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1. (WO2015137364) プラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137364 国際出願番号: PCT/JP2015/057067
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 10.03.2015
IPC:
H01L 21/68 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
68
位置決め,方向決め,または整列のためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
677
移送のためのもの,例.異なるワ―クステーション間での移送
出願人:
独立行政法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP
株式会社デザインネットワーク DESIGN NETWORK CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区神田小川町3-8-5 駿河台ヤギビル4F Surugadai Yagi BLD. 4F, 3-8-5, Kanda Ogawa-machi, Chiyoda-Ku, Tokyo 1010052, JP
発明者:
清水 禎樹 SHIMIZU Yoshiki; JP
原 史朗 HARA Shiro; JP
田中 宏幸 TANAKA Hiroyuki; JP
中野 禅 NAKANO Shizuka; JP
小木曽 久人 OGISO Hisato; JP
クンプアン ソマワン KHUMPUANG Sommawan; JP
二川 真士 FUTAGAWA Shinji; JP
吉岡 秀明 YOSHIOKA Hideaki; JP
福田 孝弘 FUKUDA Takahiro; JP
内山 嘉典 UCHIYAMA Yoshinori; JP
代理人:
特許業務法人 武和国際特許事務所 THE PATENT BODY CORPORATE TAKEWA INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都港区西新橋3丁目13番3号 西新橋ビルディング Nishishimbashi Bldg., 13-3, Nishishimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
2014-05263014.03.2014JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約:
(EN)  Provided is a plasma device in which all functions necessary for plasma etching are incorporated in a small space in a minimal fab production device. This invention is provided with a plasma processing chamber (12) for plasma etching a semiconductor wafer (18), the plasma processing chamber (12) being provided with a microplasma supply unit and an upper electrode (35) for performing RF superimposition on the supplied microplasma. A wafer support device (19) for supporting a semiconductor wafer (18) supports the semiconductor wafer (18) in the plasma processing chamber (12) during etching. The wafer support device (19) is supported by being linked to a drive unit disposed outside the plasma processing chamber (12). The drive unit performs a repeated scanning movement of the wafer support device (19), parallel to a wafer processing surface, in the plasma processing chamber (12) during etching.
(FR)  L'invention concerne un dispositif à plasma dans lequel toutes les fonctions nécessaires à la gravure par plasma sont incorporées dans un petit espace dans un dispositif de production et de fabrication minimal. La présente invention comporte une chambre de traitement (12) par plasma pour la gravure par plasma d'une plaquette semi-conductrice (18), la chambre de traitement (12) par plasma comportant une unité d'alimentation en microplasma et une électrode supérieure (35) permettant de procéder à une superposition à RF sur le microplasma injecté. Un dispositif de support (19) de plaquette permettant de supporter une plaquette semi-conductrice (18) supporte la plaquette semi-conductrice (18) dans la chambre de traitement (12) par plasma pendant la gravure. Le dispositif de support (19) de plaquette est supporté en étant lié à une unité d'entraînement disposée à l'extérieur de la chambre de traitement (12) par plasma. L'unité d'entraînement procède à un mouvement de balayage répété du dispositif de support (19) de plaquette, parallèle à une surface de traitement de plaquette, dans la chambre de traitement (12) par plasma pendant la gravure.
(JA)  ミニマルファブ製造装置の狭い空間にプラズマエッチング処理に必要な全ての機能を組み込んだプラズマ装置を提供する。半導体ウエハ(18)にプラズマエッチング処理を行うためのプラズマ処理室(12)を備え、プラズマ処理室(12)には、マイクロプラズマ供給部と、供給されたマイクロプラズマにRF重畳する上部電極(35)を備える。半導体ウエハ(18)を支持するウエハ支持装置(19)は、エッチング処理の間、プラズマ処理室(12)の内部で半導体ウエハ(18)を支持する。ウエハ支持装置(19)は、プラズマ処理室(12)の外部に配置された駆動部に連結されて支持されている。駆動部は、エッチング処理の間、ウエハ支持装置(19)をプラズマ処理室(12)の内部で繰り返しウエハ処理面に対し平行にスキャニング移動させる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015137364US20170098557