16:00 CETの火曜日 19.11.2019のメンテナンス理由で数時間使用できません
国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015141338) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141338 国際出願番号: PCT/JP2015/053801
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 12.02.2015
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0224
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
岡本 親扶 OKAMOTO, Chikao; null
木本 賢治 KIMOTO, Kenji; null
國吉 督章 KUNIYOSHI, Tokuaki; null
酒井 敏彦 SAKAI, Toshihiko; null
常深 剛 TSUNEMI, Takeshi; null
優先権情報:
2014-05513018.03.2014JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
要約:
(EN) This invention provides a photoelectric conversion element and a manufacturing method therefor that make it possible to improve characteristics thereof and the reliability thereof. Said photoelectric conversion element is provided with a first i-type semiconductor film (2) and a first-conductivity-type semiconductor film (3) on part of the surface of a semiconductor substrate (1) and is provided with a second i-type semiconductor film (4) and a second-conductivity-type semiconductor film (5) on another part of the surface of the semiconductor substrate. An electrode (11) for the first conductivity type is provided on top of the first-conductivity-type semiconductor film (3), and an electrode (12) for the second conductivity type is provided on top of the second-conductivity-type semiconductor film (5). One end of the second i-type semiconductor film (4) is positioned above one end of the first-conductivity-type semiconductor film (3), and an intervening layer (8) is provided between said end of the first-conductivity-type semiconductor film (3) and said end of the second i-type semiconductor film (4).
(FR) La présente invention porte sur un élément de conversion photoélectrique et sur son procédé de fabrication qui rendent possible le fait d'améliorer les caractéristiques de ce dernier et la fiabilité de ce dernier. Ledit élément de conversion photoélectrique comporte un premier film de semi-conducteur de type i (2) et un film de semi-conducteur d'un premier type de conductivité (3) sur une partie de la surface d'un substrat de semi-conducteur (1) et comporte un second film de semi-conducteur de type i (4) et un film de semi-conducteur d'un second type de conductivité (5) sur une autre partie de la surface du substrat de semi-conducteur. Une électrode (11) pour le premier type de conductivité est disposée sur la partie supérieure du film de semi-conducteur du premier type de conductivité (3), et une électrode (12) pour le second type de conductivité est disposée sur la partie supérieure du film de semi-conducteur du second type de conductivité (5). Une extrémité du second film de semi-conducteur de type i (4) est positionnée au-dessus d'une extrémité du film de semi-conducteur du premier type de conductivité (3), et une couche intermédiaire (8) est disposée entre ladite extrémité du film de semi-conducteur du premier type de conductivité (3) et ladite extrémité du second film de semi-conducteur de type i (4).
(JA) 特性および信頼性を向上させることが可能な光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供する。光電変換素子は、半導体基板1の一方の表面の一部に第1のi型半導体膜2と第1導電型半導体膜3とを備え、半導体基板の表面の他の一部に第2のi型半導体膜4と第2導電型半導体膜5とを備えている。第1導電型半導体膜3上には第1導電型用電極層11が設けられており、第2導電型半導体膜5上には第2導電型用電極層12が設けられている。第1導電型半導体膜3の一端上に第2のi型半導体膜4の一端が位置している。第1導電型半導体膜3の一端と第2のi型半導体膜4の一端との間に介在層8を備えている。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)