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1. (WO2015137340) 坩堝およびそれを用いた単結晶サファイアの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137340 国際出願番号: PCT/JP2015/057016
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 10.03.2015
IPC:
F27B 14/10 (2006.01) ,B22F 3/24 (2006.01) ,C22C 27/04 (2006.01) ,C30B 11/00 (2006.01) ,C30B 29/20 (2006.01)
F 機械工学;照明;加熱;武器;爆破
27
炉,キルン,窯(かま);レトルト
B
炉,キルン,窯またはレトルト一般;開放式焼結用または類似の装置
14
るつぼ形炉またはつぼ形炉;タンク炉
08
るつぼ形炉,つぼ形炉またはタンク炉に特有な細部
10
るつぼ
B 処理操作;運輸
22
鋳造;粉末冶金
F
金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
3
成形または焼結方法に特徴がある金属質粉からの工作物または物品の製造;特にそのために適した装置
24
工作物や物品の後処理
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
27
レニウムまたはグループ14/00もしくは16/00において述べられていない耐火金属を基とする合金
04
タングステンまたはモリブデンを基とする合金
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
11
ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長,例.ブリッジマン―ストックバーガー法
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
16
酸化物
20
酸化アルミニウム
出願人:
株式会社アライドマテリアル A.L.M.T. CORP. [JP/JP]; 東京都港区芝一丁目11番11号 11-11, Shiba 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050014, JP
発明者:
竹内 泰之 TAKEUCHI, Yasuyuki; JP
深谷 芳竹 FUKAYA, Yoshitake; JP
加藤 昌宏 KATOH, Masahiro; JP
岡本 謙一 OKAMOTO, Kenichi; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2014-04898012.03.2014JP
2014-04898112.03.2014JP
発明の名称: (EN) CRUCIBLE AND SINGLE CRYSTAL SAPPHIRE PRODUCTION METHOD USING SAME
(FR) CREUSET ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SAPHIR MONOCRISTALLIN L'UTILISANT
(JA) 坩堝およびそれを用いた単結晶サファイアの製造方法
要約:
(EN) Provided are: a crucible that is capable of preventing leakage of a molten liquid; and a single crystal sapphire production method that uses the crucible. The crucible (1) comprises 40 mass% or more of molybdenum. The total content of C, N, and O is 100 ppm by mass or less. The hardness at an angle R section (16) at the boundary between a bottom surface (15) and a side surface (13) is 150-310 HV. The C content is 30 ppm by mass or less, the N content is 20 ppm by mass or less, and the O content is 50 ppm by mass or less.
(FR) L'invention concerne : un creuset qui est capable d'empêcher la fuite d'un liquide fondu; et un procédé de production de saphir monocristallin qui utilise le creuset. Le creuset (1) comprend 40% en masse ou plus de molybdène. La teneur totale en C, N et O est de 100 ppm en masse ou moins. La dureté au niveau d'une section d'angle R (16) au niveau de la limite entre une surface inférieure (15) et une surface latérale (13) est de 150 à 310 HV. La teneur en C est de 30 ppm en masse ou moins, la teneur en N est de 20 ppm en masse ou moins et la teneur en O est de 50 ppm en masse ou moins.
(JA)  融液の漏れを防止することが可能な坩堝およびそれを用いた単結晶サファイアの製造方法を提供する。坩堝(1)は、モリブデンを40質量%以上含む坩堝であって、C、NおよびOの総含有率が100質量ppm以下であり底面(15)と側面(13)の境界の角R部(16)での硬さが150HV以上310HV以下であり、Cの含有率が30質量ppm以下であり、Nの含有率が20質量ppm以下であり、Oの含有率が50質量ppm以下である。
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アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015137340