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1. (WO2015141356) 光電変換素子およびそれを用いた光電変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141356 国際出願番号: PCT/JP2015/054314
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 17.02.2015
予備審査請求日: 21.08.2015
IPC:
H01L 31/10 (2006.01) ,G01J 1/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
G 物理学
01
測定;試験
J
赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1
測光,例.写真の露出計
02
細部
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP
発明者:
瀧本 貴博 TAKIMOTO, Takahiro; null
夏秋 和弘 NATSUAKI, Kazuhiro; null
内田 雅代 UCHIDA, Masayo; null
内橋 正明 UCHIHASHI, Masaaki; null
粟屋 信義 AWAYA, Nobuyoshi; null
石原 数也 ISHIHARA, Kazuya; null
中野 貴司 NAKANO, Takashi; null
名倉 満 NAKURA, Mitsuru; null
代理人:
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
優先権情報:
2014-05538518.03.2014JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE USING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE L'UTILISANT
(JA) 光電変換素子およびそれを用いた光電変換装置
要約:
(EN) This photoelectric conversion element (10) is provided with: a P-type or N-type semiconductor substrate (11); an N-type or P-type semiconductor layer (12) which is formed within the semiconductor substrate (11) and forms a PN junction with the semiconductor substrate (11); and anti-reflection films (13, 14) which are formed on the semiconductor layer (12). For the purpose of suppressing reflection of light within the wavelength range from 200 nm to 400 nm, the anti-reflection film has a lower reflectance for the above-described wavelength range than for the other wavelength ranges. In addition, for the purpose of suppressing absorption of light within the wavelength range from 200 nm to 400 nm, the anti-reflection film comprises a first insulating film (14) that has an extinction coefficient of 0.01 or less for the above-described wavelength range.
(FR) Cet élément de conversion photoélectrique (10) selon l'invention est pourvu : d'un substrat semi-conducteur de type P ou de type N (11) ; d'une couche semi-conductrice de type N ou de type P (12) qui est formée à l'intérieur du substrat semi-conducteur (11) et forme une jonction PN avec le substrat semi-conducteur (11) ; et des films antireflet (13, 14) qui sont formés sur la couche semi-conductrice (12). Dans le but de supprimer la réflexion de la lumière à l'intérieur de la plage de longueurs d'onde de 200 nm à 400 nm, le film antireflet a une réflectance inférieure pour la plage de longueurs d'onde indiquée ci-dessus que pour les autres plages de longueurs d'onde. En outre, dans le but de supprimer l'absorption de la lumière à l'intérieur de la plage de longueurs d'onde de 200 nm à 400 nm, le film antireflet comprend un premier film isolant (14) qui a un coefficient d'extinction de 0,01 ou moins pour la plage de longueurs d'onde indiquée ci-dessus.
(JA)  光電変換素子(10)は、P型またはN型の半導体基板(11)と、半導体基板(11)内に形成され、半導体基板(11)とPN接合を形成するN型またはP型の半導体層(12)と、半導体層(12)の上に形成された反射防止膜(13,14)とを備える。反射防止膜は、200nm~400nmの波長領域の光の反射を抑制すべく、この波長領域に対する反射率が他の波長領域に対する反射率よりも低い。また、反射防止膜は、200nm~400nmの波長領域の光吸収を抑制すべく、この波長領域に対する消衰係数が0.01以下である第1の絶縁膜(14)を含んでいる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)