国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015141212) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141212 国際出願番号: PCT/JP2015/001440
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 16.03.2015
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
出願人:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
発明者:
利田 祐麻 KAGATA, Yuma; JP
赤木 望 AKAGI, Nozomu; JP
代理人:
金 順姫 KIN, Junhi; JP
優先権情報:
2014-05806020.03.2014JP
2014-25639618.12.2014JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device having a super-junction (SJ) structure, for which output capacity loss is reduced and an increase in recovery noise and surge voltage is also suppressed. A first conductivity type region (6) forming a non-depleted layer region when the voltage between a first electrode (13) and a second electrode (12) is zero is provided to at least either a second conductivity type column region (3) or to a semiconductor layer (4) located above the second conductivity type column region (3). The semiconductor device is configured such that when the voltage between the first electrode (13) and the second electrode (12) is a prescribed voltage, a depleted layer (14), which is formed on the boundary between the first conductivity type column region (2) and the second conductivity type column region (3) and a second conductivity type layer (4), and a depleted layer (14), which is formed between the first conductivity type region (6) and the boundary of the region in which the first conductivity type region (6) is formed, are linked to each other.
(FR) L’objet de la présente invention est de produire un dispositif semi-conducteur comportant une structure de superjonction (SJ), pour laquelle la perte de capacité de sortie est réduite et un accroissement du bruit de récupération et de la tension de surcharge est aussi supprimé. Une zone (6) d’un premier type de conductivité formant une zone de couche non appauvrie quand la tension entre une première électrode (13) et une seconde électrode (12) est nulle est installée au moins sur une zone en colonne (3) d’un second type de conductivité ou sur une couche semi-conductrice (4) située au-dessus de la zone en colonne (3) du second type de conductivité. Le dispositif semi-conducteur est conçu de telle sorte que quand la tension entre la première électrode (13) et la seconde électrode (12) est une tension prédéfinie, une couche appauvrie (14), laquelle est formée sur la limite entre la zone en colonne (2) du premier type de conductivité et la zone en colonne (3) du second type de conductivité et une couche (4) du second type de conductivité, et une couche appauvrie (14), laquelle est formée entre la zone (6) du premier type de conductivité et la limite de la zone dans laquelle la zone (6) du premier type de conductivité est formée, sont liées l’une à l’autre.
(JA)  SJ構造を有する半導体装置において、出力容量損失を低減しつつ、リカバリノイズやサージ電圧の増加も抑制する。第2導電型カラム領域(3)および第2導電型カラム領域(3)上に位置する半導体層(4)の少なくともいずれか一方に、第1電極(13)と第2電極(12)との間の電圧が0であるときに非空乏層領域を有する第1導電型領域(6)を設ける。そして、第1電極(13)と第2電極(12)との間の電圧が所定電圧であるとき、第1導電型カラム領域(2)と第2導電型カラム領域(3)および第2導電型層(4)との界面に形成される空乏層(14)と、第1導電型領域(6)と当該第1導電型領域(6)が形成される領域の界面との間に形成される空乏層(14)とが繋がるようにする。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106104808DE112015001353US20170018642