国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015141344) セラミック配線基板および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141344 国際出願番号: PCT/JP2015/053993
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 13.02.2015
IPC:
H01L 23/13 (2006.01) ,H05K 1/09 (2006.01) ,H05K 1/11 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
13
形状に特徴のあるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
1
印刷回路
02
細部
09
金属パターンのための材料の使用
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
1
印刷回路
02
細部
11
印刷回路への,または印刷回路間の電気的接続のための印刷要素
出願人:
株式会社アライドマテリアル A.L.M.T. CORP. [JP/JP]; 東京都港区芝一丁目11番11号 11-11, Shiba 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050014, JP
発明者:
広瀬 義幸 HIROSE, Yoshiyuki; JP
杉谷 幸愛 SUGITANI, Sachie; JP
胡間 紀人 GOMA, Norihito; JP
豊嶋 剛平 TOYOSHIMA, Gouhei; JP
上西 昇 UENISHI, Noboru; JP
代理人:
稲岡 耕作 INAOKA, Kosaku; JP
優先権情報:
2014-05676019.03.2014JP
発明の名称: (EN) CERAMIC WIRING BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CARTE DE CONNEXION CÉRAMIQUE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) セラミック配線基板および半導体装置
要約:
(EN) [Problem] To provide a ceramic wiring board having a high degree of reliability with low susceptibility to cracking due to heat load and temperature cycles and peeling of a metalization layer and a solder layer, and to provide a semiconductor device. [Solution] In the present invention, a ceramic wiring board is obtained by filling an up/down conduction hole formed through a ceramic board in the direction of thickness thereof with an up/down conductor comprising a composite material containing at least one low resistance metal selected from the group consisting of Cu, Ag, and Au, and at least one high melting point metal selected from the group consisting of W and Mo, the residual stress being 100 MPa or less. In a semiconductor device of the present invention, a semiconductor element is installed on the ceramic wiring board.
(FR) Le but de l'invention est de fournir une carte de connexion céramique ayant un degré élevé de fiabilité avec une faible tendance à la fissuration causée par une charge thermique et des cycles de température et au pelage d'une couche de métallisation et d'une couche de soudure, et de fournir un dispositif semi-conducteur. Selon la présente invention, une carte de connexion céramique est obtenue par remplissage d'un trou de conduction vers le haut/vers le bas formé à travers une carte en céramique dans sa direction d'épaisseur avec un conducteur vers le haut/vers le bas comprenant un matériau composite contenant au moins un métal à faible résistance sélectionné parmi le groupe consistant en Cu, Ag et Au, et au moins un métal à point de fusion élevé sélectionné par le groupe consistant en W et Mo, la contrainte résiduelle étant de 100 MPa ou moins. Dans un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, un élément semi-conducteur est installé sur la carte de connexion céramique.
(JA) 【課題】熱負荷や温度サイクルによってクラックを生じたり、メタライズ層や半田層が剥離したりしにくく信頼性の高いセラミック配線基板、および半導体装置を提供する。 【解決手段】セラミック配線基板は、セラミック製の基板の厚み方向を貫通させて形成した上下導通孔に、Cu、Ag、およびAuからなる群より選ばれた少なくとも1種の低抵抗金属と、W、およびMoからなる群より選ばれた少なくとも1種の高融点金属とを含む複合材料からなる上下導通体を充填してなり、残留応力を100MPa以下とした。半導体装置は、当該セラミック配線基板に半導体素子を搭載した。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JP2015195408JPWO2015141344