le second élément ayant, formée sur ce dernier, une partie de séparation pour diviser l'espace en au moins deux espaces.
(JA) 課題 基板面内の温度均一性を向上させつつ、炉内温度を迅速に低下させる。解決手段 基板を処理する反応管と、反応管の外周に配置され、反応管内を加熱する加熱部と、加熱部の外周に配置された断熱部と、断熱部に複数設けられ、外気又は冷却媒体を流通させる流路と、断熱部の上面を覆う天井部と、を有し、天井部は、流路に連通し、外気又は冷却媒体を流路内へ供給する供給口が形成された第1の部材と、第1の部材の上に配置され、第1の部材との間に外気又は冷却媒体を流す空間が形成され、空間を少なくとも2つの空間に分割する仕切部が形成された第2の部材と、を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
CN105960701KR1020160118349US20160376701JPWO2015141792JP2018117141