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1. (WO2015141327) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141327 国際出願番号: PCT/JP2015/053492
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 09.02.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/41 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
41
その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
41
その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
417
整流,増幅またはスイッチされる電流を流すもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
70
バイポーラ装置
72
トランジスタ型装置,すなわち,供給される制御信号に連続的に応答できるもの
739
電界効果により制御されるもの
出願人:
富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
発明者:
小野澤 勇一 ONOZAWA, Yuichi; JP
田村 隆博 TAMURA, Takahiro; JP
代理人:
酒井 昭徳 SAKAI, Akinori; JP
優先権情報:
2014-05661019.03.2014JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) In an active region, a MOS gate structure of a trench gate type is provided on the substrate top side and a floating p-type region (9) is provided in a mesa region between trenches (2). A groove (10) is provided in a surface layer on the substrate top side of the floating p-type region (9), apart from the trenches (2). Inside the groove (10), a second gate electrode (12) is provided through an insulating layer (11) such as, for example, LOCOS. The second gate electrode (12) covers the surface on the substrate top side of the floating p-type region (9). That is, the second gate electrode (12) is disposed between the floating p-type region (9) and an interlayer insulating film (8) so as to be buried in the surface layer on the substrate top side of the floating p-type region (9), so that the substrate front surface is planarized. This makes it possible to enhance the controllability of turn-on di/dt, reduce the Miller capacity, and form a fine pattern element structure.
(FR) Dans une région active, une structure de porte MOS d’un type de porte à tranchées est disposée sur le côté supérieur de substrat et une région de type p flottante (9) est disposée dans une région mesa entre les tranchées (2). Une rainure (10) est disposée dans une couche superficielle située sur le côté supérieur de substrat de la région de type p flottante (9), à l’écart des tranchées (2). À l’intérieur de la rainure (10), une deuxième électrode de porte (12) est disposée à travers une couche isolante (11) telle que, par exemple, une couche LOCOS. La deuxième électrode de porte (12) recouvre la surface sur le côté supérieur de substrat de la région de type p flottante (9). Cela signifie que la deuxième électrode de porte (12) est disposée entre la région de type p flottante (9) et un film isolant de couche intermédiaire (8) de façon à être enfouie dans la couche superficielle située sur le côté supérieur de substrat de la région de type p flottante (9), ce qui rend plane la surface avant du substrat. On peut ainsi améliorer la possibilité de commander le di/dt d’activation, réduire la capacité de Miller et former une structure d’élément à motifs fins.
(JA)  活性領域において、基板おもて面側にはトレンチゲート型のMOSゲート構造が設けられ、トレンチ(2)間のメサ領域にフローティングp型領域(9)が設けられている。フローティングp型領域(9)の、基板おもて面側の表面層には、トレンチ(2)と離れて、溝(10)が設けられている。溝(10)の内部には、LOCOSなどの絶縁層(11)を介して第2ゲート電極(12)が設けられている。第2ゲート電極(12)は、フローティングp型領域(9)の、基板おもて面側の表面を覆う。すなわち、第2ゲート電極(12)は、フローティングp型領域(9)と層間絶縁膜(8)との間において、フローティングp型領域(9)の基板おもて面側の表面層に埋め込まれるように配置され、基板おもて面が平坦化されている。このようにすることで、ターンオンdi/dtの制御性が高く、ミラー容量が小さく、かつ微細パターンの素子構造を形成することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN105531827US20160197171DE112015000140