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1. (WO2015137077) 反射型マスクの洗浄装置および反射型マスクの洗浄方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137077 国際出願番号: PCT/JP2015/054578
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 19.02.2015
IPC:
G03F 1/82 (2012.01) ,G03F 1/24 (2012.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
68
グループG03F1/20からG03F1/50に包含されない準備プロセス
82
補助的なプロセス,例.クリーニング
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
22
100nm以下の波長の放射によって画像化するためのマスク又はマスクブランク,例.X線マスク,極端紫外マスク;その準備
24
反射マスク;その準備
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
芝浦メカトロニクス株式会社 SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県横浜市栄区笠間二丁目5番1号 5-1, Kasama 2-chome, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2478610, JP
発明者:
松嶋 大輔 MATSUSHIMA, Daisuke; JP
出村 健介 DEMURA, Kensuke; JP
鈴木 将文 SUZUKI, Masafumi; JP
中村 聡 NAKAMURA, Satoshi; JP
代理人:
日向寺 雅彦 HYUGAJI, Masahiko; JP
優先権情報:
2014-04731911.03.2014JP
発明の名称: (EN) APPARATUS FOR CLEANING REFLECTIVE MASK AND METHOD FOR CLEANING REFLECTIVE MASK
(FR) APPAREIL DE NETTOYAGE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT
(JA) 反射型マスクの洗浄装置および反射型マスクの洗浄方法
要約:
(EN) Provided are: an apparatus for cleaning a reflective mask, which is capable of suppressing deterioration of the optical characteristics of a capping layer that is provided on a reflective mask and contains ruthenium; and a method for cleaning a reflective mask. An apparatus for cleaning a reflective mask according to one embodiment of the present invention is provided with: a first supply unit which supplies a first solution containing an organic solvent and/or a surfactant to a capping layer that is provided on a reflective mask and contains ruthenium; and a second supply unit which supplies a reducing solution and/or a solution containing no oxygen to the capping layer. An apparatus for cleaning a reflective mask according to another embodiment of the present invention is provided with: a third supply unit which supplies a plasma product produced from a reducing gas to a capping layer that is provided on a reflective mask and contains ruthenium; and a second supply unit which supplies a reducing solution and/or a solution containing no oxygen to the capping layer.
(FR) L'invention porte sur : un appareil de nettoyage d'un masque réfléchissant, qui est apte à supprimer une détérioration des caractéristiques optiques d'une couche de recouvrement qui est disposée sur un masque réfléchissant et contient du ruthénium ; et un procédé de nettoyage d'un masque réfléchissant. Un appareil de nettoyage d'un masque réfléchissant selon un mode de réalisation de la présente invention comporte : une première unité d'alimentation qui fournit une première solution contenant un solvant organique et/ou un agent de surface à une couche de recouvrement qui est disposée sur un masque réfléchissant et contient du ruthénium ; et une seconde unité d'alimentation qui fournit une solution de réduction et/ou une solution ne contenant pas d'oxygène à la couche de recouvrement. Un appareil de nettoyage d'un masque réfléchissant selon un autre mode de réalisation de la présente invention comporte : une troisième unité d'alimentation qui fournit un produit de plasma fabriqué à partir d'un gaz réducteur à une couche de recouvrement qui est disposée sur un masque réfléchissant et contient du ruthénium ; et une seconde unité d'alimentation qui fournit une solution de réduction et/ou une solution ne contenant pas d'oxygène à la couche de recouvrement.
(JA) 反射型マスクに設けられたルテニウムを含むキャッピング層の光学特性の劣化を抑制することができる反射型マスクの洗浄装置、および反射型マスクの洗浄方法を提供することである。 実施形態に係る反射型マスクの洗浄装置は、反射型マスクに設けられたルテニウムを含むキャッピング層に、有機溶剤および界面活性剤の少なくともいずれかを含む第1の溶液を供給する第1の供給部と、前記キャッピング層に、還元性溶液および酸素を含まない溶液の少なくともいずれかを供給する第2の供給部と、を備えている。 また、他の実施形態に係る反射型マスクの洗浄装置は、反射型マスクに設けられたルテニウムを含むキャッピング層に、還元性ガスから生成されたプラズマ生成物を供給する第3の供給部と、前記キャッピング層に、還元性溶液および酸素を含まない溶液の少なくともいずれかを供給する第2の供給部と、を備えている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106164771US20170017151JPWO2015137077KR1020160132068