国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現在ご利用になれません。
この状況が続く場合は、次のお問い合わせ先までご連絡ください。フィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015137084) 赤外カットフィルター
Document

明 細 書

発明の名称 赤外カットフィルター

技術分野

0001  

背景技術

0002   0003  

先行技術文献

特許文献

0004  

発明の概要

発明が解決しようとする課題

0005   0006   0007  

課題を解決するための手段

0008   0009  

発明の効果

0010  

図面の簡単な説明

0011  

発明を実施するための形態

0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033  

実施例

0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054  

符号の説明

0055  

請求の範囲

1   2   3   4   5   6   7  

図面

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18  

明 細 書

発明の名称 : 赤外カットフィルター

技術分野

[0001]
 本発明は、赤外カットフィルターに関するものであり、例えば、カメラユニットに用いられる赤外カットフィルターに関するものである。

背景技術

[0002]
 カメラ付き携帯電話,スマートフォン(高機能携帯電話)等の画像入力機能付きデジタル機器には、撮像レンズで形成された光学像を電気信号に変換する撮像素子として、シリコン半導体デバイス(例えば、CCD(Charge Coupled Device)型イメージセンサー,CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)型イメージセンサー等の固体撮像素子)が従来より一般的に用いられている。このシリコン半導体デバイスは、近赤外線領域まで感度を持っているため、光が入射すると可視光以外に近赤外線をも映像として取り込んでしまう。その結果、得られた映像には疑似色が発生する等の問題が生じることになる。
[0003]
 そこで、従来の画像入力機能付きデジタル機器では、撮像レンズと撮像素子との間に赤外カットフィルターを挿入することでこの問題を解消している。赤外カットフィルターとしては、さまざまなタイプのものが提案されており、例えば特許文献1~3には、カメラ用の赤外カットフィルターとして、入射角度依存性の少ないものが提案されている。

先行技術文献

特許文献

[0004]
特許文献1 : WO2013/042738 A1
特許文献2 : 特開2013-178338号公報
特許文献3 : US2013/0021515 A1

発明の概要

発明が解決しようとする課題

[0005]
 撮像レンズ,撮像素子等を備えたカメラユニットでは、カメラの低背化や撮像素子の大型化に伴って、赤外カットフィルターへの光線入射角度が大きくなる。ガラス基板の両面に誘電体多層膜が形成された一般的な赤外カットフィルターの場合、入射角度0度と入射角度30度とではカットオフ波長のシフト量が大きいため、画面中心部と周辺部とで色が異なる色シェーディング現象が発生してしまう。吸収ガラスを用いることにより色シェーディング現象の発生を抑制することは可能であるが、吸収ガラスを薄くすると吸収量が確保できなくなったり落下強度の低下を招いたりすることになる。
[0006]
 特許文献1に記載の赤外カットフィルターの場合、透明基板からなるものは透過率90%~50%での入射角度0度と30度との波長差の和が大きいため、色シェーディングが少ないとは言えない。特許文献2に記載の赤外カットフィルターの場合、波長600~620での平均透過率が小さいためゴーストが少ないとは言えず、波長700~1100nmでの最大透過率も大きいため、画面全体あるいは特定の色に赤色がかぶる赤かぶりが少ないとは言えない。特許文献3に記載の赤外カットフィルターの場合、波長1100~1200nmでの平均透過率が開示されておらず、膜構成から特性を再現することも困難であるが、赤かぶりが少ないとは言えない。また、各基板面の多層膜特性は不明であるが、生産性が良好な膜構成にはなっていない。
[0007]
 本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、ゴースト,色シェーディング及び赤かぶりの少ない赤外カットフィルターを提供することにある。

課題を解決するための手段

[0008]
 上記目的を達成するために、本発明の赤外カットフィルターは、基板の両面に誘電体多層膜を有する赤外カットフィルターであって、
 波長425~620nmにおける入射角度0度での平均透過率が95%以上であり、
 波長425~620nmにおける入射角度30度での平均透過率が94%以上であり、
 波長600~620nmにおける入射角度0度での平均透過率が91%以上であり、
 波長580~700nmにおいて、以下の条件式(1)及び(2)を満足し、
 波長700~1100nmにおける平均透過率が0.5%以下で最大透過率が1.8%以下であり、
 波長1100~1200nmにおける平均透過率が8%以下で最大透過率12.5%以下である。
Σ[T=50~90%]|λT(0度)-λT(30度)|<400 …(1)
Σ[T= 5~50%]|λT(0度)-λT(30度)|<850 …(2)
 ただし、
Σ[T=a~b%]|λT(0度)-λT(30度)|:透過率Tがa%からb%までの1%毎の波長差|λT(0度)-λT(30度)|の和、
λT(θ):入射角度θ度で透過率T%のときの波長(nm)、
である。
[0009]
 本発明のカメラユニットは、上記赤外カットフィルターを備えたものである。

発明の効果

[0010]
 本発明によれば、分光特性に特徴のある誘電体多層膜を基板の両面に有する構成になっているため、ゴースト,色シェーディング及び赤かぶりの少ない赤外カットフィルターと、それを備えたカメラユニットを実現することができる。そして、本発明に係るカメラユニットをデジタルカメラ,スマートフォン等のデジタル機器に用いることによって、高性能の画像入力機能を安価に実現することが可能となる。

図面の簡単な説明

[0011]
[図1] 赤外カットフィルターの一実施の形態を模式的に示す断面図。
[図2] 赤外カットフィルターの分光特性とゴースト,色シェーディング及び赤かぶりとの関係を説明するための図。
[図3] 色シェーディングと波長シフト量の和との関係を説明するための図。
[図4] 画像入力機能付きデジタル機器の概略構成例を示すブロック図。
[図5] 比較例1のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。
[図6] 比較例1の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。
[図7] 比較例2のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。
[図8] 比較例2の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。
[図9] 比較例3のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。
[図10] 比較例3の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。
[図11] 実施例1のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。
[図12] 実施例1の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。
[図13] 実施例2のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。
[図14] 実施例2の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。
[図15] 実施例3のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。
[図16] 実施例3の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。
[図17] 実施例4のフィルター全体の分光透過率を示すグラフ。
[図18] 実施例4の各フィルター面の分光透過率を示すグラフ。

