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1. (WO2015137324) 結晶成長制御剤、p型半導体微粒子又はp型半導体微粒子膜の形成方法、正孔輸送層形成用組成物、及び太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137324 国際出願番号: PCT/JP2015/056979
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 10.03.2015
予備審査請求日: 26.10.2015
IPC:
H01L 21/368 (2006.01) ,H01L 51/44 (2006.01) ,H01L 51/46 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
368
液相成長を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
44
装置の細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
46
材料の選択
出願人:
東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP
発明者:
仲村 亮正 NAKAMURA, Akimasa; JP
山之内 篤史 YAMANOUCHI, Atsushi; JP
浅井 隆宏 ASAI, Takahiro; JP
石川 薫 ISHIKAWA, Kaoru; JP
代理人:
正林 真之 SHOBAYASHI, Masayuki; JP
優先権情報:
2014-05249714.03.2014JP
2014-05249814.03.2014JP
発明の名称: (EN) CRYSTAL GROWTH CONTROL AGENT, METHOD FOR FORMING p-TYPE SEMICONDUCTOR MICROPARTICLES OR p-TYPE SEMICONDUCTOR MICROPARTICLE FILM, COMPOSITION FOR FORMING HOLE TRANSPORT LAYER, AND SOLAR CELL
(FR) AGENT DE RÉGULATION DE CROISSANCE CRISTALLINE, PROCÉDÉ PERMETTANT DE FORMER DES MICROPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES DE TYPE p OU UN FILM DE MICROPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES DE TYPE p, COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE DE TRANSPORT DE TROUS ET PHOTOPILE
(JA) 結晶成長制御剤、p型半導体微粒子又はp型半導体微粒子膜の形成方法、正孔輸送層形成用組成物、及び太陽電池
要約:
(EN)  According to a first aspect, there are provided: a crystal growth control agent for suppressing any increase in the size of p-type semiconductor crystals, and enabling chemical modification of the surface of p-type semiconductor microparticles; a method in which the crystal growth control agent is used for forming p-type semiconductor microparticles or a p-type semiconductor microparticle film; a composition for forming a hole transport layer of a solar cell; and a solar cell in which the composition for forming a hole transport layer is used. According to a second aspect, there are provided: a composition for forming a hole transport layer that promotes crystallization and refining of a p-type semiconductor, and enables chemical modification of the surface of p-type semiconductor microparticles, even when an organic salt containing an anion other than a thiocyanic acid ion is used (ionic liquid); and a solar cell in which said composition is used. The crystal growth control agent pertaining to the present invention comprises at least one sulfur-containing compound (not including thiocyanates) selected from the group consisting of disulfide compounds and compounds for generating thiolate anions by proton or cation dissociation, and controls the crystal growth of a p-type semiconductor.
(FR)  Selon un premier aspect, la présente invention concerne : un agent de régulation de croissance cristalline permettant de supprimer toute augmentation de taille des cristaux semi-conducteurs de type p, et permettant une modification chimique de la surface des microparticules semi-conductrices de type p; un procédé utilisant l'agent de régulation de croissance cristalline pour former des microparticules semi-conductrices de type p ou un film de microparticules semi-conductrices de type p; une composition permettant de former une couche de transport de trous d'une photopile; et une photopile utilisant la composition permettant de former une couche de transport de trous. Selon un second aspect, la présente invention concerne : une composition permettant de former une couche de transport de trous qui induit la cristallisation et permettant de raffiner un semi-conducteur de type p, et qui permet une modification chimique de la surface des microparticules semi-conductrices de type p, même lorsqu'un sel organique contenant un anion autre qu'un ion d'acide thiocyanique est utilisé (liquide ionique); et une photopile utilisant ladite composition. L'agent de régulation de croissance cristalline se rapportant à la présente invention comprend au moins un composé contenant du soufre (ne comprenant pas des thiocyanates) choisi dans le groupe constitué par des composés disulfure et des composés permettant de produire des anions thiolate par dissociation de protons ou de cations, et régule la croissance cristalline d'un semi-conducteur de type p.
(JA)  第一に、p型半導体の結晶サイズの増大を抑制し、かつ、p型半導体微粒子表面の化学修飾を可能とする結晶成長制御剤、この結晶成長制御剤を用いたp型半導体微粒子又はp型半導体微粒子膜の形成方法、太陽電池の正孔輸送層形成用組成物、及びこの正孔輸送層形成用組成物を用いた太陽電池を提供する。第二に、チオシアン酸イオン以外のアニオンを有する有機塩(イオン性液体)を用いた場合であっても、p型半導体の結晶化及び微細化を促進し、かつ、p型半導体微粒子表面の化学修飾を可能とする正孔輸送層形成用組成物、及びそれを用いた太陽電池を提供する。 本発明に係る結晶成長制御剤は、プロトン又はカチオンの解離によりチオラートアニオンを生成する化合物及びジスルフィド化合物からなる群より選択される少なくとも1種の含硫黄化合物(但し、チオシアン酸塩を除く。)からなり、p型半導体の結晶成長を制御する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106104773KR1020160124232EP3116019US20170018369