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1. (WO2015141326) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141326 国際出願番号: PCT/JP2015/053475
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 09.02.2015
IPC:
H01L 31/0236 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0236
特別の表面構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
松本 雄太 MATSUMOTO, Yuta; null
稗田 健 HIEDA, Takeshi; null
神川 剛 KAMIKAWA, Takeshi; null
木本 賢治 KIMOTO, Kenji; null
優先権情報:
2014-05864420.03.2014JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
要約:
(EN) Provided are: a photoelectric conversion element which has improved characteristics and reliability in comparison to conventional photoelectric conversion elements; and a method for producing a photoelectric conversion element. This photoelectric conversion element is provided with: a first recessed and projected pattern (8) and a second recessed and projected pattern (9), which are provided in one surface of a semiconductor substrate (1); a first i-type semiconductor film (2) and a first conductivity type semiconductor film (3), which are provided on the first recessed and projected pattern (8); a second i-type semiconductor film (4) and a second conductivity type semiconductor film (5), which are provided on the second recessed and projected pattern (9); an electrode layer (11) for the first conductivity type, which is provided on the first conductivity type semiconductor film (3); and an electrode layer (12) for the second conductivity type, which is provided on the second conductivity type semiconductor film (5). The first recessed and projected pattern (8) and the second recessed and projected pattern (9) have different shapes.
(FR) L'invention concerne : un élément de conversion photoélectrique qui présente des caractéristiques et une fiabilité améliorées par rapport aux éléments de conversion photoélectrique classiques; et un procédé de fabrication d'un élément de conversion photoélectrique. Ledit élément de conversion photoélectrique comprend : un premier motif en creux et en saillies (8) et un second motif en creux et en saillies (9), qui sont situés dans une surface d'un substrat semi-conducteur (1); un premier film semi-conducteur de type i (2) et un film semi-conducteur d'un premier type de conductivité (3) qui sont disposés sur le premier motif en creux et en saillies (8); un second film semi-conducteur de type i (4) et un film semi-conducteur d'un second type de conductivité (5), qui sont disposés sur le second motif en creux et en saillies (9); une couche d'électrode (11) pour le premier type de conductivité, qui est disposée sur le film semi-conducteur d'un premier type de conductivité (3); et une couche d'électrode (12) pour le second type de conductivité, qui est disposée sur le film semi-conducteur d'un second type de conductivité (5). Le premier motif en creux et en saillies (8) et le second motif en creux et en saillies (9) ont des formes différentes.
(JA) 従来よりも特性および信頼性を向上させることが可能な光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供する。光電変換素子は、半導体基板1の一方の表面に設けられた第1の凹凸8および第2の凹凸9と、第1の凹凸8上に設けられた第1のi型半導体膜2および第1導電型半導体膜3と、第2の凹凸9上に設けられた第2のi型半導体膜4および第2導電型半導体膜5と、第1導電型半導体膜3上に設けられた第1導電型用電極層11と、第2導電型半導体膜5上に設けられた第2導電型用電極層12とを備えており、第1の凹凸8と第2の凹凸9とは形状が異なっている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)