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1. (WO2015141741) 電子デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141741 国際出願番号: PCT/JP2015/058109
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 18.03.2015
IPC:
H05B 33/04 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
02
細部
04
封止装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
02
細部
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
10
エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
出願人:
コニカミノルタ株式会社 KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番2号 2-7-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015, JP
発明者:
森 孝博 MORI, Takahiro; JP
代理人:
八田国際特許業務法人 HATTA & ASSOCIATES; 東京都千代田区二番町11番地9 ダイアパレス二番町 Dia Palace Nibancho, 11-9, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084, JP
優先権情報:
2014-05684019.03.2014JP
発明の名称: (EN) ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子デバイス
要約:
(EN) Provided is an electronic device having excellent durability in high-temperature, high-humidity environments and having excellent shock resistance. The electronic device includes a gas-barrier film and an electronic device main body. The gas-barrier film includes, in order: a first gas-barrier layer (A) including an inorganic compound; a buffer layer (B) including resin and having a thickness of 10-200 µm; a second gas-barrier layer (C) including an inorganic compound; a third gas-barrier layer (D) fulfilling a composition range indicated by SiOwNx (0.2 < w ≤ 0.55 and 0.66 < x ≤ 0.75) and having a thickness of 50-1,000 nm; and a fourth gas-barrier layer (E) fulfilling a composition range indicated by SiOyNz (0.55 < y ≤ 2.0 and 0.25 < z ≤ 0.66) and having a thickness of 8-200 nm. The electronic device main body is formed on the surface of the fourth gas-barrier layer on the opposite side thereof to the third gas-barrier layer.
(FR) La présente invention se rapporte à un dispositif électronique présentant une excellente durabilité dans des environnements à haute température et à humidité élevée et présentant une excellente résistance aux chocs. Le dispositif électronique comprend un film barrière contre les gaz et un corps principal de dispositif électronique. Le film barrière contre les gaz comprend, dans l'ordre : une première couche barrière contre les gaz (A) comprenant un composé inorganique ; une couche tampon (B) comprenant une résine et présentant une épaisseur de 10 à 200 µm ; une deuxième couche barrière contre les gaz (C) comprenant un composé inorganique ; une troisième couche barrière contre les gaz (D) répondant à une plage de compositions représentées par SiOwNx (0,2 < w ≤ 0,55 et 0,66 < x ≤ 0,75) et ayant une épaisseur de 50 à 1 000 nm ; et une quatrième couche (E) barrière contre les gaz répondant à une plage de composition représentée par SiOyNz (0,55 < y ≤ 2,0 et 0,25 < z ≤ 0,66) et présentant une épaisseur de 8 à 200 nm. Le corps principal du dispositif électronique est formé sur la surface de la quatrième couche barrière contre les gaz sur le côté opposé associé à la troisième couche barrière contre les gaz.
(JA)  本発明は、高温高湿環境での耐久性に優れ、かつ耐衝撃性に優れた電子デバイスを提供する。 本発明は、(A)無機化合物を含む第1のガスバリア層:(B)樹脂を含み、厚さが10~200μmであるバッファー層;(C)無機化合物を含む第2のガスバリア層;(D)SiO(ただし、0.2<w≦0.55、0.66<x≦0.75)で表される組成範囲を満たし、かつ、50~1000nmの厚さを有する第3のガスバリア層;(E)SiO(ただし、0.55<y≦2.0、0.25<z≦0.66)で表される組成範囲を満たし、かつ、8~200nmの厚さを有する第4のガスバリア層;をこの順に含む、ガスバリア性フィルムと、前記第4のガスバリア層の前記第3のガスバリア層を有する面とは反対側の面上に形成される電子デバイス本体と、を含む電子デバイスである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015141741