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1. (WO2015141777) 光検出装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141777 国際出願番号: PCT/JP2015/058246
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 19.03.2015
IPC:
H01L 27/144 (2006.01) ,G01J 1/02 (2006.01) ,G01T 1/20 (2006.01) ,G01T 1/24 (2006.01) ,G01T 7/00 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
G 物理学
01
測定;試験
J
赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1
測光,例.写真の露出計
02
細部
G 物理学
01
測定;試験
T
原子核放射線またはX線の測定
1
X線,ガンマ線,微粒子線または宇宙線の測定
16
放射線強度の測定
20
シンチレーション検出器をもつもの
G 物理学
01
測定;試験
T
原子核放射線またはX線の測定
1
X線,ガンマ線,微粒子線または宇宙線の測定
16
放射線強度の測定
24
半導体検出器をもつもの
G 物理学
01
測定;試験
T
原子核放射線またはX線の測定
7
放射線測定装置の細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
宮本 忠芳 MIYAMOTO Tadayoshi; null
冨安 一秀 TOMIYASU Kazuhide; null
東名 敦志 TOMYO Atsushi; null
伊東 一篤 ITO Kazuatsu; null
森 重恭 MORI Shigeyasu; null
代理人:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
優先権情報:
2014-05809120.03.2014JP
発明の名称: (EN) LIGHT DETECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE LUMIÈRE
(JA) 光検出装置
要約:
(EN) A light detection device (100) having: a TFT (10) having a source electrode (14), a drain electrode (16), a gate electrode (18), and a semiconductor layer (12) that is supported by a substrate (11); a photo diode (20) having a lower electrode (22) electrically connected to the drain electrode (16), a semiconductor laminated structure (24), and an upper electrode (26); and an electrode (50) formed from the same conductive film as the lower electrode (22) and arranged so as to overlap the semiconductor layer (12) via an insulating layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif (100) de détection de lumière comportant : un TFT (10) comportant une électrode de source (14), une électrode de drain (16), une électrode de grille (18), et une couche (12) semi-conductrice qui est supportée par un substrat (11); une photodiode (20) comportant une électrode inférieure (22) électriquement connectée à l'électrode de drain (16), une structure stratifiée (24) semi-conductrice, et une électrode supérieure (26); et une électrode (50) formée à partir de la même pellicule conductrice que l'électrode inférieure (22) et agencée de manière à se superposer à la couche (12) semi-conductrice via une couche isolante.
(JA)  光検出装置(100)は、基板(11)に支持された半導体層(12)と、ソース電極(14)およびドレイン電極(16)と、ゲート電極(18)とを有するTFT(10)と、ドレイン電極(16)と電気的に接続された下部電極(22)と、半導体積層構造(24)と、上部電極(26)とを有するフォトダイオード(20)と、下部電極(22)と同じ導電膜から形成され、かつ、半導体層(12)に、絶縁層を介して重なるように配置された電極(50)とを有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20170092673