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1. (WO2015137152) ヘテロ接合太陽電池とその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137152 国際出願番号: PCT/JP2015/055772
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 27.02.2015
予備審査請求日: 27.11.2015
IPC:
H01L 31/0747 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
出願人:
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 石川県能美市旭台一丁目1番地 1-1,Asahidai,Nomi-shi, Ishikawa 9231292, JP
発明者:
松村 英樹 MATSUMURA Hideki; JP
大平 圭介 OHDAIRA Keisuke; JP
代理人:
木森 有平 KIMORI Yuhei; JP
優先権情報:
2014-05116014.03.2014JP
発明の名称: (EN) HETEROJUNCTION SOLAR CELL AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE À HÉTÉROJONCTION ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) ヘテロ接合太陽電池とその製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide a heterojunction solar cell of a structure in which carrier recombination on the upper surface of the crystalline silicon can be dramatically inhibited and which attains a heightened efficiency. [Solution] This heterojunction solar cell is a solar cell in which a thin film of intrinsic amorphous silicon has been bonded by heterojunction to a crystalline silicon substrate, wherein the crystalline silicon substrate has a doped layer formed by doping an extreme surface layer having a depth of 10 nanometers or less with phosphorus or boron. According to an electron photomicrograph obtained when a sample (900) was examined with a transmission electron microscope, the sample (900) having been produced by depositing a film of intrinsic amorphous silicon (902) right on an n-type crystal silicon substrate (901) by a catalytic-CVD method, the thickness of an interface transition layer (903) between the n-type crystal silicon (901) and the amorphous silicon (902) is 0.6 nanometers or less.
(FR) L'invention aborde le problème de produire une cellule solaire à hétérojonction ayant une structure dans laquelle la recombinaison des porteurs sur la surface supérieure du silicium cristallin peut être considérablement inhibée et qui atteint une efficacité accrue. La présente invention réalise à cet effet une cellule solaire à hétérojonction qui est une cellule solaire dans laquelle un film mince en silicium amorphe intrinsèque a été lié par hétérojonction à un substrat en silicium cristallin. Le substrat en silicium cristallin possède une couche dopée formée par dopage d'une couche de surface extrême ayant une profondeur de 10 nanomètres ou moins avec du phosphore ou du bore. Selon une photomicrographie électronique obtenue lorsqu'un échantillon (900) a été examiné avec un microscope électronique à transmission, l'échantillon (900) ayant été produit en déposant un film en silicium amorphe intrinsèque (902) directement sur un substrat en silicium cristallin de type n (901) par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur catalytique, l'épaisseur d'une couche de transition d'interface (903) entre le silicium cristallin de type n (901) et le silicium amorphe (902) est inférieure ou égale à 0,6 nanomètres.
(JA) 【課題】 結晶系シリコンに対して、キャリヤの上面再結合を劇的に抑制でき、効率を高めた構造のヘテロ接合太陽電池を提供する。 【解決手段】 本発明のヘテロ接合太陽電池は、真性アモルファス・シリコン薄膜が結晶系シリコン基板にヘテロ接合している太陽電池であって、前記結晶系シリコン基板は、リンまたはボロンが深さ10ナノメートル以内の極表層にドープされたドープ層が形成されている。n型結晶シリコン基板901の直ぐ上に真性アモルファス・シリコン膜902をCat-CVD法で堆積させて作製した場合の試料900を、透過型電子顕微鏡で観察した際の電子顕微鏡像によれば、n型結晶シリコン901とアモルファス・シリコン902との界面遷移層903の厚みは0.6ナノメートル以下である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015137152