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1. (WO2015141306) 不揮発性記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141306 国際出願番号: PCT/JP2015/052995
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 03.02.2015
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01) ,G11C 11/15 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
02
磁気的素子を用いるもの
14
薄膜素子を用いるもの
15
多層の磁性層を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人:
株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001, JP
発明者:
才田 大輔 SAIDA, Daisuke; JP
下村 尚治 SHIMOMURA, Naoharu; JP
代理人:
日向寺 雅彦 HYUGAJI, Masahiko; JP
優先権情報:
2014-05836620.03.2014JP
発明の名称: (EN) NON-VOLATILE STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE NON-VOLATILE
(JA) 不揮発性記憶装置
要約:
(EN) A non-volatile storage device containing a laminate and a control unit is provided. The laminate comprises a first ferromagnetic layer that has a fixed direction of magnetization, a second ferromagnetic layer, and a first non-magnetic layer provided between the first and second ferromagnetic layers. The second ferromagnetic layer has a first section that is laminated to the first ferromagnetic layer and has a variable direction of magnetization and a second section that is laminated to the first section and has a variable direction of magnetization. The magnetic-resonance frequency of the first section is different from that of the second section. The control unit is electrically connected to the laminate and sends a pulse current therethrough during a first period, said pulse current having a magnitude equal to a first value. The directions of magnetization of the first and second sections face directions corresponding to the orientation of the pulse current. The length of the first period is 0.9 to 1.1 times the absolute value of an odd multiple of the reciprocal of the magnetic-resonance frequency of the second ferromagnetic layer as a whole.
(FR) L'invention porte sur un dispositif de stockage non-volatile contenant un stratifié et une unité de commande. Le stratifié comprend une première couche ferromagnétique qui a une direction fixe d'aimantation, une seconde couche ferromagnétique, et une première couche non magnétique disposée entre les première et seconde couches ferromagnétiques. La seconde couche ferromagnétique a une première section qui est stratifiée sur la première couche ferromagnétique et a une direction d'aimantation variable et une seconde section qui est stratifiée sur la première section et a une direction d'aimantation variable. La fréquence de résonance magnétique de la première section est différente de celle de la seconde section. L'unité de commande est électriquement reliée au stratifié et envoie un courant d'impulsion à travers ce dernier pendant une première période, ledit courant d'impulsion ayant une amplitude égale à une première valeur. Les directions d'aimantation des première et seconde sections font face à des directions correspondant à l'orientation du courant d'impulsion. La longueur de la première période est de 0,9 à 1,1 fois la valeur absolue d'un multiple impair de l'inverse de la fréquence de résonance magnétique de la seconde couche ferromagnétique dans l'ensemble.
(JA)  積層体と制御部とを含む不揮発性記憶装置が提供される。積層体は、磁化の方向が固定された第1強磁性層と、第2強磁性層と、第1強磁性層と第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層とを含む。第2強磁性層は、第1強磁性層と積層され、磁化の方向が可変の第1部分と、第1部分と積層され磁化の方向が可変の第2部分と、を含む。第1部分の磁気共鳴周波数は、第2部分の磁気共鳴周波数とは異なる。制御部は、積層体と電気的に接続され、第1期間において積層体に第1値の大きさのパルス電流を流す。第1部分及び第2部分の磁化の方向は、パルス電流の向きに応じた方向に向く。第1期間の長さは、第2強磁性層全体の磁気共鳴周波数の逆数の奇数倍の絶対値の0.9倍以上1.1倍以下である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)