発明を実施するための形態

[0012]
 以下、本発明を実施した赤外カットフィルター,カメラユニット等を、図面を参照しつつ説明する。図1に、基板SU(例えば、ガラス基板)の両面に誘電体多層膜MA,MBがコーティングされた赤外カットフィルターFRの一実施の形態について、その断面構造を模式的に示す。この赤外カットフィルターFRは、基板SU両面の誘電体多層膜MA,MBに特徴的な分光特性を持たせることにより、ゴースト,色シェーディング及び赤かぶりを良好に低減するものである。本発明者は様々な特性の赤外カットフィルターを作製し、カメラユニットに組み込んで画像評価を実施し、フィルター特性,ゴースト,色シェーディング,赤かぶり等の評価結果を解析した。その結果、ゴースト,色シェーディング,赤かぶりと赤外カットフィルターFRの分光特性との間には、以下に説明するような関係があることを見出した。その一例を図2に示す(θ:入射角度)。
[0013]
 ゴーストは、可視領域(波長425~650nm)の反射率と相関があり、その反射率が少ない方がゴーストの発生が抑制される。言い換えれば、誘電体多層膜は可視領域での光の吸収がほとんどないため、透過率が高いとゴーストが抑制される。ゴーストと関係する特性は、具体的には、波長425~620nmにおける入射角度0度での平均透過率と、波長425~620nmにおける入射角度30度での平均透過率と、波長600~620nmにおける入射角度0度での平均透過率と、である。これらの数値と実写テストの画像評価結果との関係から、ゴーストを良好に低減することの可能な閾値を算出することができる。
[0014]
 色シェーディングは、赤外カットフィルターに対する入射角度0度と30度との透過率差に関係があり、その透過率差が小さくなれば色シェーディングの発生が抑制される。色シェーディングと関係する特性は、具体的には、透過率90%から透過率50%までの間の入射角度0度と30度との波長シフト量の和、及び透過率50%から透過率5%までの間の入射角度0度と30度との波長シフト量の和である。これらの数値と実写テストの画像評価結果との関係から、色シェーディングを良好に低減することの可能な閾値を算出することができる。
[0015]
 赤かぶりは、波長700~1200nmの透過率と相関があり、その透過率が小さい方が赤かぶりの発生が抑制される。赤かぶりと関係する特性は、具体的には、波長700~1100nmにおける平均透過率及び最大透過率、並びに波長1100~1200nmにおける平均透過率及び最大透過率である。これらの数値と実写テストの画像評価結果との関係から、赤かぶりを良好に低減することの可能な閾値を算出することができる。
[0016]
 上記観点に基づく本発明に係る赤外カットフィルターFRは、基板SUの両面に誘電体多層膜MA,MBを有する赤外カットフィルターであって、
 波長425~620nmにおける入射角度0度での平均透過率が95%以上であり、
 波長425~620nmにおける入射角度30度での平均透過率が94%以上であり、
 波長600~620nmにおける入射角度0度での平均透過率が91%以上であり、
 波長580~700nmにおいて、以下の条件式(1)及び(2)を満足し、
 波長700~1100nmにおける平均透過率が0.5%以下で最大透過率が1.8%以下であり、
 波長1100~1200nmにおける平均透過率が8%以下で最大透過率12.5%以下であることを特徴とするものである。
Σ[T=50~90%]|λT(0度)-λT(30度)|<400 …(1)
Σ[T= 5~50%]|λT(0度)-λT(30度)|<850 …(2)
 ただし、
Σ[T=a~b%]|λT(0度)-λT(30度)|:透過率Tがa%からb%までの1%毎の波長差|λT(0度)-λT(30度)|の和、
λT(θ):入射角度θ度で透過率T%のときの波長(nm)、
である。
[0017]
 図3の分光透過率のグラフに、色シェーディングと、波長シフト量の和:Σ[T=a~b%]|λT(0度)-λT(30度)|と、の関係を示す。図3(a)中の斜線部分は条件式(1)が規定している条件範囲を示しており、図3(b)中の斜線部分は条件式(2)が規定している条件範囲を示している。そして、条件式(1),(2)は両方とも色シェーディングを良好に補正するための条件範囲を規定している。条件式(1)は高透過率範囲を規定しているので、条件式(1)を満たすようにその上限を設定することにより、効果的な色シェーディング補正が可能となる。一方、条件式(2)はセンサー感度の弱い範囲である低透過率範囲を規定しているので、条件式(2)を満たすようにその上限を設定することにより、少ない光量に対応した効果的な色シェーディング補正が可能となる。したがって、色シェーディングの発生を抑えるには、条件式(1),(2)を両方とも満たすのが効果的である。つまり、条件式(1),(2)を満たすように、透過率90%から透過率50%までの間の入射角度0度と30度との波長シフト量の和と、透過率50%から透過率5%までの間の入射角度0度と30度との波長シフト量の和と、を両方共小さくすればよい。
[0018]
 生産性を良好にするために少ない層数で色シェーディングを低減する場合には、透過率90%から透過率50%までの間の入射角度0度と30度との波長シフト量の和:Σ[T=50~90%]|λT(0度)-λT(30度)|を重視して、それを小さくすれば良好な結果を得ることができる。波長シフト量の和:Σ[T=50~90%]|λT(0度)-λT(30度)|を重視して、それを小さくする最適な方法を考えた場合、波長580~700nmにおいて、基板SU両面の誘電体多層膜MA,MBからなる両フィルター面のうち、入射角度0度で透過率50%のときの波長λ50%(0度)の短い方の面をA面とし、長い方の面をB面とすると、A面の特性で波長シフト量の和:Σ[T=50~90%]|λT(0度)-λT(30度)|を小さくして、その波長域580~700nmでB面が赤外カットフィルターFRの特性に影響しないように高い透過率を持つのが好ましい。また、透過率50%から透過率5%までの間の入射角度0度と30度との波長シフト量の和:Σ[T= 5~50%]|λT(0度)-λT(30度)|を重視して、それをB面の特性で小さくすれば、色シェーディングを低減する上で良好な結果を得ることができる。
[0019]
 上記特徴的構成によると、分光特性に特徴のある誘電体多層膜MA,MBを基板SUの両面に有する構成になっているため、ゴースト,色シェーディング及び赤かぶりの少ない赤外カットフィルターFRを実現することができる。そして、赤外カットフィルターFRを備えたカメラユニットをデジタルカメラ,スマートフォン等のデジタル機器に用いることによって、高性能の画像入力機能を安価に実現することが可能となる。そして、ゴースト,色シェーディング及び赤かぶりの低減を更に効果的に達成するための条件等を以下に説明する。
[0020]
 波長580~700nmにおいて、以下の条件式(3)を満足することが好ましい。
-15≦λA50%(0度)-λB50%(30度)≦10 …(3)
 ただし、
λA50%(0度):A面において入射角度0度で透過率50%のときの波長(nm)、
λB50%(30度):B面において入射角度30度で透過率50%のときの波長(nm)、
である。
[0021]
 前述したように、A面で透過率90~50%の波長シフト量を重視して小さくし、B面で透過率50~5%の波長シフト量を重視して小さくすることは、A面において入射角度0度で透過率50%のときの波長λA50%(0度)と、B面において入射角度30度で透過率50%のときの波長λB50%(30度)と、の波長差:λA50%(0度)-λB50%(30度)と関係がある。この波長差が大きすぎると(つまり、A面とB面との重なりが大きいと)、透過率90%~50%の波長シフトがB面の特性の影響を受けて大きくなり、色シェーディングが悪化する。また、波長差が小さすぎると(つまり、A面とB面とがあまり重ならない)と、波長700nm以上の透過率がB面のカットオフ領域のスソにかかって大きくなり、赤かぶりが悪化する。
[0022]
 条件式(3)を満たすことにより、A面の誘電体多層膜MAで色シェーディングに効く波長シフトを抑えることができ、B面の誘電体多層膜MBで適正に赤外カットすることができる。条件式(3)の上限を上回ると色シェーディングが大きくなり、条件式(3)の下限を下回ると赤かぶりが大きくなる。角度依存性が小さいA面の誘電体多層膜MAで斜めの特性を決めており、B面の誘電体多層膜MBで赤外カットしているので、条件式(3)の下限を下回ると、λB50%(30度)がλA50%(0度)より長波長側に離れて、誘電体多層膜MBの分光特性(0度)で700nmあたりを赤外カットすることが困難になる。
[0023]
 ゴースト,色シェーディング及び赤かぶりを抑制する設計は、各誘電体多層膜MA,MBの層数を多くすることにより可能であるが、層数が多くなると、材料の表面粗さや材料に僅かにある吸収によって光の散乱や光の吸収が発生することになり、生産性も悪くなる。したがって、前述した構成を有する赤外カットフィルターFRでは、誘電体多層膜MA,MBの層数は、片面で200層以下であることが好ましく、片面で100層以下であることが更に好ましい。
[0024]
 ゴーストと関係する特性に関して、波長425~620nmにおける入射角度0度での平均透過率が99%以上であり、波長425~620nmにおける入射角度30度での平均透過率が97%以上であり、波長600~620nmにおける入射角度0度での平均透過率が98.5%以上であることが好ましい。この条件は、前述したゴースト関連の条件範囲のなかでも、前記観点等に基づいた更に好ましい条件範囲を規定している。したがって、好ましくはこの条件を満たすことにより、前記ゴースト低減効果をより一層大きくすることができる。
[0025]
 赤外カットフィルターFRは、波長580~700nmにおいて、以下の条件式(1a)を満足することが好ましい。
Σ[T=50~90%]|λT(0度)-λT(30度)|<215 …(1a)
