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1. (WO2015137274) 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137274 国際出願番号: PCT/JP2015/056808
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 09.03.2015
IPC:
C04B 35/00 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/58 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/363 (2006.01)
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
58
後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
出願人:
住友金属鉱山株式会社 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都港区新橋5-11-3 11-3, Shimbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1058716, JP
発明者:
中山 徳行 NAKAYAMA, Tokuyuki; JP
西村 英一郎 NISHIMURA, Eiichiro; JP
井藁 正史 IWARA, Masashi; JP
代理人:
正林 真之 SHOBAYASHI, Masayuki; JP
優先権情報:
2014-05246114.03.2014JP
発明の名称: (EN) SINTERED OXIDE, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SAME
(FR) OXYDE FRITTÉ, CIBLE DE PULVÉRISATION, ET FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE OBTENU À L'AIDE DE CEUX-CI
(JA) 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
要約:
(EN) Provided are a sintered oxide with which low carrier concentration and high carrier mobility can be obtained when the sintered oxide is used to obtain an oxide semiconductor thin film by means of a sputtering method, and a sputtering target using said sintered oxide. This sintered oxide contains indium and gallium as oxides, contains nitrogen, and does not contain zinc. The gallium content in terms of the atomic ratio Ga/(In+GA) is at least 0.005 but less than 0.20, and substantially no GaN phase is included. Furthermore, the sintered oxide preferably has no Ga2O3 phase. A crystalline oxide semiconductor thin film formed using this sintered oxide as a sputtering target yields a carrier concentration of 1.0x1018 cm-3 or less, and a carrier mobility of 10 cm2V-1sec-1 or more.
(FR) La présente invention concerne un oxyde fritté avec lequel une faible concentration en porteurs de charge et une grande mobilité des porteurs de charge peuvent être obtenues lorsque l'oxyde fritté est utilisé pour obtenir un film mince semi-conducteur d'oxyde au moyen d'un procédé de pulvérisation, et une cible de pulvérisation utilisant ledit oxyde fritté. Cet oxyde fritté contient de l'indium et du gallium sous forme d'oxydes, contient de l'azote, et ne contient pas de zinc. La teneur en gallium en termes de rapport atomique Ga/(In+Ga) est d'au moins 0,005 mais inférieure à 0,20, et le composé ne comprend pratiquement aucune phase de GaN. De plus, l'oxyde fritté ne comprend de préférence pas de phase de Ga2O3. Un film mince semi-conducteur d'oxyde cristallin formé en utilisant cet oxyde fritté comme cible de pulvérisation permet d'obtenir une concentration en porteurs de charge inférieure ou égale à 1,0 x 1018 cm-3, et une mobilité des porteurs de charge supérieure ou égale à 10 cm2V-1s-1.
(JA)  スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。 この酸化物焼結体は、インジウムおよびガリウムを酸化物として含有し、窒素を含有し、亜鉛を含有しない。ガリウムの含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.005以上0.20未満であり、GaN相を実質的に含まない。また、Ga相を有さないことが好ましい。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した結晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度1.0×1018cm-3以下で、キャリア移動度10cm-1sec-1以上が得られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106103379KR1020160106700US20170077243JPWO2015137274