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1. (WO2015137397) ワイドバンドギャップ半導体基板の加工方法及びその装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137397 国際出願番号: PCT/JP2015/057156
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 11.03.2015
IPC:
H01L 21/306 (2006.01) ,C01B 21/06 (2006.01) ,C01B 31/36 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
C 化学;冶金
01
無機化学
B
非金属元素;その化合物
21
窒素;その化合物
06
窒素と金属,けい素またはほう素とからなる二元化合物
C 化学;冶金
01
無機化学
B
非金属元素;その化合物
31
炭素;その化合物
30
炭化物
36
炭化けい素または炭化ほう素
出願人:
国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 大阪府吹田市山田丘1番1号 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP
東邦エンジニアリング株式会社 TOHO ENGINEERING CO., LTD. [JP/JP]; 三重県四日市市山分町字川之下443 443 Aza Kawanoshita, Yamake-cho, Yokkaichi-shi, Mie 5128041, JP
発明者:
山内 和人 YAMAUCHI Kazuto; JP
礒橋 藍 ISOHASHI Ai; JP
佐野 泰久 SANO Yasuhisa; JP
代理人:
柳野 隆生 YANAGINO Takao; JP
優先権情報:
2014-04907112.03.2014JP
発明の名称: (EN) METHOD AND DEVICE FOR PROCESSING WIDE-BANDGAP SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR À LARGE BANDE INTERDITE
(JA) ワイドバンドギャップ半導体基板の加工方法及びその装置
要約:
(EN) [Problem] To provide a method and device for processing a wide-bandgap semiconductor substrate, the method and the device being capable of processing single-crystal SiC, GaN, AlGaN, or AlN at any of various processing speeds without requiring the use of any abrasive slurry, abrasive grains, or environmentally hazardous solution at all, to give a surface having higher quality than surfaces obtained by CMP finishing, and having satisfactory compatibility with clean rooms. [Solution] A catalytic substance that has the function of accelerating the direct hydrolysis of a work (5) or accelerating the hydrolysis of an oxide film present in the work surface is used as a processing base surface (3). In the presence of water (1), the work and the processing base surface are contacted at a given pressure or are brought extremely close to each other, and a relative movement between the work and the processing base surface is caused. Due to the catalytic function of the processing base surface, the direct hydrolysis of the work surface or both the oxidation of the work surface and the hydrolysis of the oxide film are made to proceed preferentially from the surface protrusions close to the processing base surface. The products of the decomposition are removed.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un procédé et un dispositif de traitement d'un substrat semi-conducteur à large bande interdite, le procédé et le dispositif devant être aptes à traiter du SiC, du GaN, du AlGaN, ou du AlN monocristallin à l'une quelconque des diverses vitesses de traitement sans nécessiter l'utilisation d'une quelconque boue abrasive, de grains abrasifs, ou de solutions dangereuses pour l'environnement, afin d'obtenir une surface ayant une qualité supérieure à celle de surfaces obtenues par finition CMP, et ayant une compatibilité satisfaisante avec les salles blanches. La solution selon l'invention porte sur une substance catalytique, qui a la fonction d'accélérer l'hydrolyse directe d'une pièce à usiner (5) ou d'accélérer l'hydrolyse d'un film d'oxyde présent dans la surface de travail, qui est utilisée en tant que surface de base de traitement (3). En présence d'eau (1), la surface de travail et la surface de base de traitement sont mises en contact à une pression donnée ou sont amenées à proximité extrêmement étroite l'une de l'autre, et un mouvement relatif est provoqué entre la surface de travail et la surface de base de traitement. Grâce à la fonction catalytique de la surface de base de traitement, l'hydrolyse directe de la surface de travail ou à la fois l'oxydation de la surface de travail et l'hydrolyse du film d'oxyde sont amenées à continuer de façon préférentielle à partir des saillies de surface proches de la surface de base de traitement. Les produits de la décomposition sont éliminés.
(JA) 【課題】 研磨剤や砥粒、環境負荷の大きな溶液を一切使用せず、SiC、GaN、AlGaN、AlNの単結晶を様々な加工速度で加工でき、CMP仕上げ面よりも高品位の表面が得られ、しかもクリーンルームとの相性が良いワイドバンドギャップ半導体基板の加工方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 被加工物5の直接的な加水分解、あるいは被加工物表面の酸化膜の加水分解を促進する機能を備えた触媒物質を加工基準面3として用い、水1の存在下で、被加工物と加工基準面とを所定圧力で接触若しくは極接近させるとともに、被加工物と加工基準面とを相対運動させて、加工基準面に備わった触媒機能によって被加工物表面の直接的な加水分解あるいは被加工物表面の酸化と該酸化膜の加水分解を加工基準面に近い表面凸部から優先的に進行させ、分解生成物を除去する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20170069506EP3142142