 この条件式(1a)は、前記条件式(1)が規定している条件範囲のなかでも、前記観点等に基づいた更に好ましい条件範囲を規定している。したがって、好ましくは条件式(1a)を満たすことにより、前記色シェーディング低減効果をより一層大きくすることができる。
[0026]
 赤かぶりと関係する特性に関して、波長700~1100nmにおける平均透過率が0.15%以下で最大透過率が1%以下であり、波長1100~1200nmにおける平均透過率が4%以下で最大透過率9%以下であることが好ましく、波長700~1100nmにおける平均透過率が0.1%以下で最大透過率が0.7%以下であり、波長1100~1200nmにおける平均透過率が1%以下で最大透過率1.5%以下であることが更に好ましい。これらの条件は、前述した赤かぶり関連の条件範囲のなかでも、前記観点等に基づいた更に好ましい条件範囲を規定している。したがって、好ましくはこの条件を満たすことにより、前記赤かぶり低減効果をより一層大きくすることができる。
[0027]
 画像入力機能付きデジタル機器(例えばスマートフォン)に搭載される撮像光学装置(例えばカメラユニット)においては、本発明に係る赤外カットフィルターFRの使用が適している。撮像光学装置は、被写体の静止画撮影や動画撮影に用いられるカメラの主たる構成要素を成す光学装置であり、例えば、物体(すなわち被写体)の光学像を形成する撮像レンズと、その撮像レンズにより形成された光学像を電気的な信号に変換する撮像素子(例えば、CCD型イメージセンサー,CMOS型イメージセンサー等の固体撮像素子)と、撮像レンズと撮像素子との間に配置される赤外カットフィルターFRと、を備えることにより、被写体の映像を光学的に取り込んで電気的な信号として出力するものである。
[0028]
 画像入力機能付きデジタル機器の例としては、デジタルカメラ,ビデオカメラ,監視カメラ,車載カメラ,テレビ電話用カメラ等のカメラが挙げられる。また、パーソナルコンピュータ,携帯用デジタル機器(例えば、携帯電話,スマートフォン,タブレット端末,モバイルコンピュータ等の小型情報機器端末),これらの周辺機器(スキャナー,プリンター等),その他のデジタル機器等に内蔵又は外付けによりカメラ機能が搭載されたものが挙げられる。これらの例から分かるように、撮像光学装置を用いることによりカメラを構成することができるだけでなく、各種機器に撮像光学装置を搭載することによりカメラ機能を付加することが可能である。例えば、スマートフォン等の画像入力機能付きデジタル機器を構成することが可能である。
[0029]
 図4に、画像入力機能付きデジタル機器の一例として、デジタル機器DUの概略構成例を模式的断面で示す。図4に示すデジタル機器DUに搭載されている撮像光学装置LUは、物体(すなわち被写体)側から順に、物体の光学像(像面)IMを形成する撮像レンズLN(AX:光軸)と、赤外カットフィルターFRと、撮像レンズLNにより光電変換部である受光面(撮像面)SS上に形成された光学像IMを電気的な信号に変換する撮像素子SRと、を備えている。この撮像光学装置LUで画像入力機能付きデジタル機器DUを構成する場合、通常そのボディ内部に撮像光学装置LUを配置することになるが、カメラ機能を実現する際には必要に応じた形態を採用することが可能である。例えば、ユニット化した撮像光学装置LUをデジタル機器DUの本体に対して着脱可能又は回動可能に構成することが可能である。
[0030]
 デジタル機器DUは、撮像光学装置LUの他に、信号処理部1,制御部2,メモリー3,操作部4,表示部5等を備えている。撮像素子SRで生成した信号は、信号処理部1で所定のデジタル画像処理や画像圧縮処理等が必要に応じて施され、デジタル映像信号としてメモリー3(半導体メモリー,光ディスク等)に記録されたり、場合によってはケーブルを介したり赤外線信号等に変換されたりして他の機器に伝送される(例えば携帯電話の通信機能)。制御部2はマイクロコンピュータからなっており、撮影機能(静止画撮影機能,動画撮影機能等),画像再生機能等の機能の制御;フォーカシングのためのレンズ移動機構の制御等を集中的に行う。例えば、被写体の静止画撮影,動画撮影のうちの少なくとも一方を行うように、制御部2により撮像光学装置LUに対する制御が行われる。表示部5は液晶モニター等のディスプレイを含む部分であり、撮像素子SRによって変換された画像信号あるいはメモリー3に記録されている画像情報を用いて画像表示を行う。操作部4は、操作ボタン(例えばレリーズボタン),操作ダイヤル(例えば撮影モードダイヤル)等の操作部材を含む部分であり、操作者が操作入力した情報を制御部2に伝達する。
[0031]
 赤外カットフィルターFRは、基板SU両面の誘電体多層膜MA,MBがいずれも可視域の光を透過させ赤外域の光を反射させる光学特性を有するものである。例えば、波長450~600nmの光を透過させ、波長700nm以上の光を反射させる赤外カットフィルターを作製する場合、誘電体多層膜MA,MBを構成するTiO 2とSiO 2を、光学的な膜厚が赤外域(例えば、波長900nm)の1/4波長に相当する膜厚を交互に積層する。そして、波長450nm~600nmの光を効率良く透過させるため、各層の膜厚を少しずつ1/4波長からずらし、干渉の効果を抑えるように設定する。赤外カットフィルターFRの成膜方法としては、真空蒸着、イオンアシスト成膜、イオンプレーティング成膜、スパッタ成膜(反応性スパッタ成膜等)、イオンビームスパッタ成膜等が挙げられる。基板SU両面の誘電体多層膜MA,MBは、いずれもこれらの成膜方法で形成されたものであることが望ましい。
[0032]
 基板SUはガラスからなることが好ましい。プラスチック基板は、誘電体多層膜の形成に不向きである。したがって、赤外カットフィルターFRとしてある程度の強度を有し、かつ、剥がれの生じない信頼性のある透明基板としては、プラスチック基板よりもガラス基板が好ましい。
[0033]
 基板SUの両面の誘電体多層膜MA,MBがいずれも少なくとも2つの蒸着材料からなり、そのうちの少なくとも1つがSiO 2又はSiO 2を含む混合物からなることが好ましい。また、基板SUの両面の誘電体多層膜MA,MBがいずれも少なくとも2つの蒸着材料からなり、そのうちの少なくとも1つがTiO 2、Nb 25、Ta 25、ZrO 2又はそのいずれかを含む混合物からなることが好ましい。SiO 2等の低屈折率材料やTiO 2等の高屈折率材料は、圧縮応力を持たせる上で好ましい材料であり、製造が容易であり、性能に要求される屈折率に関しても好ましい材料である。
実施例
[0034]
 以下、本発明に係る赤外カットフィルターの構成等を、比較例1~3及び実施例1~4のコンストラクションデータ等を挙げて更に具体的に説明する。コンストラクションデータでは、誘電体多層膜MA,MBの各層の成膜材料及び膜厚(nm)、並びに基板SU及び成膜材料の屈折率n(波長540nm)を示す。比較例1~3及び実施例1,2では、誘電体多層膜MA,MBがいずれも、Nb 25からなる高屈折率層と、SiO 2からなる低屈折率層と、の交互層(Nb2O5/SiO2)で構成されており、実施例3,4では、誘電体多層膜MA,MBがいずれも、TiO 2からなる高屈折率層と、SiO 2からなる低屈折率層と、の交互層(TiO2/SiO2)で構成されている。
[0035]
 表1に、比較例1~3及び実施例1~4の特性値,条件式対応値等を示し、表2に、以下の画像評価方法を用いて得られた評価結果を示す。また、図5~18のグラフに、比較例1~3及び実施例1~4の分光特性を示す。図5,図7,…,図15,図17はフィルター全体の分光透過率(入射角度θ=0°,30°)を示しており、図6,図8,…,図16,図18は各フィルター面(A面,B面)の分光透過率(入射角度θ=0°,30°)を示している。
[0036]
 [画像評価方法] 図4に示すように、撮像レンズLN(正負正正負の5枚構成)と撮像素子SRとの間に、A面側が撮像素子SRと対向するように赤外カットフィルターFRを配置し、写真を撮ってその画像を評価した。ゴースト評価(波長:425~620nm)では、光源を光軸AXに対して5度ピッチで短辺,長辺,対角に位置するように配置し、撮った画像からゴーストの出方を評価した。色シェーディング評価(波長:580~700nm)では、光源として全面が白いものを撮影し、周辺部と中心部の色目の違いを評価した。赤かぶり評価(波長:700~1200nm)では、光源で照明された黒い物体を撮影し、撮影された画像と物体の色目の違いを評価した。光源としては、DAYLIGHT(北窓光),Cool White(冷白色蛍光灯),HORIZON(日没光),INCA(ショーケース光)を用いた。
[0037]
 表1中、
*1:波長425~620nmにおける入射角度0度での平均透過率(%)、
*2:波長425~620nmにおける入射角度30度での平均透過率(%)、
*3:波長600~620nmにおける入射角度0度での平均透過率(%)、
*4:波長700~1100nmにおける平均透過率(%)、
*5:波長700~1100nmにおける最大透過率(%)、
*6:波長1100~1200nmにおける平均透過率(%)、
*7:波長1100~1200nmにおける最大透過率(%)、
λA50%(0度):A面において入射角度0度で透過率50%のときの波長(nm)、
λB50%(0度):B面において入射角度0度で透過率50%のときの波長(nm)、
λB50%(30度):B面において入射角度30度で透過率50%のときの波長(nm)、
であり、これらの数値を条件式(1)~(3)の対応値と併せて示す。
[0038]
 表2に示す評価結果では、
D:許容不可能なレベル、
C:少し問題がある程度の許容可能なレベル、
B:問題無い許容可能なレベル、
A:全く問題無い許容可能なレベル、
とした。
[0039]
 比較例1
多層膜MA(A面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.39

