16:00 CETの火曜日 19.11.2019のメンテナンス理由で数時間使用できません
国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015137439) SiC単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137439 国際出願番号: PCT/JP2015/057285
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 12.03.2015
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 19/10 (2006.01) ,C30B 19/12 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19
液相エピタキシャル成長
10
制御または調整(制御または調整一般G05)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19
液相エピタキシャル成長
12
基板によって特徴づけられたもの
出願人:
新日鐵住金株式会社 NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目6番1号 6-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008071, JP
発明者:
関 和明 SEKI, Kazuaki; JP
楠 一彦 KUSUNOKI, Kazuhiko; JP
亀井 一人 KAMEI, Kazuhito; JP
代理人:
上羽 秀敏 UEBA Hidetoshi; JP
優先権情報:
2014-05032213.03.2014JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING MONOCRYSTALLINE SiC
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SiC MONOCRISTALLIN
(JA) SiC単結晶の製造方法
要約:
(EN) In the production of monocrystalline SiC by a solution growth technique, the present invention improves the rate of conversion of the threading edge dislocation to the basal plane dislocation, while also maintaining the rate of conversion of the threading screw dislocation to Frank stacking faults. The method for producing monocrystalline SiC according to an embodiment of the present invention comprises a step for heating and melting a stock material in a crucible (14) and producing a SiC solution (15); and a step for causing a crystal growth surface (24A) of a SiC seed crystal (24) to make contact with the SiC solution and growing monocrystalline SiC on the crystal growth surface. The crystalline structure of the SiC seed crystal is the 4H polymorph. The off-angle of the crystal growth surface is 1° to 4° inclusive. The temperature of the SiC solution when the monocrystalline SiC is grown is 1,650°C to 1,850°C inclusive. The temperature gradient of the SiC solution immediately beneath the SiC seed crystal when the monocrystalline SiC is grown is greater than 0°C/cm but not greater than 19°C/cm.
(FR) Lors de la production de SiC monocristallin par une technique de croissance de solution, la présente invention permet d'augmenter le taux de conversion de la dislocation de bord de filetage à la dislocation de plan basal, tout en maintenant également le taux de conversion de la dislocation de vis de filetage à des défauts d'empilement de type Frank. Le procédé de production de SiC monocristallin selon un mode de réalisation de la présente invention comprend une étape consistant à chauffer et à faire fondre une matière de stock dans un creuset (14) et à produire une solution de SiC (15); et une étape consistant à amener une surface de croissance cristalline (24A) d'un cristal germe de SiC (24) à entrer en contact avec la solution de SiC et à faire croître le SiC monocristallin sur la surface de croissance cristalline. La structure cristalline du cristal germe de SiC est la forme polymorphe 4H. L'angle de décalage de la surface de croissance cristalline est de 1° à 4° inclus. La température de la solution de SiC, lorsque le SiC monocristallin est amené à croître, est de 1 650 °C à 1 850 °C inclus. Le gradient de température de la solution de SiC immédiatement au-dessous du cristal germe de SiC, lorsque le SiC monocristallin est amené à croître, est supérieur à 0 °C/cm mais inférieur ou égal à 19 °C/cm.
(JA)  溶液成長法によりSiC単結晶を製造するときにおいて、貫通螺旋転位のフランク型積層欠陥への変換率を維持しつつ、貫通刃状転位の基底面転位への変換率を向上させる。本発明の実施の形態によるSiC単結晶の製造方法は、坩堝(14)内の原料を加熱して溶融しSiC溶液(15)を生成する工程と、SiC種結晶(24)の結晶成長面(24A)をSiC溶液に接触させ、結晶成長面上にSiC単結晶を成長させる工程とを備える。SiC種結晶の結晶構造は、4H多形である。結晶成長面のオフ角は、1°以上であって、且つ、4°以下である。SiC単結晶を成長させるときのSiC溶液の温度は、1650℃以上であって、且つ、1850℃以下である。SiC単結晶を成長させるとき、SiC溶液のうち、SiC種結晶の直下の温度勾配は、0℃/cmよりも大きく、且つ、19℃/cm以下である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106103815US20170067183JPWO2015137439