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1. (WO2015141078) マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141078 国際出願番号: PCT/JP2014/082500
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 09.12.2014
IPC:
G03F 1/32 (2012.01) ,G03F 1/58 (2012.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26
位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
32
減衰PSM,例.ハーフトーンPSM又は半透明な位相シフト部を有するPSM;その準備
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
54
吸収材,例.不透明な材料
58
2つ以上の異なる吸収材層,例.積層された複数層の吸収材
出願人:
HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区西新宿六丁目10番1号 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347, JP
発明者:
小湊 淳志 KOMINATO, Atsushi; JP
宍戸 博明 SHISHIDO, Hiroaki; JP
打田 崇 UCHIDA, Takashi; JP
代理人:
永田 豊 NAGATA, Yutaka; JP
優先権情報:
2014-05509918.03.2014JP
発明の名称: (EN) MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) MASQUE VIERGE, MASQUE DE DÉPHASAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided are: a phase shift mask which has a thinner light-blocking film, while having solved the problem of ArF light resistance, in cases where a transition metal silicide material is used for the light-blocking film; and a mask blank which is used for the purpose of producing this phase shift mask. A mask blank (10) having a phase shift film (2) and a light-blocking film (4) on a light-transmitting substrate (1), wherein the phase shift film (2) is formed of a material having ArF light resistance and at least one layer of the light-blocking film (4) is formed of a material that contains a transition metal, silicon and nitrogen and satisfies the condition of formula (1) below. CN ≤ 9.0 × 10-6 × RM4 - 1.65 × 10-4 × RM3 - 7.718 × 10-2 × RM2 + 3.611 × RM - 21.084 Formula (1) In this connection, RM represents the ratio of the transition metal content to the total of the transition metal content and the silicon content in the above-described one layer, and CN represents the nitrogen content in the above-described one layer.
(FR) La présente invention porte sur : un masque de déphasage qui a un film de blocage de lumière plus mince, tout en ayant résolu le problème de résistance à la lumière ArF, dans des cas où un matériau de siliciure de métal de transition est utilisé pour le film de blocage de lumière ; et un masque vierge qui est utilisé dans le but de produire ce masque de déphasage. Un masque vierge (10) ayant un film de déphasage (2) et un film de blocage de lumière (4) sur un substrat d'émission de lumière (1), le film de déphasage (2) étant formé en un matériau ayant une résistance à la lumière ArF et au moins une couche du film de blocage de lumière (4) étant formée en un matériau qui contient un métal de transition, du silicium et de l'azote et satisfait à la condition de la formule (1) ci-dessous. CN ≤ 9.0 × 10-6 × RM 4 - 1.65 × 10-4 × RM 3 - 7.718 × 10-2 × RM 2 + 3.611 × RM - 21.084 Formule (1). Dans cette connexion, RM représente le rapport du contenu de métal de transition sur le total du contenu de métal de transition et le contenu de silicium dans la couche décrite ci-dessus, et CN représente le contenu d'azote dans la couche décrite ci-dessus.
(JA)  遮光膜に遷移金属シリサイド系材料を用いる場合において、遮光膜の薄膜化が図られ、且つ、ArF耐光性の問題もクリアすることが可能な位相シフトマスク及びこれを作製するためのマスクブランクの提供。 透光性基板1上に、位相シフト膜2、遮光膜4を有するマスクブランク10であって、位相シフト膜2をArF耐光性を有する材料で形成し、遮光膜4の少なくとも1つの層を、遷移金属、ケイ素および窒素を含有し、かつ以下の式(1)の条件を満たす材料によって形成する。 C≦9.0×10-6×R-1.65×10-4×R-7.718×10-2×R+3.611×R-21.084・・・式(1) ただし、Rは、前記1つの層における遷移金属およびケイ素の合計含有量に対する遷移金属の含有量の比率であり、Cは、前記1つの層における窒素の含有量。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JP2016021075KR1020160096727US20160377975JPWO2015141078KR1020170084356US20180180987