層 材料 膜厚(nm)
1 SiO2 188.38
2 Nb2O5 15.15
3 SiO2 32.36
4 Nb2O5 131.87
5 SiO2 32.99
6 Nb2O5 17.68
7 SiO2 398.71
8 Nb2O5 22.86
9 SiO2 34.94
10 Nb2O5 36.95
11 SiO2 185.92
12 Nb2O5 86.08
13 SiO2 19.58
14 Nb2O5 24.40
15 SiO2 44.06
16 Nb2O5 127.03
17 SiO2 26.41
18 Nb2O5 133.05
19 SiO2 27.31
20 Nb2O5 132.96
21 SiO2 29.16
22 Nb2O5 130.45
23 SiO2 31.00
24 Nb2O5 128.35
25 SiO2 31.06
26 Nb2O5 128.73
27 SiO2 33.58
28 Nb2O5 129.50
29 SiO2 36.22
30 Nb2O5 124.47
31 SiO2 53.14
32 Nb2O5 24.69
33 SiO2 13.91
34 Nb2O5 79.38
35 SiO2 200.47
36 Nb2O5 16.43
37 SiO2 200.03
38 Nb2O5 95.12
39 SiO2 131.85
40 Nb2O5 90.18
41 SiO2 144.59
42 Nb2O5 95.05
43 SiO2 161.79
44 Nb2O5 84.43
45 SiO2 37.89
46 Nb2O5 15.15
47 SiO2 58.99
48 Nb2O5 99.29
49 SiO2 169.89
50 Nb2O5 33.59
51 SiO2 29.51
52 Nb2O5 25.57
53 SiO2 170.14
54 Nb2O5 16.41
55 SiO2 22.54
56 Nb2O5 65.88
57 SiO2 18.69
58 Nb2O5 28.11
59 SiO2 203.62
60 Nb2O5 107.66
61 SiO2 206.28
62 Nb2O5 26.38
63 SiO2 27.17
64 Nb2O5 131.61
65 SiO2 173.95
66 Nb2O5 99.66
67 SiO2 157.76
68 Nb2O5 97.97
69 SiO2 83.39
[0040]
 比較例1
多層膜MB(B面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.39

