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1. (WO2015137438) 酸素プラズマエッチング用レジスト材料、レジスト膜、及びそれを用いた積層体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137438 国際出願番号: PCT/JP2015/057282
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 12.03.2015
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,B29C 59/02 (2006.01) ,C08G 77/442 (2006.01) ,C08G 81/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
B 処理操作;運輸
29
プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
C
プラスチックの成形または接合;可塑状態の物質の成形一般;成形品の後処理,例.補修
59
表面成形,例.エンボス;そのための装置
02
機械的手段,例.プレス,によるもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
77
高分子の主鎖にいおう,窒素,酸素または炭素を有しまたは有せずにけい素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
42
ポリシロキサン連鎖を含むブロックまたはグラフト重合体
442
ビニル重合体連鎖を含むもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
81
単量体の不存在下に重合体を相互に反応することにより得られる高分子化合物,例.ブロック重合体
02
重合体の少くとも1種が炭素―炭素不飽和結合のみが関与する反応により得られるもの
出願人:
DIC株式会社 DIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都板橋区坂下三丁目35番58号 35-58, Sakashita 3-chome, Itabashi-ku, Tokyo 1748520, JP
発明者:
矢木 直人 YAGI Naoto; JP
伊部 武史 IBE Takeshi; JP
谷本 尚志 TANIMOTO Hisashi; JP
矢田 真 YADA Makoto; JP
代理人:
河野 通洋 KONO Michihiro; JP
優先権情報:
2014-05174014.03.2014JP
発明の名称: (EN) RESIST MATERIAL FOR OXYGEN PLASMA ETCHING, RESIST FILM, AND LAMINATE USING SAME
(FR) MATÉRIAU DE RÉSERVE POUR GRAVURE AU PLASMA D'OXYGÈNE, FILM DE RÉSERVE, ET STRATIFIÉ L'UTILISANT
(JA) 酸素プラズマエッチング用レジスト材料、レジスト膜、及びそれを用いた積層体
要約:
(EN)  Provided is a resist material for oxygen plasma etching, which is a resist material for dry etching containing a composite resin (A) comprising a polysiloxane segment (a1) having structural units represented by general formula (1) and/or general formula (2), and a silanol group and/or a hydrolyzable silyl group, and a vinyl polymer segment (a2).The resist material for oxygen plasma etching is characterized in that the content of silicon atoms in the total solid content of the resist material for oxygen plasma etching is 15 to 45 wt%.
(FR)  Cette invention concerne un matériau de réserve pour une gravure au plasma d'oxygène, qui est un matériau de réserve pour la gravure à sec contenant une résine composite (A) présentant un segment de polysiloxane (a1) comprenant des unités structurelles représentées par la formule générale (1) et/ou la formule générale (2), et un groupe silanol et/ou un groupe silyle hydrolysable, et un segment polymère vinylique (a2). Le matériau de réserve pour gravure au plasma d'oxygène est caractérisé en ce que la teneur en atomes de silicium dans la teneur totale en solides du matériau de réserve pour gravure au plasma d'oxygène va de 15 à 45 % en poids.
(JA)  一般式(1)および/または一般式(2)で表される構造単位と、シラノール基および/または加水分解性シリル基とを有するポリシロキサンセグメント(a1)と、ビニル系重合体セグメント(a2)とを有する複合樹脂(A)を含有するドライエッチング用レジスト材料であって、 該酸素プラズマエッチング用レジスト材料の全固形分量中の珪素原子の含有量が15~45wt%であることを特徴とする酸素プラズマエッチング用レジスト材料を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106104753JPWO2015137438KR1020160134667