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1. (WO2015141468) 基板処理方法および基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141468 国際出願番号: PCT/JP2015/056362
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 04.03.2015
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
出願人:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者:
奥谷 学 OKUTANI, Manabu; JP
代理人:
松阪 正弘 MATSUSAKA, Masahiro; JP
優先権情報:
2014-05400317.03.2014JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
要約:
(EN) In this substrate processing apparatus, a substrate (9) is held with one main surface facing up. A pure water supply unit (184) supplies pure water to the upper surface of the substrate (9) and forms a liquid film of the pure water on the upper surface, and a cooling gas supply unit (187) supplies a cooling gas to the upper surface and freezes the liquid film. A solvent-containing gas supply unit (185) produces a solvent-containing gas that contains a vapor or mist of a solvent which is soluble in pure water and has a melting point lower than that of the pure water and a vapor pressure in a liquid state higher than that of the pure water, and continuously supplies this solvent-containing gas to the surface of the frozen film, which is the liquid film having been frozen. When the solvent-containing gas is supplied to the frozen film, the lower surface of the substrate (9) is cooled by means of a cooling plate. Consequently, only the surface of the frozen film is gradually melted and vaporized, so that the pure water on the substrate (9) is able to be dried, while suppressing the effect of surface tension of the pure water on a pattern on the substrate (9).
(FR) L'invention concerne un appareil de traitement de substrat dans lequel un substrat (9) est maintenu avec une surface principale tournée vers le haut. Une unité d'alimentation en eau pure (184) fournit de l'eau pure à la surface supérieure du substrat (9) et forme un film liquide de l'eau pure sur la surface supérieure et une unité d'alimentation en gaz de refroidissement (187) fournit un gaz de refroidissement à la surface supérieure et congèle le film de liquide. Un unité d'alimentation en gaz contenant un solvant (185) produit un gaz contenant un solvant qui contient une vapeur ou une brume d'un solvant qui est soluble dans l'eau pure et présente un point de fusion inférieur à celui de l'eau pure et une pression de vapeur dans un état liquide supérieure à celle de l'eau pure, et fournit en continu ce gaz contenant un solvant à la surface du film congelé, qui est le film liquide qui a été congelé. Lorsque le gaz contenant un solvant est fourni au film congelé, la surface inférieure du substrat (9) est refroidie au moyen d'une plaque de refroidissement. Par conséquent, seule la surface du film congelé est petit à petit fondue et vaporisée de telle sorte que l'eau pure sur le substrat (9) puisse être séchée tout en supprimant l'effet de la tension superficielle de l'eau pure sur un motif formé sur le substrat (9).
(JA)  基板処理装置では、一方の主面を上側に向けた状態で基板(9)が保持される。純水供給部(184)は、基板(9)の上面に純水を供給して上面上に純水の液膜を形成し、冷却ガス供給部(187)は、冷却ガスを上面に供給して液膜を凍結させる。溶剤含有ガス供給部(185)は、純水に対する可溶性を有し、融点が純水よりも低く、かつ、液体状態における蒸気圧が純水よりも高い溶剤の蒸気またはミストを含む溶剤含有ガスを生成し、凍結した液膜である凍結膜の表面に連続的に供給する。溶剤含有ガスを凍結膜に供給する際に、冷却プレートにより基板(9)の下面が冷却される。これにより、凍結膜の表面のみが徐々に融解して気化し、基板(9)上のパターンに対する純水の表面張力の影響を抑制しつつ、基板(9)上の純水を乾燥させることができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)