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1. (WO2015137089) 弾性波装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137089 国際出願番号: PCT/JP2015/054768
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 20.02.2015
IPC:
H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/25 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
02
細部
125
駆動手段,例.電極,コイル
145
弾性表面波を用いる回路網のためのもの
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25
弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
木村 哲也 KIMURA, Tetsuya; JP
代理人:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
優先権情報:
2014-05129914.03.2014JP
発明の名称: (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
(JA) 弾性波装置
要約:
(EN) Provided is an acoustic wave device that has an IDT electrode having a thicker wavelength normalized thickness, in terms of aluminum (Al), than before and can be easily manufactured. This acoustic wave device (1) has an IDT electrode (3) disposed on a main surface (2a) of an LiTaO3 substrate (2) and utilizes plate wave in an SH0 mode, that is, a basic mode composed primarily of an SH wave. The wavelength normalized thickness of the LiTaO3 substrate (2) that is normalized by a frequency defined by the pitch of electrode fingers of the IDT electrode (3) of the LiTaO3 substrate (2) and the wavelength normalized thickness of the IDT electrode (3) in terms of Al satisfy either one of the combinations in table 1 shown below.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif à ondes acoustiques qui a une électrode IDT ayant une épaisseur normalisée de longueur d'onde plus épaisse, en termes d'aluminium (Al), qu'avant et peut être facilement fabriqué. Ce dispositif à ondes acoustiques (1) a une électrode IDT (3) disposée sur une surface principale (2a) d'un substrat de LiTaO3 (2) et utilise une onde de plaque dans un mode SH0, c'est-à-dire, un mode de base composé principalement d'une onde SH. L'épaisseur normalisée de longueur d'onde du substrat de LiTaO3 (2) qui est normalisée par une fréquence définie par le pas de doigts d'électrode de l'électrode IDT (3) du substrat de LiTaO3 (2) et l'épaisseur normalisée de longueur d'onde de l'électrode IDT (3) en termes d'Al satisfont l'une ou l'autre des combinaisons dans le tableau 1 représenté ci-dessous. [Tableau 1]
(JA)  IDT電極のAl換算波長規格化厚みが従来よりも厚く、かつ、温度特性が良好であり、製造容易な弾性波装置を提供する。 LiTaO基板2の主面2aにIDT電極3が設けられており、SH波が主体の基本モードであるSH0モードの板波を利用している、弾性波装置1。LiTaO基板2のIDT電極3の電極指ピッチで定まる波長により規格化したLiTaO基板2の波長規格化厚みと、IDT電極3のAl換算波長規格化厚みとが、下記の表1に示すいずれかの組み合わせを満たしている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN105993129DE112015001242US20160352305JPWO2015137089