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1. (WO2015137234) 磁気抵抗素子および磁気メモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137234 国際出願番号: PCT/JP2015/056531
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 05.03.2015
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人:
株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001, JP
発明者:
加藤 侑志 KATO Yushi; JP
大坊 忠臣 DAIBOU Tadaomi; JP
大沢 裕一 OHSAWA Yuichi; JP
大嶺 俊平 OMINE Shumpei; JP
長谷 直基 HASE Naoki; JP
代理人:
勝沼 宏仁 KATSUNUMA Hirohito; JP
優先権情報:
2014-05084913.03.2014JP
発明の名称: (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗素子および磁気メモリ
要約:
(EN) [Problem] To provide a magnetoresistive element that exhibits a low saturation magnetization, a high degree of perpendicular magnetic anisotropy, and a high magnetoresistance ratio. Also, to provide a magnetic memory. [Solution] A magnetoresistive element in an embodiment has the following: a first magnetic layer; a second magnetic layer; a first non-magnetic layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer; a third magnetic layer provided between the first magnetic layer and the first non-magnetic layer; and a layer that is provided between the first magnetic layer and the third magnetic layer, contains two or more elements that the first magnetic layer also contains, and has an amorphous structure.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir un élément magnétorésistif qui présente une faible magnétisation de saturation, un degré élevé d'anisotropie magnétique perpendiculaire, et un rapport de magnétorésistance élevé. L'invention concerne également une mémoire magnétique. La solution, selon un mode de réalisation de l'invention, concerne un élément magnétorésistif qui comporte les éléments suivants : une première couche magnétique ; une deuxième couche magnétique ; une première couche non magnétique disposée entre la première couche magnétique et la deuxième couche magnétique ; une troisième couche magnétique disposée entre la première couche magnétique et la première couche non magnétique ; et une couche disposée entre la première couche magnétique et la troisième couche magnétique, contenant deux éléments ou plus également contenus dans la première couche magnétique, et présentant une structure amorphe.
(JA) 【課題】低い飽和磁化、高い垂直磁気異方性を有し、かつ高い磁気抵抗比を得ることができる磁気抵抗素子および磁気メモリを提供する。 【解決手段】本実施形態による磁気抵抗素子は、第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、前記第1磁性層と前記第1非磁性層との間に設けられた第3磁性層と、前記第1磁性層と前記第3磁性層との間に設けられ前記第1磁性層を構成する元素と共通の元素を2種類以上含みかつアモルファス構造を有する層と、を備えている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)