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1. (WO2015141443) 化合物半導体太陽電池セルおよび化合物半導体太陽電池セルの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141443 国際出願番号: PCT/JP2015/055823
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 27.02.2015
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/0693 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0224
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
068
電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの,例.バルクシリコンPNホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンPNホモ接合太陽電池
0693
ドーピング材料または他の不純物は別として,AIIIBV化合物のみを含む装置,例.GaAsまたはInP太陽電池
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP
発明者:
鷲尾 英俊 WASHIO, Hidetoshi; null
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2014-05513418.03.2014JP
発明の名称: (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
(JA) 化合物半導体太陽電池セルおよび化合物半導体太陽電池セルの製造方法
要約:
(EN) This compound semiconductor soar cell is provided with a cell main body (21) that has at least one PN junction and an electrode (13b) that is formed on a main surface of the cell main body (21). When the main surface of the cell main body (21) is viewed in plan, the electrode (13b) is arranged in a position where the electrode does not overlap any one of pinholes (31) that are formed in the main surface of the cell main body (21).
(FR) L'invention porte sur une cellule solaire à semi-conducteur composé qui comporte un corps principal de cellule (21) qui a au moins une jonction PN et une électrode (13b) qui est formée sur une surface principale du corps principal de cellule (21). Lorsque la surface principale du corps principal de cellule (21) est vue en plan, l'électrode (13b) est agencée dans une position où l'électrode ne chevauche pas l'un quelconque de trous d'épingle (31) qui sont formés dans la surface principale du corps principal de cellule (21).
(JA)  化合物半導体太陽電池セルは、少なくとも1つのPN接合を有するセル本体(21)と、セル本体(21)の主面上に形成された電極(13b)とを備えている。セル本体(21)の主面の平面視において、電極(13b)は、セル本体(21)の主面に形成されているすべてのピンホール(31)と重複しない位置に配置されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)