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1. (WO2015141064) 窒化ガリウム結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141064 国際出願番号: PCT/JP2014/081363
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 27.11.2014
IPC:
C30B 29/38 (2006.01) ,C30B 19/04 (2006.01) ,C30B 19/06 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19
液相エピタキシャル成長
02
溶融溶媒を用いるもの,例.フラックス
04
溶媒が結晶組成の一成分であるもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19
液相エピタキシャル成長
06
反応室;融液支持用ボート;基板保持体
出願人:
株式会社リコー RICOH COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 3-6, Nakamagome 1-chome, Ohta-ku, Tokyo 1438555, JP (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
佐藤 隆 SATOH, Takashi [JP/JP]; JP (US)
皿山 正二 SARAYAMA, Seiji [JP/JP]; JP (US)
林 昌弘 HAYASHI, Masahiro [JP/JP]; JP (US)
三好 直哉 MIYOSHI, Naoya [JP/JP]; JP (US)
木村 千春 KIMURA, Chiharu [JP/JP]; JP (US)
和田 純一 WADA, Junichi [JP/JP]; JP (US)
発明者:
佐藤 隆 SATOH, Takashi; JP
皿山 正二 SARAYAMA, Seiji; JP
林 昌弘 HAYASHI, Masahiro; JP
三好 直哉 MIYOSHI, Naoya; JP
木村 千春 KIMURA, Chiharu; JP
和田 純一 WADA, Junichi; JP
代理人:
酒井 宏明 SAKAI, Hiroaki; JP
優先権情報:
2014-05447018.03.2014JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CRISTAL DE NITRURE DE GALLIUM
(JA) 窒化ガリウム結晶の製造方法
要約:
(EN) A process for producing a gallium nitride crystal which includes a growth step in which nitrogen is dissolved in a mixed melt comprising gallium and sodium to grow a gallium nitride crystal (5) and a recovery step in which an alloy (51) comprising gallium and sodium is reacted with a liquid (52) that ionizes the sodium, thereby separating sodium ions and gallium (55) from the alloy (51), and the separated gallium (55) is recovered.
(FR) Cette invention concerne un procédé de production d'un cristal de nitrure de gallium qui comprend une étape de croissance consistant à dissoudre de l'azote dans une masse fondue mixte constituée de gallium et de sodium pour faire croître un cristal de nitrure de gallium (5) et une étape de récupération consistant à faire réagir un alliage (51) comprenant du gallium et du sodium avec un liquide (52) qui ionise le sodium, pour séparer ainsi les ions sodium et le gallium (55) de l'alliage (51), le gallium (55) séparé étant récupéré.
(JA)  窒化ガリウム結晶の製造方法は、ガリウムとナトリウムを含む混合融液に窒素を溶解させて窒化ガリウム結晶5を成長させる成長工程と、ガリウムとナトリウムからなる合金51と、ナトリウムをイオン化させる液体52とを反応させることにより、合金51からナトリウムイオンとガリウム55を分離し、分離されたガリウム55を回収する回収工程とを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106103816EP3121311US20170022629JPWO2015141064