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1. (WO2015137109) 半導体装置の製造方法および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137109 国際出願番号: PCT/JP2015/055237
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 24.02.2015
IPC:
H01L 23/40 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
40
分離できる冷却または加熱装置のための取り付けまたは固着手段
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
出願人:
富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
発明者:
坂本 陽 SAKAMOTO Yo; JP
代理人:
龍華国際特許業務法人 RYUKA IP LAW FIRM; 東京都新宿区西新宿1-6-1 新宿エルタワー22階 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522, JP
優先権情報:
2014-04734411.03.2014JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置
要約:
(EN) Provided is a method for producing a semiconductor device which includes: a step for preparing a semiconductor unit on which a semiconductor chip is mounted, and having a first principal surface provided with a heat-dissipating section and a second principal surface facing the first principal surface; a step for preparing a cooling device having a flat surface; a step for coating the first principal surface of the semiconductor unit or the flat surface of the cooling device with a paste containing metal nanoparticles; a step for contacting the first principal surface of the semiconductor unit and the flat surface of the cooling device to one another with the paste interposed therebetween; and a step for applying uniform in-plane pressure to the second principal surface of the semiconductor unit while simultaneously increasing the temperature of the paste, and forming a joining layer by sintering the paste.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, comprenant les étapes consistant à : préparer une unité à semi-conducteur sur laquelle est montée une puce à semi-conducteur, et présentant une première surface principale munie d'une section de dissipation thermique et une seconde surface principale faisant face à la première surface principale ; préparer un dispositif de refroidissement présentant une surface plane ; revêtir la première surface principale de l'unité à semi-conducteur ou la surface plane du dispositif de refroidissement d'une pâte contenant des nanoparticules métalliques ; mettre en contact la première surface principale de l'unité à semi-conducteur et la surface plane du dispositif de refroidissement, ladite pâte étant interposée entre celles-ci ; et appliquer une pression uniforme dans le plan à la seconde surface principale de l'unité à semi-conducteur tout en augmentant simultanément la température de la pâte, et former une couche de jonction par frittage de la pâte.
(JA)  放熱部を備えた第1主面と、第1主面と対向する第2主面を有し、半導体チップを搭載した半導体ユニットを準備する工程と、平坦面を有する冷却器を準備する工程と、半導体ユニットの第1主面、もしくは冷却器の平坦面に金属ナノ粒子を含んだペーストを塗布する工程と、ペーストを介して半導体ユニットの第1主面と冷却器の平坦面を接触させる工程と、ペーストを昇温すると同時に半導体ユニットの第2主面に面内で均一な加圧力を加え、ペーストを焼結して接合層を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN105531818US20160197024