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1. (WO2015137486) 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法、及び化合物又は樹脂の精製方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137486 国際出願番号: PCT/JP2015/057471
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 13.03.2015
IPC:
C07C 39/15 (2006.01) ,C07C 37/72 (2006.01) ,C08G 8/20 (2006.01) ,G03F 7/11 (2006.01)
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
39
6員芳香環の炭素原子に結合している少なくとも1個の水酸基またはO―金属基をもつ化合物
12
芳香環以外に不飽和結合を有しない多環式のもの
15
すべての水酸基を非縮合環に有するもの
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
37
6員芳香環の炭素原子に結合している水酸基またはO―金属基をもつ化合物の製造
68
分離;精製;安定化;添加剤の使用
70
物理的処理によるもの
72
液―液処理によるもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
8
アルデヒドまたはケトンのフェノールのみとの重縮合体
04
アルデヒドの
08
ホルムアルデヒドの,例.その場で形成されたホルムアルデヒドの
20
多価フェノールとの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
出願人:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
発明者:
牧野嶋 高史 MAKINOSHIMA, Takashi; JP
越後 雅敏 ECHIGO, Masatoshi; JP
代理人:
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
優先権情報:
2014-05076813.03.2014JP
発明の名称: (EN) COMPOUND, RESIN, BASE LAYER FILM-FORMING MATERIAL FOR LITHOGRAPHY, BASE LAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, PATTERN-FORMING METHOD, AND METHOD FOR REFINING COMPOUND OR RESIN
(FR) COMPOSÉ, RÉSINE, MATÉRIAU DE FORMATION DE FILM DE COUCHE DE BASE POUR LITHOGRAPHIE, FILM DE COUCHE DE BASE POUR LITHOGRAPHIE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET PROCÉDÉ POUR COMPOSÉ OU RÉSINE DE RAFFINAGE
(JA) 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法、及び化合物又は樹脂の精製方法
要約:
(EN)  This compound is represented by a specific formula. As a result of having the structure associated with the specific formula, this compound can be applied to wet processes, and has outstanding heat resistance and resistance to etching. In addition, as this compound has a specific structure, the compound has high heat resistance, a relatively high carbon concentration, a relatively low oxygen concentration, and high solubility in a solvent. As a consequence, by using this compound, deterioration in the film during high-temperature baking is minimized, and it is possible to form a base layer film with outstanding resistance to etching in the form of oxygen plasma etching and the like. The compound also has outstanding adhesion to the resist layer, making it possible to form an excellent resist pattern.
(FR)  La présente invention concerne un composé représenté par une formule spécifique. La structure associée à la formule spécifique permet à ce composé d'être appliqué à des procédés humides, et présente une remarquable résistance thermique et résistance à la gravure. De plus, étant donné que ce composé présente une structure spécifique, le composé présente une résistance élevée à la chaleur, une concentration relativement élevée en carbone, une concentration relativement faible en oxygène et une solubilité élevée dans un solvant. En conséquence, grâce à l'utilisation de ce composé, la détérioration dans le film pendant une cuisson à haute température est réduite au minimum, et il est possible de former un film de couche de base ayant une résistance remarquable à la gravure sous la forme d'une gravure au plasma d'oxygène et similaire. Le composé présente également une remarquable adhérence à la couche de réserve, ce qui permet de former un excellent motif de réserve.
(JA)  本発明に係る化合物は、特定の式で表される。上記特定の式に係る構造を有するため、本発明に係る化合物は、湿式プロセスが適用可能であり、耐熱性及びエッチング耐性に優れる。また、本本発明に係る化合物は特定の構造を有するため、耐熱性が高く、炭素濃度が比較的に高く、酸素濃度が比較的に低く、溶媒溶解性も高い。そのため、本本発明に係る化合物を用いることで、高温ベーク時の膜の劣化が抑制され、酸素プラズマエッチング等に対するエッチング耐性にも優れた下層膜を形成することができる。さらには、レジスト層との密着性にも優れるので、優れたレジストパターンを形成することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106103396SG11201607444VEP3118183US20170073288JPWO2015137486KR1020160134682