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1. (WO2015137147) 固体撮像素子およびその駆動方法、並びに電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137147 国際出願番号: PCT/JP2015/055743
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 27.02.2015
IPC:
H04N 5/374 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/367 (2011.01)
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
357
ノイズ処理に特徴のあるもの,例.ノイズの検出,補正,低減,除去
365
固定パターンノイズに対して適用されるもの,例.応答の非均一性
367
欠陥に対して適用されるもの,例.非感応画素
出願人:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
発明者:
古閑 史彦 KOGA Fumihiko; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
優先権情報:
2014-05189514.03.2014JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, METHOD FOR DRIVING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE COMMANDE DE CELUI-CI, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子およびその駆動方法、並びに電子機器
要約:
(EN) The present technique relates to: a solid-state imaging element which is capable of improving image quality by suppressing voltage variation in a charge retention unit; a method for driving the solid-state imaging element; and an electronic device. A first photoelectric conversion unit generates a signal charge by receiving light that is incident on a pixel and photoelectrically converting the light, and stores the signal charge. A first charge retention unit retains the generated signal charge. A first output transistor outputs the signal charge in the first charge retention unit as a pixel signal in cases where a pixel is selected by a first selection transistor. A first voltage control transistor controls the voltage of an output terminal of the first output transistor. The present technique is applicable, for example, to a pixel of a solid-state imaging element, and the like.
(FR) La technique selon la présente invention concerne : un élément d'imagerie à semi-conducteurs qui est capable d'améliorer la qualité de l'image par suppression de la variation de tension dans une unité de rétention de charge ; un procédé de commande de l'élément d'imagerie à semi-conducteurs ; et un dispositif électronique. Une première unité de conversion photoélectrique génère une charge de signal par réception de la lumière qui est incidente sur un pixel et par conversion photoélectrique de la lumière, et stocke la charge de signal. Une première unité de rétention de charge retient la charge de signal générée. Un premier transistor de sortie délivre en sortie la charge de signal dans la première unité de rétention de charge sous forme d'un signal de pixel dans les cas où un pixel est sélectionné par un premier transistor de sélection. Un premier transistor de commande de tension commande la tension d'une borne de sortie du premier transistor de sortie. La présente technique est applicable, par exemple, à un pixel d'un élément d'imagerie à semi-conducteurs, et similaires.
(JA)  本技術は、電荷保持部の電圧ばらつきを抑制することにより、画質を向上させることができるようにする固体撮像素子およびその駆動方法、並びに電子機器に関する。 第1の光電変換部は、画素に入射された光を受光して光電変換することで信号電荷を生成して蓄積する。第1の電荷保持部は、生成された信号電荷を保持する。第1の出力トランジスタは、第1の選択トランジスタにより画素が選択された場合、第1の電荷保持部の信号電荷を画素信号として出力する。第1の電圧制御トランジスタは、第1の出力トランジスタの出力端の電圧を制御する。本開示の技術は、例えば、固体撮像素子の画素等に適用できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20170019618CN106063253KR1020160133412US20180227517