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1. (WO2015141620) 薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141620 国際出願番号: PCT/JP2015/057688
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 16.03.2015
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,C01B 31/02 (2006.01) ,H01B 1/04 (2006.01) ,H01B 5/02 (2006.01) ,H01L 31/0445 (2014.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 33/42 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0224
電極
C 化学;冶金
01
無機化学
B
非金属元素;その化合物
31
炭素;その化合物
02
炭素の製造;精製
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
1
導電材料によって特徴づけられる導体または導電物体;導体としての材料の選択
04
主としてカーボン―シリコン混和物,カーボンまたはシリコンからなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
5
形を特徴とする非絶縁導体または導電物体
02
単一棒,棹,線または片;母線
[IPC code unknown for H01L 31/0445]
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18
これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36
電極に特徴があるもの
40
材料
42
透明材料
出願人:
独立行政法人科学技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 埼玉県川口市本町四丁目1番8号 1-8, Honcho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012, JP
発明者:
石川 亮佑 ISHIKAWA, Ryosuke; JP
宮島 晋介 MIYAJIMA, Shinsuke; JP
小長井 誠 KONAGAI, Makoto; JP
代理人:
青木 篤 AOKI, Atsushi; JP
優先権情報:
2014-05540218.03.2014JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING THIN-FILM SOLAR CELL, AND THIN-FILM SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UNE CELLULE SOLAIRE À COUCHES MINCES, ET CELLULE SOLAIRE À COUCHES MINCES
(JA) 薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池
要約:
(EN) The degree of freedom of design of electronic elements such as highly-efficient multi-junction thin-film solar cells is improved as a consequence of creating electronic elements such as self-standing thin-film solar cells which do not need a support substrate by directly or indirectly peeling off multiple graphene layers, which are formed on a substrate, from the surface of said substrate without essentially losing the properties of the graphene layers. The present invention pertains to a method for producing a thin-film solar cell which contains: a first electrode containing a graphene layer; a semiconductor thin film; and a second electrode. Said method for producing a thin-film solar cell is characterized by producing a self-standing thin-film solar cell containing a semiconductor thin film by: forming multiple graphene layers on a substrate; forming the semiconductor thin film and the second electrode on the graphene layers; and directly or indirectly peeling off the graphene layers from the substrate to use the peeled graphene layers as the first electrode.
(FR) Selon l'invention, le degré de liberté de conception d'éléments électroniques, tels que des cellules solaires multijonction à couches minces hautement efficaces, est amélioré en raison de la création d'éléments électroniques, tels que des cellules solaires à couches minces autoportantes, qui n'ont pas besoin d'un substrat de support en enlevant directement ou indirectement de multiples couches de graphène, qui sont formées sur un substrat, de la surface dudit substrat sans perdre sensiblement les propriétés des couches de graphène. La présente invention se rapporte à un procédé de production d'une cellule solaire à couches minces qui contient : une première électrode contenant une couche de graphène ; un film mince semi-conducteur ; et une seconde électrode. Ledit procédé de production d'une cellule solaire à couches minces est caractérisé par la production d'une cellule solaire à couches minces autoportante contenant un film mince semi-conducteur en : formant de multiples couches de graphène sur un substrat ; formant le film mince semi-conducteur et la seconde électrode sur les couches de graphène ; et enlevant, directement ou indirectement, les couches de graphène du substrat pour utiliser les couches de graphène enlevées comme première électrode.
(JA)  基板上に形成した、複数のグラフェン層をその特性を実質に損なわないで、基板表面から直接または間接的に引き剥がすことにより、支持基板の不要な自立型薄膜太陽電池等の電子素子を作製することで、高効率な多接合薄膜太陽電池等の電子素子の設計の自由度を向上させる。本発明は、グラフェン層を含む第1電極;半導体薄膜;および第2電極を含んでなる薄膜太陽電池の製造において、基板上に複数のグラフェン層を形成すること、該グラフェン層上に半導体薄膜および第2電極を形成すること、ついでグラフェン層を基板から直接または間接的に引き剥がして、引き剥がされたグラフェン層を第1電極とすることにより、半導体薄膜を含む自立型薄膜太陽電池を製造することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法に関する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)