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 14.63
2 SiO2 47.88
3 Nb2O5 23.01
4 SiO2 191.84
5 Nb2O5 115.50
6 SiO2 25.77
7 Nb2O5 117.17
8 SiO2 52.53
9 Nb2O5 14.63
10 SiO2 35.23
11 Nb2O5 90.70
12 SiO2 190.20
13 Nb2O5 15.61
14 SiO2 221.29
15 Nb2O5 14.63
16 SiO2 217.11
17 Nb2O5 16.34
18 SiO2 187.01
19 Nb2O5 86.72
20 SiO2 25.86
21 Nb2O5 16.74
22 SiO2 49.39
23 Nb2O5 102.56
24 SiO2 18.22
25 Nb2O5 16.13
26 SiO2 28.51
27 Nb2O5 106.36
28 SiO2 19.32
29 Nb2O5 17.53
30 SiO2 23.21
31 Nb2O5 119.66
32 SiO2 21.56
33 Nb2O5 132.02
34 SiO2 19.79
35 Nb2O5 123.94
36 SiO2 15.24
37 Nb2O5 22.64
38 SiO2 14.63
39 Nb2O5 120.11
40 SiO2 18.69
41 Nb2O5 120.08
42 SiO2 24.50
43 Nb2O5 18.25
44 SiO2 18.36
45 Nb2O5 115.81
46 SiO2 22.13
47 Nb2O5 118.79
48 SiO2 42.60
49 Nb2O5 20.05
50 SiO2 22.85
51 Nb2O5 86.07
52 SiO2 156.82
53 Nb2O5 85.07
54 SiO2 157.16
55 Nb2O5 105.44
56 SiO2 178.10
57 Nb2O5 109.09
58 SiO2 176.07
59 Nb2O5 106.98
60 SiO2 174.50
61 Nb2O5 99.23
62 SiO2 164.22
63 Nb2O5 95.44
64 SiO2 167.02
65 Nb2O5 101.09
66 SiO2 85.49
[0041]
 比較例2
多層膜MA(A面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 14.28
2 SiO2 35.73
3 Nb2O5 114.45
4 SiO2 196.82
5 Nb2O5 15.55
6 SiO2 203.33
7 Nb2O5 35.97
8 SiO2 28.56
9 Nb2O5 16.23
10 SiO2 134.47
11 Nb2O5 111.08
12 SiO2 33.69
13 Nb2O5 125.54
14 SiO2 29.75
15 Nb2O5 129.86
16 SiO2 29.14
17 Nb2O5 128.16
18 SiO2 29.69
19 Nb2O5 127.96
20 SiO2 29.89
21 Nb2O5 127.01
22 SiO2 30.13
23 Nb2O5 127.97
24 SiO2 30.59
25 Nb2O5 127.78
26 SiO2 30.36
27 Nb2O5 128.81
28 SiO2 29.79
29 Nb2O5 128.57
30 SiO2 28.59
31 Nb2O5 129.83
32 SiO2 27.90
33 Nb2O5 129.82
34 SiO2 27.10
35 Nb2O5 130.60
36 SiO2 26.84
37 Nb2O5 128.22
38 SiO2 27.16
39 Nb2O5 115.70
40 SiO2 48.45
41 Nb2O5 14.41
42 SiO2 32.98
43 Nb2O5 91.74
44 SiO2 41.00
45 Nb2O5 15.00
46 SiO2 38.68
47 Nb2O5 93.99
48 SiO2 27.72
49 Nb2O5 17.30
50 SiO2 34.30
51 Nb2O5 115.57
52 SiO2 24.24
53 Nb2O5 115.71
54 SiO2 28.56
55 Nb2O5 16.89
56 SiO2 28.56
57 Nb2O5 114.81
58 SiO2 28.56
59 Nb2O5 115.01
60 SiO2 55.50
61 Nb2O5 14.95
62 SiO2 28.56
63 Nb2O5 81.55
64 SiO2 145.32
65 Nb2O5 89.25
66 SiO2 191.09
67 Nb2O5 23.04
68 SiO2 37.35
69 Nb2O5 113.82
70 SiO2 158.36
71 Nb2O5 85.25
72 SiO2 75.02
[0042]
 比較例2
多層膜MB(B面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 15.38
2 SiO2 30.98
3 Nb2O5 57.67
4 SiO2 23.94
5 Nb2O5 23.79
6 SiO2 97.67
7 Nb2O5 17.92
8 SiO2 30.75
9 Nb2O5 63.82
10 SiO2 46.28
11 Nb2O5 15.38
12 SiO2 75.48
13 Nb2O5 42.78
14 SiO2 25.62
15 Nb2O5 27.01
16 SiO2 113.30
17 Nb2O5 19.51
18 SiO2 30.75
19 Nb2O5 39.64
20 SiO2 163.91
21 Nb2O5 84.80
22 SiO2 151.54
23 Nb2O5 86.74
24 SiO2 33.52
25 Nb2O5 15.38
26 SiO2 45.62
27 Nb2O5 93.29
28 SiO2 147.13
29 Nb2O5 86.07
30 SiO2 147.27
31 Nb2O5 94.66
32 SiO2 56.66
33 Nb2O5 15.38
34 SiO2 37.30
35 Nb2O5 84.03
36 SiO2 39.12
37 Nb2O5 15.38
38 SiO2 57.54
39 Nb2O5 99.89
40 SiO2 160.09
41 Nb2O5 99.61
42 SiO2 176.00
43 Nb2O5 108.43
44 SiO2 182.01
45 Nb2O5 109.79
46 SiO2 183.74
47 Nb2O5 110.39
48 SiO2 183.10
49 Nb2O5 110.53
50 SiO2 183.09
51 Nb2O5 109.97
52 SiO2 181.76
53 Nb2O5 108.76
54 SiO2 181.05
55 Nb2O5 105.08
56 SiO2 170.20
57 Nb2O5 96.29
58 SiO2 79.48
[0043]
 比較例3
多層膜MA(A面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 SiO2 94.81
2 Nb2O5 10.48
3 SiO2 33.79
4 Nb2O5 102.05
5 SiO2 33.32
6 Nb2O5 19.56
7 SiO2 40.71
8 Nb2O5 110.44
9 SiO2 35.39
10 Nb2O5 18.71
11 SiO2 24.59
12 Nb2O5 96.29
13 SiO2 196.65
14 Nb2O5 16.05
15 SiO2 223.97
16 Nb2O5 13.32
17 SiO2 227.18
18 Nb2O5 16.59
19 SiO2 196.77
20 Nb2O5 79.59
21 SiO2 19.56
22 Nb2O5 21.98
23 SiO2 57.44
24 Nb2O5 119.21
25 SiO2 32.06
26 Nb2O5 126.82
27 SiO2 33.85
28 Nb2O5 125.23
29 SiO2 34.09
30 Nb2O5 126.07
31 SiO2 36.59
32 Nb2O5 124.86
33 SiO2 34.66
34 Nb2O5 119.49
35 SiO2 61.27
36 Nb2O5 21.29
37 SiO2 20.28
38 Nb2O5 77.19
39 SiO2 183.85
40 Nb2O5 27.08
41 SiO2 31.73
42 Nb2O5 12.97
43 SiO2 156.54
44 Nb2O5 115.14
45 SiO2 34.33
46 Nb2O5 124.38
47 SiO2 79.30
48 Nb2O5 12.14
49 SiO2 72.94
50 Nb2O5 22.51
51 SiO2 201.57
52 Nb2O5 106.89
53 SiO2 37.65
54 Nb2O5 13.77
55 SiO2 34.15
56 Nb2O5 104.51
57 SiO2 202.42
58 Nb2O5 14.97
59 SiO2 199.77
60 Nb2O5 100.80
61 SiO2 35.73
62 Nb2O5 14.97
63 SiO2 43.55
64 Nb2O5 100.83
65 SiO2 188.87
66 Nb2O5 15.30
67 SiO2 209.98
68 Nb2O5 20.25
69 SiO2 35.81
70 Nb2O5 15.62
71 SiO2 149.54
72 Nb2O5 93.93
73 SiO2 154.42
74 Nb2O5 27.07
75 SiO2 17.64
76 Nb2O5 35.17
77 SiO2 170.29
78 Nb2O5 96.88
79 SiO2 37.25
80 Nb2O5 16.06
81 SiO2 45.39
82 Nb2O5 103.42
83 SiO2 87.50
[0044]
 比較例3
多層膜MB(B面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 10.22
2 SiO2 35.62
3 Nb2O5 102.34
4 SiO2 156.54
5 Nb2O5 87.14
6 SiO2 149.29
7 Nb2O5 106.00
8 SiO2 20.02
9 Nb2O5 105.21
10 SiO2 149.81
11 Nb2O5 95.01
12 SiO2 42.76
13 Nb2O5 19.36
14 SiO2 34.17
15 Nb2O5 204.24
16 SiO2 44.45
17 Nb2O5 15.13
18 SiO2 57.31
19 Nb2O5 116.83
20 SiO2 21.06
21 Nb2O5 113.61
22 SiO2 23.41
23 Nb2O5 18.19
24 SiO2 26.17
25 Nb2O5 105.37
26 SiO2 62.06
27 Nb2O5 13.73
28 SiO2 44.37
29 Nb2O5 199.88
30 SiO2 42.86
31 Nb2O5 14.37
32 SiO2 56.82
33 Nb2O5 102.26
34 SiO2 61.10
35 Nb2O5 15.10
36 SiO2 41.53
37 Nb2O5 210.79
38 SiO2 41.49
39 Nb2O5 20.40
40 SiO2 40.23
41 Nb2O5 215.61
42 SiO2 33.15
43 Nb2O5 21.37
44 SiO2 40.41
45 Nb2O5 95.54
46 SiO2 154.28
47 Nb2O5 112.66
48 SiO2 30.66
49 Nb2O5 31.57
50 SiO2 45.52
51 Nb2O5 28.05
52 SiO2 34.75
53 Nb2O5 108.26
54 SiO2 154.08
55 Nb2O5 88.11
56 SiO2 155.57
57 Nb2O5 100.53
58 SiO2 173.70
59 Nb2O5 105.39
60 SiO2 172.65
61 Nb2O5 107.21
62 SiO2 172.22
63 Nb2O5 98.85
64 SiO2 156.11
65 Nb2O5 102.42
66 SiO2 37.82
67 Nb2O5 24.49
68 SiO2 27.87
69 Nb2O5 207.40
70 SiO2 24.01
71 Nb2O5 25.02
72 SiO2 32.87
73 Nb2O5 102.86
74 SiO2 152.65
75 Nb2O5 83.67
76 SiO2 70.39
[0045]
 実施例1
多層膜MA(A面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 16.34
2 SiO2 28.28
3 Nb2O5 64.83
4 SiO2 23.55
5 Nb2O5 30.30
6 SiO2 40.40
7 Nb2O5 112.82
8 SiO2 45.22
9 Nb2O5 15.15
10 SiO2 36.35
11 Nb2O5 95.45
12 SiO2 190.09
13 Nb2O5 16.10
14 SiO2 218.88
15 Nb2O5 15.15
16 SiO2 220.94
17 Nb2O5 18.97
18 SiO2 199.93
19 Nb2O5 54.05
20 SiO2 29.18
21 Nb2O5 23.30
22 SiO2 74.99
23 Nb2O5 116.94
24 SiO2 38.72
25 Nb2O5 124.35
26 SiO2 36.76
27 Nb2O5 124.83
28 SiO2 38.48
29 Nb2O5 124.23
30 SiO2 38.39
31 Nb2O5 123.75
32 SiO2 40.50
33 Nb2O5 114.51
34 SiO2 85.79
35 Nb2O5 20.64
36 SiO2 28.61
37 Nb2O5 53.60
38 SiO2 176.99
39 Nb2O5 28.74
40 SiO2 25.25
41 Nb2O5 15.15
42 SiO2 147.35
43 Nb2O5 89.39
44 SiO2 143.58
45 Nb2O5 89.74
46 SiO2 169.33
47 Nb2O5 21.40
48 SiO2 30.30
49 Nb2O5 15.15
50 SiO2 165.72
51 Nb2O5 106.58
52 SiO2 56.89
53 Nb2O5 15.15
54 SiO2 32.19
55 Nb2O5 91.52
56 SiO2 180.87
57 Nb2O5 27.05
58 SiO2 30.30
59 Nb2O5 15.15
60 SiO2 155.48
61 Nb2O5 95.56
62 SiO2 149.06
63 Nb2O5 98.23
64 SiO2 180.19
65 Nb2O5 121.78
66 SiO2 46.19
67 Nb2O5 16.93
68 SiO2 229.33
69 Nb2O5 107.14
70 SiO2 180.94
71 Nb2O5 129.41
72 SiO2 25.25
73 Nb2O5 28.00
74 SiO2 184.96
75 Nb2O5 100.23
76 SiO2 79.29
[0046]
 実施例1
多層膜MB(B面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 14.55
2 SiO2 47.64
3 Nb2O5 22.99
4 SiO2 190.77
5 Nb2O5 115.18
6 SiO2 25.31
7 Nb2O5 116.76
8 SiO2 51.63
9 Nb2O5 14.55
10 SiO2 35.46
11 Nb2O5 90.76
12 SiO2 189.51
13 Nb2O5 15.45
14 SiO2 220.58
15 Nb2O5 14.55
16 SiO2 216.46
17 Nb2O5 16.15
18 SiO2 186.22
19 Nb2O5 87.09
20 SiO2 27.39
21 Nb2O5 15.78
22 SiO2 49.91
23 Nb2O5 101.61
24 SiO2 19.36
25 Nb2O5 16.15
26 SiO2 28.83
27 Nb2O5 105.70
28 SiO2 18.02
29 Nb2O5 17.32
30 SiO2 22.62
31 Nb2O5 119.51
32 SiO2 21.35
33 Nb2O5 131.68
34 SiO2 19.38
35 Nb2O5 123.47
36 SiO2 13.98
37 Nb2O5 22.41
38 SiO2 14.55
39 Nb2O5 120.63
40 SiO2 18.50
41 Nb2O5 120.55
42 SiO2 23.56
43 Nb2O5 18.17
44 SiO2 16.53
45 Nb2O5 115.62
46 SiO2 22.04
47 Nb2O5 117.29
48 SiO2 44.84
49 Nb2O5 18.62
50 SiO2 25.30
51 Nb2O5 86.10
52 SiO2 156.03
53 Nb2O5 84.32
54 SiO2 155.86
55 Nb2O5 105.01
56 SiO2 177.09
57 Nb2O5 109.00
58 SiO2 174.93
59 Nb2O5 106.74
60 SiO2 174.34
61 Nb2O5 98.98
62 SiO2 163.78
63 Nb2O5 94.55
64 SiO2 165.72
65 Nb2O5 100.46
66 SiO2 85.17
[0047]
 実施例2
多層膜MA(A面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 16.34
2 SiO2 28.28
3 Nb2O5 64.83
4 SiO2 23.55
5 Nb2O5 30.30
6 SiO2 40.40
7 Nb2O5 112.82
8 SiO2 45.22
9 Nb2O5 15.15
10 SiO2 36.35
11 Nb2O5 95.45
12 SiO2 190.09
13 Nb2O5 16.10
14 SiO2 218.88
15 Nb2O5 15.15
16 SiO2 220.94
17 Nb2O5 18.97
18 SiO2 199.93
19 Nb2O5 54.05
20 SiO2 29.18
21 Nb2O5 23.30
22 SiO2 74.99
23 Nb2O5 116.94
24 SiO2 38.72
25 Nb2O5 124.35
26 SiO2 36.76
27 Nb2O5 124.83
28 SiO2 38.48
29 Nb2O5 124.23
30 SiO2 38.39
31 Nb2O5 123.75
32 SiO2 40.50
33 Nb2O5 114.51
34 SiO2 85.79
35 Nb2O5 20.64
36 SiO2 28.61
37 Nb2O5 53.60
38 SiO2 176.99
39 Nb2O5 28.74
40 SiO2 25.25
41 Nb2O5 15.15
42 SiO2 147.35
43 Nb2O5 89.39
44 SiO2 143.58
45 Nb2O5 89.74
46 SiO2 169.33
47 Nb2O5 21.40
48 SiO2 30.30
49 Nb2O5 15.15
50 SiO2 165.72
51 Nb2O5 106.58
52 SiO2 56.89
53 Nb2O5 15.15
54 SiO2 32.19
55 Nb2O5 91.52
56 SiO2 180.87
57 Nb2O5 27.05
58 SiO2 30.30
59 Nb2O5 15.15
60 SiO2 155.48
61 Nb2O5 95.56
62 SiO2 149.06
63 Nb2O5 98.23
64 SiO2 180.19
65 Nb2O5 121.78
66 SiO2 46.19
67 Nb2O5 16.93
68 SiO2 229.33
69 Nb2O5 107.14
70 SiO2 180.94
71 Nb2O5 129.41
72 SiO2 25.25
73 Nb2O5 28.00
74 SiO2 184.96
75 Nb2O5 100.23
76 SiO2 79.29
[0048]
 実施例2
多層膜MB(B面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
Nb2O5 2.38

