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1. (WO2015137193) 半導体デバイス製造用組成物および該半導体デバイス製造用組成物を用いたパターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137193 国際出願番号: PCT/JP2015/056190
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 03.03.2015
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
中川 恭志 NAKAGAWA Hisashi; JP
齊藤 隆一 SAITOU Ryuichi; JP
栗田 俊輔 KURITA Shunsuke; JP
酒井 達也 SAKAI Tatsuya; JP
代理人:
渡邊 薫 WATANABE Kaoru; JP
優先権情報:
2014-04915212.03.2014JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION COMPOSITION AND PATTERN FORMATION METHOD USING SAID SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF FAISANT APPEL À LADITE COMPOSITION DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体デバイス製造用組成物および該半導体デバイス製造用組成物を用いたパターン形成方法
要約:
(EN) Provided is a semiconductor device production composition that has superior embedding properties into a pattern wafer, and that can achieve a reduction in membrane stress. The semiconductor device production composition contains the product obtained by mixing a metal compound and hydrogen peroxide in an organic solvent [I], and an organic solvent [II]. The semiconductor device production composition has superior embedding properties into a pattern wafer, and furthermore can reduce membrane stress when forming a pattern by means of a multi-layer resist process.
(FR) La présente invention concerne une composition de production de dispositif à semi-conducteur qui présente des propriétés supérieures d'incorporation dans une plaquette à motifs, et qui permet d'obtenir une réduction de la contrainte de membrane. La composition de production de dispositif à semi-conducteur contient le produit obtenu en mélangeant un composé métallique et du peroxyde d'hydrogène dans un solvant organique [I] et un solvant organique [II]. La composition de production de dispositif à semi-conducteur présente des propriétés supérieures d'incorporation dans une plaquette à motifs, et permet en outre de réduire la contrainte de membrane lors de la formation d'un motif au moyen d'un procédé de réserve multi-couche.
(JA) パターンウエハへの埋め込み性に優れ、膜応力の低減化を実現し得る半導体デバイス製造用組成物を提供すること。 有機溶媒[I]中において、金属化合物と、過酸化水素と、を混合することにより得られる生成物と、有機溶媒[II]と、を含有する半導体デバイス製造用組成物を提供する。本発明に係る半導体デバイス製造用組成物は、パターンウエハへの埋め込み性に優れ、更に、多層レジストプロセスによるパターン形成において、膜応力の低減化をも可能する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015137193