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1. (WO2015141015) 基本素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/141015 国際出願番号: PCT/JP2014/059380
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 17.03.2014
IPC:
B82B 1/00 (2006.01) ,B82Y 30/00 (2011.01) ,H01J 1/304 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
B
個別の原子,分子,または限られた数の原子または分子の集合を区別された単位として操作しながら形成されたナノ構造;その製造または処理
1
個別の原子,分子,または,限られた数の原子または分子の集合を区別された単位として操作しながら形成されたナノ構造
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
Y
ナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理
30
材料または表面科学のためのナノテクノロジー,例.ナノ複合材料
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
1
電子管または放電ランプの2以上の基本的な型に共通な電極,磁気制御手段,スクリーンあるいはそれらのマウントまたは間隔保持の細部
02
主電極
30
冷陰極
304
電界放射陰極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
出願人:
馬淵 眞人 MABUCHI, Mahito [JP/JP]; JP
発明者:
馬淵 眞人 MABUCHI, Mahito; JP
芦田 有 ASHIDA, Yu; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) ELEMENTARY ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLÉMENTAIRE
(JA) 基本素子
要約:
(EN) The present invention designs an elementary element which operates by low-energy particles less susceptible to influence on an S/N ratio by pseudo-one-dimensionally structuring a particle movement portion of particles including electromagnetic waves, electrons, holes, atoms, and molecules between emission and absorption sources of the particles. Further, the present invention designs an elementary element which comprises a modification portion for allowing the particle movement portion coming and going of particles between another elementary element and the elementary element, an interaction, a chemical reaction, and the like between these particles, and mechanical/electromagnetic force that fluctuates over time, and controls the emission/absorption of low-energy particles less susceptible to the influence of atomic/molecular species of a constituent material of the particle movement portion, the stereo structure or lattice thereof, the disorders thereof, or the heat of the device thereof on the S/N ratio, and a device constructed from a plurality of elementary elements, which enables, for example, much better readiness of a catalytic action not only to control electrons and holes of a transistor and the oxidation-reduction reaction of a fuel cell but also to control the input/output of neutral or ionized atoms than conventional catalysts, tolerance to external field noise including external radiation, and a reduction in energy consumption required to operate the transistor and the like at low temperatures. Furthermore, a device, a module, and a system are constructed.
(FR) La présente invention concerne un élément élémentaire qui fonctionne au moyen de particules de faible énergie, moins sensibles à l'influence d'un rapport signal sur bruit (S/N pour Signal-to-Noise) en structurant de manière pseudo-unidimensionnelle une partie de mouvement de particule des particules, y compris des ondes électromagnétiques, des électrons, des trous, des atomes et des molécules entre les sources d'émission et d'absorption des particules. En outre, la présente invention conçoit un élément élémentaire qui comprend une partie de modification pour permettre au moyen de la partie de mouvement de particule des allées et venues des particules entre un autre élément élémentaire et l'élément élémentaire, une interaction, une réaction chimique, et analogue, entre ces particules, et une force électromagnétique/mécanique qui fluctue au fil du temps, et commande l'émission/l'absorption des particules de faible énergie, moins sensibles à la l'influence de l'espèce atomique/moléculaire d'un matériau constitutif de la partie de mouvement de particule, la structure stéréo ou son treillis, ses défaillances ou la chaleur de son dispositif sur le rapport S/N, et un dispositif composé d'une pluralité d'éléments élémentaires, qui permet, par exemple, une bien meilleure capacité de fonctionnement d'une action catalytique non seulement pour commander des électrons et des trous d'un transistor et la réaction d'oxydo-réduction d'une pile à combustible mais également pour commander l'entrée/sortie des atomes neutres ou ionisés que les catalyseurs classiques, la tolérance au bruit de champ externe, y compris au rayonnement externe, et une réduction de la consommation d'énergie nécessaire pour faire fonctionner le transistor, et analogue, à des températures basses. En outre, un dispositif, un module et un système sont construits.
(JA) 電磁波、電子、ホール、原子・分子等を含む粒子放出・吸収源間に、これら粒子の粒子移動部を擬一次元的な構造にしてSN比への影響を抑えた低エネルギー粒子で動作する基本素子を設計する。更に、他の基本素子と基本素子間の粒子出入、これら粒子同士の相互作用、化学反応等や時間変動する機械・電磁気的力を粒子移動部に許す修飾部があり、粒子移動部の構成材料の原子・分子種やその立体構造や格子又はこれらの乱れ、或はその装置の熱によるSN比への影響を抑えた低エネルギー粒子を放出・吸収を制御する基本素子とそれら複数の基本素子から構築される、例えば、トランジスタの電子と正孔制御や燃料電池の酸化・還元反応は勿論、中性乃至イオン化原子の入出力制御する触媒作用は従来の触媒に比べ遥かに良い即応性、外部放射線を含む外場雑音に対する耐性さらに卜ランジスタ等を低温に保って動作させるのに必要なエネルギー消費をより少なくする等になる装置が設計される。更に、装置、モジュール及びシステムが構築される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP3121146CN106458577JPWO2015141015US20170231079IN201617035350RU2016140537