層 材料 膜厚(nm)
1 Nb2O5 21.03
2 SiO2 31.00
3 Nb2O5 34.37
4 SiO2 180.97
5 Nb2O5 117.57
6 SiO2 24.25
7 Nb2O5 110.40
8 SiO2 40.51
9 Nb2O5 14.55
10 SiO2 43.14
11 Nb2O5 98.21
12 SiO2 24.25
13 Nb2O5 20.35
14 SiO2 33.41
15 Nb2O5 121.78
16 SiO2 24.73
17 Nb2O5 115.21
18 SiO2 24.25
19 Nb2O5 17.27
20 SiO2 29.59
21 Nb2O5 122.35
22 SiO2 24.25
23 Nb2O5 133.06
24 SiO2 24.25
25 Nb2O5 134.08
26 SiO2 24.25
27 Nb2O5 134.90
28 SiO2 24.25
29 Nb2O5 133.68
30 SiO2 24.25
31 Nb2O5 132.29
32 SiO2 26.35
33 Nb2O5 133.27
34 SiO2 24.25
35 Nb2O5 132.92
36 SiO2 24.25
37 Nb2O5 133.38
38 SiO2 24.25
39 Nb2O5 134.92
40 SiO2 24.25
41 Nb2O5 133.53
42 SiO2 24.25
43 Nb2O5 133.31
44 SiO2 26.21
45 Nb2O5 128.44
46 SiO2 33.18
47 Nb2O5 110.75
48 SiO2 147.03
49 Nb2O5 87.24
50 SiO2 176.66
51 Nb2O5 114.02
52 SiO2 24.25
53 Nb2O5 14.55
54 SiO2 175.10
55 Nb2O5 26.12
56 SiO2 27.24
57 Nb2O5 34.05
58 SiO2 168.35
59 Nb2O5 92.33
60 SiO2 164.19
61 Nb2O5 108.87
62 SiO2 179.05
63 Nb2O5 97.45
64 SiO2 150.95
65 Nb2O5 88.14
66 SiO2 72.29
[0049]
 実施例3
多層膜MA(A面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
TiO2 2.39

