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1. (WO2015140850) 研磨用組成物および研磨方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/140850 国際出願番号: PCT/JP2014/005507
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 30.10.2014
IPC:
C09K 3/14 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,C09G 1/02 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3
物質であって,他に分類されないもの
14
抗スリップ物質;研摩物質
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
G
フレンチポリッシュ以外のつや出し組成物;スキーワックス
1
つや出し組成物
02
研摩剤または粉砕剤を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
株式会社フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 愛知県清須市西枇杷島町地領二丁目1番地1 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502, JP
発明者:
石田 康登 ISHIDA, Yasuto; TW
代理人:
森 哲也 MORI, Tetsuya; JP
優先権情報:
2014-05889320.03.2014JP
発明の名称: (EN) POLISHING COMPOSITION, AND POLISHING METHOD
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE
(JA) 研磨用組成物および研磨方法
要約:
(EN) Provided is a polishing composition which exerts high polishing speed and with which it is possible to stably polish a substrate having an organic layer in a short time. Also provided is a polishing method using said polishing composition. A polishing composition for polishing a substrate having an organic layer, the composition containing abrasive grains and an additive, and having a pH of less than 10. The additive at least contains one compound having three or more oxygen atoms (O) and a standard potential of 0.50 V or greater. The polishing composition contains, in mass%, 0.005-5.0% of the compound having three or more oxygen atoms (O) and a standard potential of 0.50 V or greater.
(FR) L'invention concerne une composition de polissage qui exerce une vitesse de polissage élevée et avec laquelle il est possible de polir de façon stable un substrat ayant une couche organique sur une courte durée. L'invention concerne également un procédé de polissage utilisant ladite composition de polissage. La composition de polissage pour le polissage d'un substrat ayant une couche organique selon l'invention contient des grains abrasifs et un additif et a un pH inférieur à 10. L'additif contient au moins un composé ayant au moins trois atomes d'oxygène (O) et un potentiel standard supérieur ou égal à 0,50 V. La composition de polissage contient, en % en masse, 0,005 à 5,0 % du composé ayant au moins trois atomes d'oxygène (O) et un potentiel standard supérieur ou égal à 0,50 V.
(JA)  有機膜を有する基板を短時間で安定的に研磨することができる高研磨速度を有する研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。研磨用組成物は、有機膜を有する基板を研磨するための組成物であって、砥粒と添加剤を含み、pHが10未満である。添加剤は、酸素原子Oを3つ以上有し且つ標準電位が0.50V以上の化合物を少なくとも一つ含む。酸素原子Oを3つ以上有し且つ標準電位が0.50V以上の化合物は、質量%で、研磨用組成物中に0.005%以上5.0%以下含まれる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015140850