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1. (WO2015141230) 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、反射型フォトマスクの製造方法、露光方法及び露光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141230 国際出願番号: PCT/JP2015/001543
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 19.03.2015
IPC:
G03F 1/24 (2012.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
22
100nm以下の波長の放射によって画像化するためのマスク又はマスクブランク,例.X線マスク,極端紫外マスク;その準備
24
反射マスク;その準備
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
出願人:
凸版印刷株式会社 TOPPAN PRINTING CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都台東区台東一丁目5番1号 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1100016, JP
発明者:
西山 泰史 NISHIYAMA, Yasushi; JP
代理人:
廣瀬 一 HIROSE, Hajime; JP
優先権情報:
2014-05786820.03.2014JP
2014-17022925.08.2014JP
発明の名称: (EN) REFLECTIVE PHOTOMASK BLANK, REFLECTIVE PHOTOMASK, REFLECTIVE PHOTOMASK PRODUCTION METHOD, EXPOSURE METHOD, AND EXPOSURE DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE PHOTOGRAPHIQUE RÉFLÉCHISSANT, MASQUE PHOTOGRAPHIQUE RÉFLÉCHISSANT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE PHOTOGRAPHIQUE RÉFLÉCHISSANT, PROCÉDÉ D'EXPOSITION ET DISPOSITIF D'EXPOSITION
(JA) 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、反射型フォトマスクの製造方法、露光方法及び露光装置
要約:
(EN) Provided is a reflective photomask blank that, during production of reflective photomasks, is capable: of reducing position displacement of transfer patterns caused by compressive stress of a reflective multi-layer film even if the reflective multi-layer film in the vicinity of the pattern area is removed and a light-shielding frame is formed; and of improving positional accuracy of an image being transferred. This reflective photomask blank (502) has the reflective multi-layer film (20) and an absorption film (30) provided layered in said order, on one surface of a substrate (10), and a conductive film (50) provided on the other surface of the substrate (10). A fiducial mark (42) and a position measurement mark (34) are provided on an outer circumference section of the reflective photomask blank (502). The position measurement mark (34) is used to correct the effect of stress released when the light-shielding frame is formed.
(FR) La présente invention se rapporte à une ébauche de masque photographique réfléchissant qui, pendant la fabrication de masques photographiques réfléchissants, est capable : de réduire le déplacement de position de motifs de transfert provoqué par une contrainte de compression d'un film multicouche réfléchissant même si le film multicouche réfléchissant dans le voisinage de la zone de motif est retiré et un cadre de protection contre la lumière est formé ; et d'améliorer la précision de position d'une image étant transférée. Cette ébauche de masque photographique réfléchissant (502) présente le film multicouche réfléchissant (20) et un film d'absorption (30) disposés en couches dans ledit ordre, sur une surface d'un substrat (10), et un film conducteur (50) disposé sur l'autre surface du substrat (10). Un repère de centrage (42) et un repère de mesure de position (34) sont prévus sur une section de circonférence extérieure de l'ébauche de masque photographique réfléchissant (502). Le repère de mesure de position (34) est utilisé pour corriger l'effet de la contrainte libérée lorsque le cadre de protection contre la lumière est formé.
(JA)  反射型フォトマスクの製造において、パターン領域の周囲にある反射多層膜を除去して遮光枠を形成した場合であっても反射多層膜の圧縮応力に起因する転写パターンの位置ずれ量を低減し、転写される像の位置精度の向上を図ることができる反射型フォトマスクブランクを提供する。本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランク(502)は、基板(10)の一方の面に、反射多層膜(20)と吸収膜(30)とをこの順に重ねて設け、基板(10)の他方の面に導電膜(50)を設けた反射型フォトマスクブランクであって、反射型フォトマスクブランク(502)の外周部に、フィデュシャルマーク(42)と位置計測マーク(34)とを設け、位置計測マーク(34)は、遮光枠を形成した際に生じる応力開放起因による影響を補正するために利用されるものである。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)