層 材料 膜厚(nm)
1 TiO2 9.16
2 SiO2 29.43
3 TiO2 95.11
4 SiO2 159.35
5 TiO2 85.78
6 SiO2 20.25
7 TiO2 20.88
8 SiO2 39.90
9 TiO2 108.96
10 SiO2 195.34
11 TiO2 11.36
12 SiO2 678.69
13 TiO2 11.21
14 SiO2 192.42
15 TiO2 99.02
16 SiO2 37.50
17 TiO2 14.79
18 SiO2 42.40
19 TiO2 115.31
20 SiO2 24.63
21 TiO2 128.14
22 SiO2 24.24
23 TiO2 128.40
24 SiO2 25.26
25 TiO2 129.56
26 SiO2 27.05
27 TiO2 125.56
28 SiO2 31.34
29 TiO2 113.94
30 SiO2 80.27
31 TiO2 12.39
32 SiO2 31.73
33 TiO2 77.37
34 SiO2 185.56
35 TiO2 23.60
36 SiO2 185.81
37 TiO2 64.17
38 SiO2 19.91
39 TiO2 13.83
40 SiO2 117.13
41 TiO2 96.53
42 SiO2 139.71
43 TiO2 13.27
44 SiO2 37.62
45 TiO2 30.27
46 SiO2 188.60
47 TiO2 103.49
48 SiO2 29.02
49 TiO2 18.48
50 SiO2 38.05
51 TiO2 108.82
52 SiO2 197.19
53 TiO2 19.31
54 SiO2 194.83
55 TiO2 86.27
56 SiO2 23.28
57 TiO2 18.11
58 SiO2 53.39
59 TiO2 110.09
60 SiO2 60.43
61 TiO2 20.65
62 SiO2 24.11
63 TiO2 70.07
64 SiO2 159.63
65 TiO2 82.41
66 SiO2 48.23
67 TiO2 11.26
68 SiO2 63.43
69 TiO2 81.18
70 SiO2 20.53
71 TiO2 21.66
72 SiO2 50.41
73 TiO2 107.83
74 SiO2 208.64
75 TiO2 18.66
76 SiO2 42.12
77 TiO2 112.95
78 SiO2 165.54
79 TiO2 89.71
80 SiO2 77.84
[0050]
 実施例3
多層膜MB(B面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
TiO2 2.39

層 材料 膜厚(nm)
1 TiO2 10.05
2 SiO2 34.19
3 TiO2 97.80
4 SiO2 153.99
5 TiO2 86.57
6 SiO2 151.02
7 TiO2 105.53
8 SiO2 19.19
9 TiO2 113.00
10 SiO2 56.42
11 TiO2 12.87
12 SiO2 51.09
13 TiO2 100.27
14 SiO2 17.08
15 TiO2 26.39
16 SiO2 32.21
17 TiO2 32.55
18 SiO2 47.26
19 TiO2 22.20
20 SiO2 48.91
21 TiO2 108.20
22 SiO2 70.03
23 TiO2 11.45
24 SiO2 47.32
25 TiO2 200.40
26 SiO2 41.57
27 TiO2 14.77
28 SiO2 60.07
29 TiO2 105.16
30 SiO2 58.44
31 TiO2 15.70
32 SiO2 43.57
33 TiO2 196.62
34 SiO2 161.54
35 TiO2 85.75
36 SiO2 18.19
37 TiO2 21.35
38 SiO2 54.77
39 TiO2 25.45
40 SiO2 45.46
41 TiO2 31.68
42 SiO2 36.17
43 TiO2 116.54
44 SiO2 54.43
45 TiO2 17.42
46 SiO2 42.47
47 TiO2 203.30
48 SiO2 48.00
49 TiO2 12.03
50 SiO2 68.49
51 TiO2 104.90
52 SiO2 52.83
53 TiO2 18.34
54 SiO2 37.92
55 TiO2 202.90
56 SiO2 38.40
57 TiO2 19.27
58 SiO2 48.13
59 TiO2 96.33
60 SiO2 155.44
61 TiO2 92.57
62 SiO2 173.19
63 TiO2 103.66
64 SiO2 173.53
65 TiO2 103.50
66 SiO2 174.04
67 TiO2 102.01
68 SiO2 164.17
69 TiO2 90.66
70 SiO2 161.13
71 TiO2 113.04
72 SiO2 31.81
73 TiO2 29.18
74 SiO2 51.13
75 TiO2 26.04
76 SiO2 36.69
77 TiO2 109.39
78 SiO2 155.58
79 TiO2 85.88
80 SiO2 150.37
81 TiO2 83.25
82 SiO2 72.86
[0051]
 実施例4
多層膜MA(A面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
TiO2 2.39

