国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015137485) レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137485 国際出願番号: PCT/JP2015/057470
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 13.03.2015
IPC:
G03F 7/038 (2006.01) ,C07C 39/15 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
39
6員芳香環の炭素原子に結合している少なくとも1個の水酸基またはO―金属基をもつ化合物
12
芳香環以外に不飽和結合を有しない多環式のもの
15
すべての水酸基を非縮合環に有するもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
発明者:
佐藤 隆 SATO, Takashi; JP
越後 雅敏 ECHIGO, Masatoshi; JP
代理人:
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
優先権情報:
2014-05076713.03.2014JP
発明の名称: (EN) RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
(FR) COMPOSITION DE RÉSERVE ET PROCÉDÉS DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSERVE
(JA) レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
要約:
(EN) This resist composition contains a compound that is represented by a specific formula. The compound has high heat resistance because of a skeleton thereof having high aromaticity and is able to be used under high-temperature baking conditions in spite of the low molecular weight thereof. Due to the above-described configuration, this resist composition is capable of providing a good resist pattern that has excellent heat resistance, high solubility in a safe solvent, and high sensitivity. Namely, this resist composition is useful as an acid-amplified non-polymer resist material.
(FR) L'invention porte sur une composition de réserve qui contient un composé qui est représenté par une formule spécifique. Le composé a une résistance thermique élevée en raison d'un squelette de ce dernier ayant une aromaticité élevée et est apte à être utilisé dans des conditions de cuisson à haute température en dépit du faible poids moléculaire de ce dernier. En raison de la configuration décrite ci-dessus, cette composition de réserve est apte à fournir un bon motif de réserve qui a une excellente résistance thermique, une solubilité élevée dans un solvant sans danger et une sensibilité élevée. C'est-à-dire, cette composition de réserve est utile en tant que matériau de réserve non-polymère amplifié par acide.
(JA)  本発明に係るレジスト組成物は、特定の式で表される化合物を含む。上記化合物は、低分子量ながらも、その高芳香族性骨格により高い耐熱性を有し、高温ベーク条件でも使用可能である。上記のように構成されているため、本発明に係るレジスト組成物は、耐熱性に優れ、安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度で、かつ、良好なレジストパターン形状を付与できる。すなわち、本発明に係るレジスト組成物は、酸増幅型非高分子系レジスト材料として有用である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
SG11201607443XEP3118684US20170075220JPWO2015137485CN106133604KR1020160134678