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1. (WO2015140849) 紫外線発光素子の製造方法、紫外線発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/140849 国際出願番号: PCT/JP2014/005244
国際公開日: 24.09.2015 国際出願日: 16.10.2014
IPC:
H01L 33/32 (2010.01) ,B23K 26/364 (2014.01) ,H01L 21/301 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
[IPC code unknown for B23K 26/364]
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34
量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ(SQWレーザ),多重量子井戸型レーザ(MQWレーザ),傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ(GRINSCHレーザ)
343
A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
村井 章彦 MURAI, Akihiko; null
安田 正治 YASUDA, Masaharu; null
後藤 浩嗣 GOTO, Koji; null
高瀬 裕志 TAKASE, Yuji; null
代理人:
西川 惠清 NISHIKAWA, Yoshikiyo; JP
優先権情報:
2014-05515618.03.2014JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING ELEMENTS, AND ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENTS ÉMETTEURS DE LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE, ET ÉLÉMENT ÉMETTEURS DE LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE
(JA) 紫外線発光素子の製造方法、紫外線発光素子
要約:
(EN) Provided are: a process for producing ultraviolet light emitting elements which makes it possible to heighten the mass productivity and production yield; and an ultraviolet light emitting element. In the process for producing ultraviolet light emitting elements (B1), a wafer (30) obtained by superposing a nitride semiconductor layer (20) of a multilayer structure on a first surface (10a) of a sapphire wafer (10) is divided into the individual ultraviolet light emitting elements (B1). The process for producing ultraviolet light emitting elements (B1) includes a grooving step in which the wafer (30) is irradiated with laser light from the nitride semiconductor layer (20) side to form grooves (31) that extend to somewhere in the thickness direction of the sapphire wafer (10), a grinding step in which the wafer (30) is ground from the second surface (10b) side of the sapphire wafer (10) so that the thickness of the wafer (30) is reduced, and a dividing step in which the wafer (30) is divided along the grooves (31). The process further includes, between the grooving step and the grinding step, a debris removal step in which debris on the surface of the nitride semiconductor layer (20) of the wafer (30) is removed with a pressure-sensitive adhesive tape (40).
(FR) L'invention concerne : un procédé de production d'éléments émetteurs de lumière ultraviolette qui permet d'augmenter la productivité de masse et le rendement de production ; et un élément émetteur de lumière ultraviolette. Dans le procédé de production d'éléments émetteurs d'UV (B1), une plaquette (30) obtenue par superposition d'une couche semi-conductrice de nitrure (20) d'une structure multicouche sur une première surface (10a) d'une plaquette de saphir (10) est divisée en éléments émetteurs d'UV (B1) individuels. Le procédé de production d'éléments émetteurs de lumière ultraviolette (B1) comprend une étape de rainurage au cours de laquelle la plaquette (30) est irradiée avec de la lumière laser à partir de la couche semi-conductrice de nitrure (20) pour former des rainures (31) qui s'étendent jusqu'à un certain emplacement dans le sens de l'épaisseur de la tranche en saphir (10), une étape de broyage au cours de laquelle la plaquette (30) est broyée à partir du côté de la seconde surface (10b) de la tranche en saphir (10) de sorte que l'épaisseur de la tranche (30) est réduite, et une étape de division au cours de laquelle la plaquette (30) est divisée le long des rainures (31). Le procédé comprend, en outre, entre l'étape de rainurage et l'étape de broyage, une étape d'élimination de débris au cours de laquelle les débris sur la surface de la couche semi-conductrice de nitrure (20) de la plaquette (30) sont retirés au moyen d'un ruban autoadhésif (40).
(JA)  量産性及び製造歩留りの向上を図ることが可能な紫外線発光素子の製造方法、紫外線発光素子を提供する。紫外線発光素子(B1)の製造方法は、サファイアウェハ(10)の第1面(10a)上に多層構造の窒化物半導体層(20)を積層したウェハ(30)から個々の紫外線発光素子B1に分割する。紫外線発光素子(B1)の製造方法は、窒化物半導体層(20)側からウェハ(30)にレーザ光を照射することによりサファイアウェハ(10)の厚さ方向の途中まで到達する溝(31)を形成する溝形成工程と、ウェハ(30)の厚さを薄くするようにウェハ(30)をサファイアウェハ(10)の第2面(10b)側から研磨する研磨工程と、溝(31)に沿ってウェハ(30)を分割する分割工程と、を含み、溝形成工程と研磨工程との間に、ウェハ(30)の窒化物半導体層(20)側のデブリを粘着テープ(40)によって除去するデブリ除去工程を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015140849