層 材料 膜厚(nm)
1 SiO2 54.59
2 TiO2 9.90
3 SiO2 35.25
4 TiO2 107.25
5 SiO2 35.16
6 TiO2 21.40
7 SiO2 23.47
8 TiO2 91.88
9 SiO2 189.41
10 TiO2 19.76
11 SiO2 214.64
12 TiO2 20.27
13 SiO2 192.62
14 TiO2 72.68
15 SiO2 19.67
16 TiO2 26.11
17 SiO2 50.06
18 TiO2 121.81
19 SiO2 27.69
20 TiO2 128.55
21 SiO2 24.37
22 TiO2 129.54
23 SiO2 23.31
24 TiO2 129.71
25 SiO2 22.52
26 TiO2 130.03
27 SiO2 21.83
28 TiO2 130.18
29 SiO2 20.98
30 TiO2 130.68
31 SiO2 21.97
32 TiO2 130.13
33 SiO2 25.70
34 TiO2 121.99
35 SiO2 56.45
36 TiO2 23.71
37 SiO2 24.89
38 TiO2 69.60
39 SiO2 189.30
40 TiO2 23.96
41 SiO2 211.37
42 TiO2 22.52
43 SiO2 212.72
44 TiO2 23.32
45 SiO2 201.67
46 TiO2 42.44
47 SiO2 29.81
48 TiO2 22.29
49 SiO2 288.86
50 TiO2 15.75
51 SiO2 20.02
52 TiO2 75.03
53 SiO2 168.01
54 TiO2 69.30
55 SiO2 17.58
56 TiO2 20.89
57 SiO2 236.37
58 TiO2 11.40
59 SiO2 31.79
60 TiO2 100.20
61 SiO2 176.11
62 TiO2 113.67
63 SiO2 186.72
64 TiO2 113.29
65 SiO2 187.39
66 TiO2 114.15
67 SiO2 182.70
68 TiO2 124.66
69 SiO2 37.51
70 TiO2 17.76
71 SiO2 158.83
72 TiO2 9.94
73 SiO2 32.29
74 TiO2 82.85
75 SiO2 24.80
76 TiO2 19.07
77 SiO2 74.29
78 TiO2 21.29
79 SiO2 16.41
80 TiO2 78.08
81 SiO2 86.14
[0052]
 実施例4
多層膜MB(B面)
n(540nm)
基板 1.52
SiO2 1.47
TiO2 2.39

層 材料 膜厚(nm)
1 TiO2 10.15
2 SiO2 34.31
3 TiO2 102.29
4 SiO2 158.00
5 TiO2 85.29
6 SiO2 150.91
7 TiO2 87.84
8 SiO2 35.67
9 TiO2 15.31
10 SiO2 41.05
11 TiO2 89.48
12 SiO2 146.05
13 TiO2 80.84
14 SiO2 143.54
15 TiO2 80.59
16 SiO2 145.35
17 TiO2 93.20
18 SiO2 46.82
19 TiO2 22.36
20 SiO2 31.17
21 TiO2 58.41
22 SiO2 45.47
23 TiO2 11.33
24 SiO2 74.10
25 TiO2 88.06
26 SiO2 142.90
27 TiO2 81.55
28 SiO2 142.88
29 TiO2 82.87
30 SiO2 147.03
31 TiO2 91.50
32 SiO2 179.06
33 TiO2 26.19
34 SiO2 12.57
35 TiO2 80.35
36 SiO2 20.26
37 TiO2 10.15
38 SiO2 146.29
39 TiO2 92.57
40 SiO2 145.43
41 TiO2 21.58
42 SiO2 16.24
43 TiO2 40.24
44 SiO2 167.77
45 TiO2 104.56
46 SiO2 32.72
47 TiO2 14.04
48 SiO2 91.76
49 TiO2 10.15
50 SiO2 47.83
51 TiO2 100.80
52 SiO2 155.22
53 TiO2 90.33
54 SiO2 148.68
55 TiO2 11.92
56 SiO2 15.22
57 TiO2 304.64
58 SiO2 26.97
59 TiO2 26.25
60 SiO2 41.89
61 TiO2 112.25
62 SiO2 77.59
63 TiO2 10.15
64 SiO2 51.91
65 TiO2 212.68
66 SiO2 40.31
67 TiO2 20.94
68 SiO2 47.55
69 TiO2 106.09
70 SiO2 18.40
71 TiO2 10.15
72 SiO2 179.85
73 TiO2 15.07
74 SiO2 16.31
75 TiO2 92.24
76 SiO2 168.29
77 TiO2 64.07
78 SiO2 17.50
79 TiO2 19.39
80 SiO2 108.52
81 TiO2 21.10
82 SiO2 21.61
83 TiO2 50.42
84 SiO2 85.10
[0053]
[表1]


[0054]
[表2]


符号の説明

[0055]
 FR  赤外カットフィルター
 MA,MB  誘電体多層膜
 SU  基板
 DU  デジタル機器
 LU  撮像光学装置(カメラユニット)
 LN  撮像レンズ
 SR  撮像素子
 SS  受光面(撮像面)
 IM  像面(光学像)
 AX  光軸
 1  信号処理部
 2  制御部
 3  メモリー
 4  操作部
 5  表示部

請求の範囲

[請求項1]
 基板の両面に誘電体多層膜を有する赤外カットフィルターであって、
 波長425~620nmにおける入射角度0度での平均透過率が95%以上であり、
 波長425~620nmにおける入射角度30度での平均透過率が94%以上であり、
 波長600~620nmにおける入射角度0度での平均透過率が91%以上であり、
 波長580~700nmにおいて、以下の条件式(1)及び(2)を満足し、
 波長700~1100nmにおける平均透過率が0.5%以下で最大透過率が1.8%以下であり、
 波長1100~1200nmにおける平均透過率が8%以下で最大透過率12.5%以下である赤外カットフィルター;
Σ[T=50~90%]|λT(0度)-λT(30度)|<400 …(1)
Σ[T= 5~50%]|λT(0度)-λT(30度)|<850 …(2)
 ただし、
Σ[T=a~b%]|λT(0度)-λT(30度)|:透過率Tがa%からb%までの1%毎の波長差|λT(0度)-λT(30度)|の和、
λT(θ):入射角度θ度で透過率T%のときの波長(nm)、
である。
[請求項2]
 波長580~700nmにおいて、前記基板両面の誘電体多層膜からなる両フィルター面のうち、入射角度0度で透過率50%のときの波長の短い方の面をA面とし、長い方の面をB面とすると、以下の条件式(3)を満足する請求項1記載の赤外カットフィルター;
-15≦λA50%(0度)-λB50%(30度)≦10 …(3)
 ただし、
λA50%(0度):A面において入射角度0度で透過率50%のときの波長(nm)、
λB50%(30度):B面において入射角度30度で透過率50%のときの波長(nm)、
である。
[請求項3]
 波長425~620nmにおける入射角度0度での平均透過率が99%以上であり、
 波長425~620nmにおける入射角度30度での平均透過率が97%以上であり、
 波長600~620nmにおける入射角度0度での平均透過率が98.5%以上である請求項1又は2記載の赤外カットフィルター。
[請求項4]
 波長580~700nmにおいて、以下の条件式(1a)を満足する請求項1~3のいずれか1項に記載の赤外カットフィルター;
Σ[T=50~90%]|λT(0度)-λT(30度)|<215 …(1a)
 ただし、
Σ[T=a~b%]|λT(0度)-λT(30度)|:透過率Tがa%からb%までの1%毎の波長差|λT(0度)-λT(30度)|の和、
λT(θ):入射角度θ度で透過率T%のときの波長(nm)、
である。
[請求項5]
 波長700~1100nmにおける平均透過率が0.15%以下で最大透過率が1%以下であり、
 波長1100~1200nmにおける平均透過率が4%以下で最大透過率9%以下である請求項1~4のいずれか1項に記載の赤外カットフィルター。
[請求項6]
 波長700~1100nmにおける平均透過率が0.1%以下で最大透過率が0.7%以下であり、
 波長1100~1200nmにおける平均透過率が1%以下で最大透過率1.5%以下である請求項1~5のいずれか1項に記載の赤外カットフィルター。
[請求項7]
 請求項1~6のいずれか1項に記載の赤外カットフィルターを備えたカメラユニット。

図面

[ 図 1]

[ 図 2]

[ 図 3]

[ 図 4]

[ 図 5]

[ 図 6]

[ 図 7]

[ 図 8]

[ 図 9]

[ 図 10]

[ 図 11]

[ 図 12]

[ 図 13]

[ 図 14]

[ 図 15]

[ 図 16]

[ 図 17]

[ 図 18]