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1. (WO2015137442) 基板処理方法及び基板処理治具
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137442 国際出願番号: PCT/JP2015/057290
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 12.03.2015
IPC:
C25D 5/02 (2006.01) ,C25D 7/12 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01)
C 化学;冶金
25
電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D
電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
5
方法に特徴のある電気鍍金;加工品の前処理または後処理
02
選択された表面部分の電気鍍金
C 化学;冶金
25
電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D
電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
7
被覆される物品に特徴のある電気鍍金
12
半導体
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
岩津 春生 IWATSU, Haruo; JP
代理人:
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
優先権情報:
2014-05111514.03.2014JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT JIG
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET GABARIT DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法及び基板処理治具
要約:
(EN) In the present invention, a substrate treatment method includes: supplying an alignment solution to the entire surface of a substrate on which a plurality of semiconductor chips have been formed; arranging a counter substrate, in which alignment solution discharge holes penetrating through the thickness direction have been formed, over the substrate with the alignment solution therebetween; discharging the alignment solution by capillary action to the upper surface side of the counter substrate via the alignment solution discharge holes from scribe lines between the semiconductor chips, and in the area between the counter substrate and the substrate, supplying air to spaces formed on the scribe lines to form a gas-liquid interface between margins of the semiconductor chips and the counter substrate; and adjusting the position of the counter substrate relative to the substrate, by the surface tension of the alignment solution at the gas-liquid interface.
(FR) L'invention concerne un procédé de traitement de substrat consistant à utiliser une solution d'alignement sur la totalité de la surface d'un substrat sur lequel une pluralité de puces semi-conductrices ont été formées ; à agencer un contre-substrat, dans lequel des trous de décharge de solution d'alignement traversant le sens de l'épaisseur ont été formés, sur le substrat avec la solution d'alignement entre eux ; à décharger la solution d'alignement par capillarité sur le côté de la surface supérieure du contre-substrat via les trous de décharge de solution d'alignement à partir de lignes de séparation entre les puces semi-conductrices, et dans la zone entre le contre-substrat et le substrat ; à fournir de l'air à des espaces formés sur les lignes de séparation pour former une interface gaz-liquide entre les marges des puces semi-conductrices et le contre-substrat ; et à ajuster la position du contre-substrat par rapport au substrat par tension de surface de la solution d'alignement au niveau de l'interface gaz-liquide.
(JA)  基板処理方法は、複数の半導体チップが形成された基板の表面全面にアライメント液を供給し、厚み方向に貫通するアライメント液排出孔が形成された対向基板を、アライメント液を挟んで基板上に配置し、半導体チップ相互間のスクライブラインからアライメント液排出孔を介して対向基板の上面側に毛細管現象によってアライメント液を排出すると共に、対向基板と基板との間においてスクライブライン上に形成される空間に空気を供給して、半導体チップの周縁部と対向基板との間に気液界面を形成し、気液界面におけるアライメント液の表面張力によって、基板に対する対向基板の位置調整を行う。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)