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1. (WO2015141641) プラズマCVD装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141641 国際出願番号: PCT/JP2015/057760
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 16.03.2015
予備審査請求日: 09.10.2015
IPC:
C23C 16/50 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 愛知県豊田市トヨタ町1番地 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP
発明者:
久野 裕彦 HISANO, Hirohiko; JP
小泉 雅史 KOIZUMI, Masafumi; JP
代理人:
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
優先権情報:
2014-05889020.03.2014JP
発明の名称: (EN) PLASMA CVD DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CVD ASSISTÉ PAR PLASMA
(JA) プラズマCVD装置
要約:
(EN) Provided is a plasma CVD device that can suppress abnormal discharge even in cases where high voltages are used. This plasma CVD device (100) comprises: a chamber (61) that forms a plasma space; and an electric power introduction terminal (10) arranged in a terminal introduction hole (62) that penetrates a wall (61a) of the chamber (61). The electric power introduction terminal (10) includes: an insulator (21) having a through hole (22); and a rod-shaped electroconductive body (11) that is passed through the through hole (22). One end of the rod-shaped electroconductive body (11) is arranged inside the chamber (61), and the other end of the rod-shaped electroconductive body (11) is electrically connected to a power source (E) that supplies electric power into the chamber (61). The clearance between the inner wall surface (211) of the insulator (21) and the rod-shaped electroconductive body (11) is less than 2 mm. The distance from one end of the insulator (21) that is arranged in the plasma space within the chamber (61) to a contact point (221) between the insulator (21) and the rod-shaped electroconductive body (11) is greater than 10 mm.
(FR) La présente invention se rapporte à un dispositif de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma qui permet de supprimer une décharge anormale même dans des cas où des tensions élevées sont utilisées. Ce dispositif de CVD assisté par plasma (100) comprend : une chambre (61) qui forme un espace à plasma; et une borne d'introduction d'énergie électrique (10) disposée dans un trou (62) d'introduction de borne qui pénètre dans une paroi (61a) de la chambre (61). La borne d'introduction d'énergie électrique (10) comprend : un isolant (21) ayant un trou traversant (22); et un corps électroconducteur (11) en forme de tige qui est amené à passer dans le trou traversant (22). Une extrémité du corps électroconducteur (11) en forme de tige est disposée à l'intérieur de la chambre (61) et l'autre extrémité du corps électroconducteur (11) en forme de tige est électriquement reliée à une source d'énergie (E) qui apporte de l'énergie électrique dans la chambre (61). Le jeu entre la surface de paroi interne (211) de l'isolant (21) et le corps électroconducteur (11) en forme de tige est inférieur à 2 mm La distance entre une extrémité de l'isolant (21) qui est disposée dans l'espace à plasma à l'intérieur de la chambre (61) et un point de contact (221) entre l'isolant (21) et le corps électroconducteur (11) en forme de tige est supérieure à 10 mm
(JA)  高電圧を使用した場合においても異常放電を抑制することができるプラズマCVD装置を提供する。プラズマCVD装置100は、プラズマ空間を形成するチャンバー61と、チャンバー61の壁61aを貫通する端子導入孔62に配置される電力導入端子10と、を備え、電力導入端子10は、貫通孔22を有する碍子21と、貫通孔22に挿通される棒状導電体11と、を有し、棒状導電体11の一端はチャンバー61内に配置され、棒状導電体11の他端はチャンバー61内に電力を供給する電源Eと電気的に接続され、碍子21の内壁面211と棒状導電体11との隙間は2mm未満であり、碍子21におけるチャンバー61内のプラズマ空間に配置される一端から、碍子21と棒状導電体11との接点221までの距離は10mmより大きいことを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015141641CN106133190US20170096737