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1. (WO2015137374) 半導体レーザ素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137374 国際出願番号: PCT/JP2015/057094
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 11.03.2015
IPC:
H01S 5/343 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34
量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ(SQWレーザ),多重量子井戸型レーザ(MQWレーザ),傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ(GRINSCHレーザ)
343
A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
出願人:
古河電気工業株式会社 FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322, JP
発明者:
岩見 正之 IWAMI, Masayuki; JP
石井 宏辰 ISHII, Hirotatsu; JP
岩井 則広 IWAI, Norihiro; JP
松田 竹善 MATSUDA, Takeyoshi; JP
粕川 秋彦 KASUKAWA, Akihiko; JP
石川 卓哉 ISHIKAWA, Takuya; JP
川北 泰雅 KAWAKITA, Yasumasa; JP
鍛治 栄作 KAJI, Eisaku; JP
代理人:
酒井 宏明 SAKAI, Hiroaki; JP
優先権情報:
2014-04733911.03.2014JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体レーザ素子
要約:
(EN) This semiconductor laser element is provided with a well layer and the barrier layer comprising a group III-V crystalline semiconductor with As as the primary component, a group V element other than As is introduced with a concentration of 0.02-5% at the group V site of the group III-V crystalline semiconductor in the well layer and/or the barrier layer, and Al is included at the III group site of the group III-V crystalline semiconductor in the well layer and/or the barrier layer. Thereby, a semiconductor laser element is provided which suppresses defects from occurring in the bulk crystalline semiconductor and which has less variation of characteristics.
(FR) L'invention porte sur un élément laser à semi-conducteurs qui comporte une couche de puits et la couche de barrière comprenant un semi-conducteur cristallin de groupe III-V avec As en tant que constituant primaire, un élément de groupe V autre que As étant introduit avec une concentration de 0,02 à 5 % au niveau du site de groupe V du semi-conducteur cristallin de groupe III-V dans la couche de puits et/ou la couche de barrière, et Al étant inclus au niveau du site de groupe III du semi-conducteur cristallin de groupe III-V dans la couche de puits et/ou la couche de barrière. Ainsi, un élément laser à semi-conducteurs est fourni qui empêche des défauts de se produire dans le semi-conducteur cristallin de masse et qui présente moins de variation de caractéristiques.
(JA)  Asを主成分とするIII-V族半導体結晶からなる井戸層と障壁層とを備えた半導体レーザ素子であって、前記井戸層および前記障壁層の少なくとも一方におけるIII-V族半導体結晶のV族サイトに、前記As以外のV族元素が濃度0.02~5%で導入され、前記井戸層および前記障壁層の少なくとも一方におけるIII-V族半導体結晶のIII族サイトに、Alが含まれている半導体レーザ素子である。これにより、半導体結晶のバルク内における欠陥発生を抑制し、特性の変動の少ない半導体レーザ素子を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106030939US20160351392US20160352075EP3118950JPWO2015137373JPWO2015137374